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high-na euv 文章 進(jìn)入high-na euv技術(shù)社區(qū)
美光計(jì)劃投資約300億元在日本新建DRAM廠
- 據(jù)日媒報(bào)道,美光科技計(jì)劃投入6000億-8000億日?qǐng)A(約合人民幣277-369億元)在日本廣島縣興建新廠,用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動(dòng)工,并安裝極紫外光刻(EUV)設(shè)備。消息稱最快2027年底便可投入營(yíng)運(yùn)。報(bào)道稱,此前,日本政府已批準(zhǔn)多達(dá)1920億日?qǐng)A補(bǔ)貼,支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省曾表示,將利用這筆經(jīng)費(fèi)協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片,這些芯片將是推動(dòng)生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
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臺(tái)積電美國(guó)設(shè)廠貴又慢?工程師揭關(guān)鍵:EUV機(jī)臺(tái)組裝超乎想象
- 臺(tái)積電熊本廠已在2月底開幕,美國(guó)亞利桑那州新廠卻從2024年遞延至2025年量產(chǎn),美國(guó)一名結(jié)構(gòu)工程師撰文指出,在美國(guó)蓋晶圓廠的速度比世界其他地方慢,建造成本也比世界其他地區(qū)高出30%到4倍。而蓋晶圓廠比想象中復(fù)雜,以ASML的一臺(tái)先進(jìn)EUV曝光機(jī)為例,可能裝在40個(gè)貨柜中,需要漫長(zhǎng)而仔細(xì)的組裝過(guò)程。美國(guó)進(jìn)步中心(Institute of Progress)學(xué)者、結(jié)構(gòu)工程師波特(Brian Potter)以如何建造一座價(jià)值200億美元的半導(dǎo)體廠為題撰文指出,隨著摩爾定律的發(fā)展,芯片已變得越來(lái)越小、越來(lái)越便宜
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財(cái)經(jīng)專家揭秘臺(tái)積電「抗震神器」:1鈴聲預(yù)告出大事
- 花蓮?fù)夂?日上午發(fā)生規(guī)模7.2大地震,臺(tái)積電昨晚間發(fā)聲明,震后10小時(shí)內(nèi),晶圓廠設(shè)備的復(fù)原率已超過(guò)70%,雖少數(shù)設(shè)備受損并影響部分產(chǎn)線生產(chǎn),但主要機(jī)臺(tái)包含所有極紫外(EUV)光刻設(shè)備皆無(wú)受損。對(duì)此,財(cái)經(jīng)專家黃世聰表示,臺(tái)積電晶圓廠的機(jī)臺(tái),使用的是美國(guó)航天等級(jí)、連美軍都在用的阻尼器,且下方還有抗震減壓的機(jī)臺(tái),把地震影響降到最小,且臺(tái)積電工程師訓(xùn)練有素,只要發(fā)生地震、聽(tīng)到公司手機(jī)響起臺(tái)積電之歌的鈴聲,就知道出大事、要趕回公司。臺(tái)積電產(chǎn)能牽動(dòng)全球科技業(yè),強(qiáng)震后外界關(guān)注影響。臺(tái)積電昨晚發(fā)布聲明,在3日地震發(fā)生后僅
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臺(tái)積電曝EUV主要機(jī)臺(tái)沒(méi)受損 美媒示警:強(qiáng)震后面臨考驗(yàn)
- 昨日花蓮發(fā)生規(guī)模7.2地震,外媒高度關(guān)注是否對(duì)中國(guó)臺(tái)灣護(hù)國(guó)神山臺(tái)積電造成影響,臺(tái)積電表示,部分廠區(qū)的少數(shù)設(shè)備受損,但所有極紫外(EUV)光刻設(shè)備等主要機(jī)臺(tái)皆無(wú)受損。《華爾街日?qǐng)?bào)》撰文指出,臺(tái)積電坐落在世界上最大地震熱點(diǎn)之一的中國(guó)臺(tái)灣,在昨日強(qiáng)震后將受到考驗(yàn)。報(bào)導(dǎo)指出,在此次地震中臺(tái)積電是幸運(yùn)的,因?yàn)槠渲饕O(shè)施地點(diǎn)位在北、中、南部,與東部的震央距離相對(duì)較遠(yuǎn),這次臺(tái)積電新竹、龍?zhí)逗椭衲系瓤茖W(xué)園區(qū)的最大震度為5級(jí) ,臺(tái)中和臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的最大震度4級(jí)。雖然臺(tái)積電工廠建筑物完好無(wú)損,但用于制造半導(dǎo)體的設(shè)備和材料非常
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中國(guó)臺(tái)灣地震影響全球半導(dǎo)體業(yè) 一文看懂如何撼動(dòng)芯片供應(yīng)鏈
- 3日早上7點(diǎn)58分左右,中國(guó)臺(tái)灣花蓮發(fā)生規(guī)模7.2地震,擾亂臺(tái)積電在內(nèi)的公司營(yíng)運(yùn),臺(tái)積電對(duì)此表示,雖然部分廠區(qū)的少數(shù)設(shè)備受損并影響部分產(chǎn)線生產(chǎn),但主要機(jī)臺(tái)包含所有極紫外(EUV)光刻設(shè)備皆無(wú)受損。許多外媒則示警,這凸顯了臺(tái)積電和全球芯片供應(yīng)鏈處在地震的風(fēng)險(xiǎn)與威脅之中。 根據(jù)《商業(yè)內(nèi)幕》報(bào)導(dǎo),這場(chǎng)7.2強(qiáng)震凸顯了全球芯片供應(yīng)鏈和臺(tái)積電的脆弱性,臺(tái)積電是世界上最大的芯片制造商,全球大約90%的最先進(jìn)處理器芯片都是臺(tái)積電生產(chǎn),而且中國(guó)臺(tái)灣也是小型芯片生產(chǎn)商的所在地。報(bào)導(dǎo)示警,如果大地震能夠擾亂臺(tái)積電,那么更具破
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High-NA EUV光刻機(jī)入場(chǎng),究竟有多強(qiáng)?
- 光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)熱門話題。從早期的深紫外光刻機(jī)(DUV)起步,其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ);再到后來(lái)的極紫外光刻機(jī)(EUV)以其獨(dú)特的極紫外光源和更短的波長(zhǎng),成功將光刻精度推向了新的高度;再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(jī)(High-NA)正式登上歷史舞臺(tái),進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率,為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示,其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開發(fā),將于 2024 年安裝在 A
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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機(jī)引入部分 High-NA 機(jī)型技術(shù)
- 3 月 27 日消息,據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報(bào)道,ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù),運(yùn)行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報(bào)道,NXE:3800E 光刻機(jī)已于本月完成安裝,可實(shí)現(xiàn) 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量,相較以往機(jī)型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA(高數(shù)值孔徑) EUV 采用了更寬的光錐,這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬,會(huì)導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關(guān)鍵字: ASM NXE:3800E EUV 光刻機(jī) High-NA
ASML正計(jì)劃搬離荷蘭?向外擴(kuò)張轉(zhuǎn)移業(yè)務(wù)成為最優(yōu)解

- 據(jù)路透社報(bào)道,光刻機(jī)巨頭阿斯麥(ASML)正計(jì)劃將公司搬離荷蘭。荷蘭政府緊急成立了一個(gè)名為“貝多芬計(jì)劃”的特別工作組,由首相馬克·呂特親自領(lǐng)導(dǎo),以確保ASML繼續(xù)在荷蘭發(fā)展。消息還稱,ASML已向荷蘭政府提出了意向,表示將有可能在其他地方擴(kuò)張或遷移,法國(guó)或是選擇之一。針對(duì)最近“搬離荷蘭”等傳言,ASML發(fā)言人對(duì)媒體稱他們?cè)诳紤]公司的未來(lái),但沒(méi)有透露具體的想法。ASML為何要搬離荷蘭?憑借先天的地理位置及海港內(nèi)陸網(wǎng)絡(luò),荷蘭一直為歐洲的交通樞紐,國(guó)家經(jīng)濟(jì)高度依賴國(guó)際貿(mào)易,2022年最新出口額占全國(guó)GDP之比超
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韓國(guó)芯片巨頭SK海力士計(jì)劃升級(jí)在華工廠
- 據(jù)韓媒報(bào)道,韓國(guó)芯片巨頭SK海力士準(zhǔn)備打破美國(guó)對(duì)華極紫外(EUV)光刻機(jī)出口相關(guān)限制,對(duì)其中國(guó)半導(dǎo)體工廠進(jìn)行技術(shù)提升改造。這被外界解讀為,隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)的復(fù)蘇以及中國(guó)高性能半導(dǎo)體制造能力提升,一些韓國(guó)芯片企業(yè)準(zhǔn)備采取一切可以使用的方法來(lái)提高在華工廠制造工藝水平。韓國(guó)《首爾經(jīng)濟(jì)》13日的報(bào)道援引韓國(guó)業(yè)內(nèi)人士的話稱,SK海力士計(jì)劃今年將其中國(guó)無(wú)錫工廠的部分動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)生產(chǎn)設(shè)備提升至第四代10納米工藝。對(duì)于“無(wú)錫工廠將技術(shù)升級(jí)”的消息,SK海力士方面表示“無(wú)法確認(rèn)工廠的具體運(yùn)營(yíng)計(jì)劃”。無(wú)錫工廠
- 關(guān)鍵字: SK海力士 芯片 EUV
英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機(jī)?
- HIGH NA 無(wú)疑是打贏下一場(chǎng)比賽的重要籌碼。
- 關(guān)鍵字: 英特爾 ASML HIGH NA光刻機(jī)
英特爾拿下首套High-NA EUV,臺(tái)積電如何應(yīng)對(duì)?
- 英特爾(intel)近日宣布,已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數(shù)值孔徑(High-NA)的ASML極紫外(EUV)光刻機(jī),預(yù)計(jì)在未來(lái)兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。 相較之下,臺(tái)積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略,業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才會(huì)采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV,這也是臺(tái)積電暫時(shí)觀望的原因,臺(tái)積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù),以確保產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。Hig
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ASML兩款光刻機(jī)出口許可被撤銷
- 1月2日,全球光刻機(jī)龍頭ASML在官網(wǎng)發(fā)布聲明稱,荷蘭政府最近撤銷了此前頒發(fā)給其2023年發(fā)貨NXT:2050i和NXT:2100i光刻機(jī)的部分出口許可證,這將對(duì)ASML在中國(guó)內(nèi)地的個(gè)別客戶產(chǎn)生影響。在聲明中,ASML表示:“在新的出口管制條例下,今年(指2023年)年底前ASML仍能履行已簽訂的合同,發(fā)運(yùn)這些光刻設(shè)備??蛻粢惨阎こ隹诠苤茥l例所帶來(lái)的限制,即自2024年1月1日起,ASML將基本不會(huì)獲得向中國(guó)客戶發(fā)運(yùn)這些設(shè)備的出口許可證?!鳖A(yù)計(jì)此次出口許可證撤銷及最新的美國(guó)出口管制限制不會(huì)對(duì)公司2023
- 關(guān)鍵字: ASML 光刻機(jī) DUV EUV
?ASML被禁止向中國(guó)運(yùn)送其部分關(guān)鍵的芯片制造工具
- 半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML表示,荷蘭政府禁止其向中國(guó)出口部分工具。ASML表示,荷蘭政府最近部分撤銷了其NXT:2050i和NXT:2100i光刻系統(tǒng)在2023年裝運(yùn)的許可證。在撤銷船舶許可證之前,美國(guó)政府在10月份加強(qiáng)了對(duì)中國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體和芯片制造工具的出口管制,并在此前的規(guī)定基礎(chǔ)上進(jìn)行了進(jìn)一步收緊。荷蘭公司ASML制造了制造世界上最先進(jìn)芯片所需的最重要機(jī)器之一。美國(guó)的芯片限制使包括ASML在內(nèi)的公司爭(zhēng)先恐后地弄清楚這些規(guī)則在實(shí)踐中的含義。ASML公司該公司表示,荷蘭政府禁止其制造最先進(jìn)半導(dǎo)體的關(guān)鍵機(jī)器向中
- 關(guān)鍵字: ASML DUV EUV
high-na euv介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條high-na euv!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)high-na euv的理解,并與今后在此搜索high-na euv的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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