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電流-頻率轉(zhuǎn)換電路--1NA~100UA轉(zhuǎn)0.1HZ~10KHZ

  • IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負6次方/800*10的負12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時間林約是9MS，頻率為111HZ。實際上必須加上上升時間，所以振蕩頻率大約為100HZ。 因為C1的微調(diào)很困難，所以允許A2的正
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如何制作High-end A4監(jiān)聽音箱

  • 一、設(shè)計及制作
    由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關(guān)系：
    no＝knmiddot;f33middot;VB
    上式中，k
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IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓

  • 　　IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
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MIT研究顯示電子束光刻可達9納米精度

  • 　　美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結(jié)果，這一進展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術(shù)展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù)，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
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光源問題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題

  • 　　GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開的高級半導(dǎo)體制造技術(shù)會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過程中最“忐忑”的因素。 　　
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英特爾10nm設(shè)計規(guī)則初定 EUV技術(shù)恐錯失良機

  • 　　英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預(yù)計在2013下半年實現(xiàn)。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進行生產(chǎn)。 　　
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通向14/15nm節(jié)點的技術(shù)挑戰(zhàn)

  • 　　當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn) 　　對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當(dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因為隨著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個挑戰(zhàn)。
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次世代微影技術(shù)主流之爭　

  • 　　目前次世代微影技術(shù)發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術(shù)最快于2014年可望進入量產(chǎn)，而應(yīng)用存儲器制程又將早于邏輯制程，他也指出，無光罩多重電子束恐怕來不及進入量產(chǎn)。 　　
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Derive simple high-current source from lab sup

  • Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
  • 關(guān)鍵字： high-current  Derive  simple  source    

GlobalFoundries投入EUV技術(shù)　4年后量產(chǎn)

  • 　　繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術(shù)，預(yù)計于2012年下半將機臺導(dǎo)入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。 　　由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術(shù)，讓微影技術(shù)得以發(fā)展至2x奈米，不過浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已
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制作High-end A4監(jiān)聽音箱的方法

  • 一、設(shè)計及制作
    由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸ǎ笠粝渥龅帽M可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關(guān)系：
    no＝kn?f33?VB
    上式中，kn是箱體系數(shù)，
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英特爾認為浸入式光刻能延伸到11納米

  • 　　英特爾的先進光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者,并聲稱11納米可能發(fā)生在2015年。 　　Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術(shù)可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。 　　   　　在Nikon的年會上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機設(shè)計部總經(jīng)理Masato Hamatani認為,當(dāng)EUV達到所有的預(yù)定目標時,進入量產(chǎn)
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半導(dǎo)體能支撐未來的發(fā)展

  • 　　相比于2009年今年全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢好了許多，但是仍有少部分人提出質(zhì)疑，2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎? 　　在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會上(ISS)，有些演講者表示一些擔(dān)憂，認為雖然半導(dǎo)體業(yè)正在復(fù)蘇的路上，但是制造商們?nèi)匀鄙偌で?，不肯繼續(xù)大幅的投資，以及不太愿意重新擴大招慕員工。 　　恐怕更大的擔(dān)心來自全球半導(dǎo)體業(yè)間的兼并與重組到來，以及產(chǎn)業(yè)能否支持得起22納米及以下技術(shù)的進步。 　　IBS的CEO Handle Jones認為，雖然工業(yè)正在復(fù)蘇，但是在半導(dǎo)體業(yè)運營中仍面臨成
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臺積電取得ASML超紫外光微影設(shè)備以研發(fā)新世代工藝

  • 　　TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，是全球六個取得這項設(shè)備的客戶伙伴之一。 　　這項設(shè)備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(GigaFab™)-臺積十二廠，用以發(fā)展新世代的工藝技術(shù)。TSMC也將成為全球第一個可以在自身晶圓廠發(fā)展超紫外光微影技術(shù)的專業(yè)集成電路制造服務(wù)業(yè)者。 　　相較于現(xiàn)行浸潤式微影技術(shù)以193納米波長當(dāng)作光源，超
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三項半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時間將后延至2015-2016年

  • 　　半導(dǎo)體技術(shù)市場權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實用的時間點將再度后延。 　　據(jù)IC Insights預(yù)計，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實用化建設(shè)--比預(yù)期的時間點后延了兩年左右。另外，預(yù)計16nm級別制程技術(shù)中也不會應(yīng)用EUV光刻技術(shù)，這項技術(shù)會被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實用。 　　另外一項較新的半導(dǎo)體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TS
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