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MIT研究顯示電子束光刻可達9納米精度

—— 為電子束“光刻”和EUV光刻技術(shù)展開競爭提供了動力
作者: 時間:2011-07-06 來源:semi 收藏

  美國麻省理工學院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項研究成果顯示,電子束“”精度可以小到9納米的范圍,刷新了以前一項精度為25納米的結(jié)果,這一進展有可能為電子束“”和(超紫外)技術(shù)展開競爭提供了動力。盡管光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步,有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù),但光刻還面臨一些棘手的問題,如強光源和光掩膜保護膜等,而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。不過電子束“光刻”也有它的問題,主要是“光刻”的速度太慢,這對掩膜制作來講不是一個大問題,但如果要直接在硅片上直接刻蝕圖形,在大生產(chǎn)中就沒有經(jīng)濟效益,這使得電子束“光刻”的應用目前被局限在光刻掩膜制作等特殊的市場上。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/121108.htm


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