high-na euv 文章進(jìn)入high-na euv技術(shù)社區(qū)

美光計(jì)劃投資約300億元在日本新建DRAM廠

據(jù)日媒報(bào)道，美光科技計(jì)劃投入6000億-8000億日?qǐng)A（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動(dòng)工，并安裝極紫外光刻（EUV）設(shè)備。消息稱最快2027年底便可投入營(yíng)運(yùn)。報(bào)道稱，此前，日本政府已批準(zhǔn)多達(dá)1920億日?qǐng)A補(bǔ)貼，支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費(fèi)協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動(dòng)生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
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High-NA EUV光刻機(jī)或?qū)⒊蔀橛⑻貭柕霓D(zhuǎn)機(jī)

上個(gè)月英特爾晶圓代工宣布完成了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)組裝工作。隨后開始在Fab D1X進(jìn)行校準(zhǔn)步驟，為未來(lái)工藝路線圖的生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。
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臺(tái)積電美國(guó)設(shè)廠貴又慢？工程師揭關(guān)鍵：EUV機(jī)臺(tái)組裝超乎想象

臺(tái)積電熊本廠已在2月底開幕，美國(guó)亞利桑那州新廠卻從2024年遞延至2025年量產(chǎn)，美國(guó)一名結(jié)構(gòu)工程師撰文指出，在美國(guó)蓋晶圓廠的速度比世界其他地方慢，建造成本也比世界其他地區(qū)高出30%到4倍。而蓋晶圓廠比想象中復(fù)雜，以ASML的一臺(tái)先進(jìn)EUV曝光機(jī)為例，可能裝在40個(gè)貨柜中，需要漫長(zhǎng)而仔細(xì)的組裝過(guò)程。美國(guó)進(jìn)步中心（Institute of Progress）學(xué)者、結(jié)構(gòu)工程師波特（Brian Potter）以如何建造一座價(jià)值200億美元的半導(dǎo)體廠為題撰文指出，隨著摩爾定律的發(fā)展，芯片已變得越來(lái)越小、越來(lái)越便宜
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財(cái)經(jīng)專家揭秘臺(tái)積電「抗震神器」：1鈴聲預(yù)告出大事

花蓮?fù)夂?日上午發(fā)生規(guī)模7.2大地震，臺(tái)積電昨晚間發(fā)聲明，震后10小時(shí)內(nèi)，晶圓廠設(shè)備的復(fù)原率已超過(guò)70％，雖少數(shù)設(shè)備受損并影響部分產(chǎn)線生產(chǎn)，但主要機(jī)臺(tái)包含所有極紫外（EUV）光刻設(shè)備皆無(wú)受損。對(duì)此，財(cái)經(jīng)專家黃世聰表示，臺(tái)積電晶圓廠的機(jī)臺(tái)，使用的是美國(guó)航天等級(jí)、連美軍都在用的阻尼器，且下方還有抗震減壓的機(jī)臺(tái)，把地震影響降到最小，且臺(tái)積電工程師訓(xùn)練有素，只要發(fā)生地震、聽(tīng)到公司手機(jī)響起臺(tái)積電之歌的鈴聲，就知道出大事、要趕回公司。臺(tái)積電產(chǎn)能牽動(dòng)全球科技業(yè)，強(qiáng)震后外界關(guān)注影響。臺(tái)積電昨晚發(fā)布聲明，在3日地震發(fā)生后僅
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臺(tái)積電曝EUV主要機(jī)臺(tái)沒(méi)受損美媒示警：強(qiáng)震后面臨考驗(yàn)

昨日花蓮發(fā)生規(guī)模7.2地震，外媒高度關(guān)注是否對(duì)中國(guó)臺(tái)灣護(hù)國(guó)神山臺(tái)積電造成影響，臺(tái)積電表示，部分廠區(qū)的少數(shù)設(shè)備受損，但所有極紫外（EUV）光刻設(shè)備等主要機(jī)臺(tái)皆無(wú)受損。《華爾街日?qǐng)?bào)》撰文指出，臺(tái)積電坐落在世界上最大地震熱點(diǎn)之一的中國(guó)臺(tái)灣，在昨日強(qiáng)震后將受到考驗(yàn)。報(bào)導(dǎo)指出，在此次地震中臺(tái)積電是幸運(yùn)的，因?yàn)槠渲饕O(shè)施地點(diǎn)位在北、中、南部，與東部的震央距離相對(duì)較遠(yuǎn)，這次臺(tái)積電新竹、龍?zhí)逗椭衲系瓤茖W(xué)園區(qū)的最大震度為5級(jí) ，臺(tái)中和臺(tái)南科學(xué)園區(qū)的最大震度4級(jí)。雖然臺(tái)積電工廠建筑物完好無(wú)損，但用于制造半導(dǎo)體的設(shè)備和材料非常
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中國(guó)臺(tái)灣地震影響全球半導(dǎo)體業(yè) 一文看懂如何撼動(dòng)芯片供應(yīng)鏈

3日早上7點(diǎn)58分左右，中國(guó)臺(tái)灣花蓮發(fā)生規(guī)模7.2地震，擾亂臺(tái)積電在內(nèi)的公司營(yíng)運(yùn)，臺(tái)積電對(duì)此表示，雖然部分廠區(qū)的少數(shù)設(shè)備受損并影響部分產(chǎn)線生產(chǎn)，但主要機(jī)臺(tái)包含所有極紫外（EUV）光刻設(shè)備皆無(wú)受損。許多外媒則示警，這凸顯了臺(tái)積電和全球芯片供應(yīng)鏈處在地震的風(fēng)險(xiǎn)與威脅之中。根據(jù)《商業(yè)內(nèi)幕》報(bào)導(dǎo)，這場(chǎng)7.2強(qiáng)震凸顯了全球芯片供應(yīng)鏈和臺(tái)積電的脆弱性，臺(tái)積電是世界上最大的芯片制造商，全球大約90%的最先進(jìn)處理器芯片都是臺(tái)積電生產(chǎn)，而且中國(guó)臺(tái)灣也是小型芯片生產(chǎn)商的所在地。報(bào)導(dǎo)示警，如果大地震能夠擾亂臺(tái)積電，那么更具破
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High-NA EUV光刻機(jī)入場(chǎng)，究竟有多強(qiáng)？

光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)熱門話題。從早期的深紫外光刻機(jī)（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)；再到后來(lái)的極紫外光刻機(jī)（EUV）以其獨(dú)特的極紫外光源和更短的波長(zhǎng)，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(jī)（High-NA）正式登上歷史舞臺(tái)，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機(jī)引入部分 High-NA 機(jī)型技術(shù)

3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報(bào)道，ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù)，運(yùn)行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報(bào)道，NXE:3800E 光刻機(jī)已于本月完成安裝，可實(shí)現(xiàn) 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機(jī)型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會(huì)導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。
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ASML正計(jì)劃搬離荷蘭？向外擴(kuò)張轉(zhuǎn)移業(yè)務(wù)成為最優(yōu)解

據(jù)路透社報(bào)道，光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）正計(jì)劃將公司搬離荷蘭。荷蘭政府緊急成立了一個(gè)名為“貝多芬計(jì)劃”的特別工作組，由首相馬克·呂特親自領(lǐng)導(dǎo)，以確保ASML繼續(xù)在荷蘭發(fā)展。消息還稱，ASML已向荷蘭政府提出了意向，表示將有可能在其他地方擴(kuò)張或遷移，法國(guó)或是選擇之一。針對(duì)最近“搬離荷蘭”等傳言，ASML發(fā)言人對(duì)媒體稱他們?cè)诳紤]公司的未來(lái)，但沒(méi)有透露具體的想法。ASML為何要搬離荷蘭？憑借先天的地理位置及海港內(nèi)陸網(wǎng)絡(luò)，荷蘭一直為歐洲的交通樞紐，國(guó)家經(jīng)濟(jì)高度依賴國(guó)際貿(mào)易，2022年最新出口額占全國(guó)GDP之比超
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韓國(guó)芯片巨頭SK海力士計(jì)劃升級(jí)在華工廠

據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)芯片巨頭SK海力士準(zhǔn)備打破美國(guó)對(duì)華極紫外（EUV）光刻機(jī)出口相關(guān)限制，對(duì)其中國(guó)半導(dǎo)體工廠進(jìn)行技術(shù)提升改造。這被外界解讀為，隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)的復(fù)蘇以及中國(guó)高性能半導(dǎo)體制造能力提升，一些韓國(guó)芯片企業(yè)準(zhǔn)備采取一切可以使用的方法來(lái)提高在華工廠制造工藝水平。韓國(guó)《首爾經(jīng)濟(jì)》13日的報(bào)道援引韓國(guó)業(yè)內(nèi)人士的話稱，SK海力士計(jì)劃今年將其中國(guó)無(wú)錫工廠的部分動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）生產(chǎn)設(shè)備提升至第四代10納米工藝。對(duì)于“無(wú)錫工廠將技術(shù)升級(jí)”的消息，SK海力士方面表示“無(wú)法確認(rèn)工廠的具體運(yùn)營(yíng)計(jì)劃”。無(wú)錫工廠
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英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機(jī)？

HIGH NA 無(wú)疑是打贏下一場(chǎng)比賽的重要籌碼。
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英特爾拿下首套High-NA EUV，臺(tái)積電如何應(yīng)對(duì)？

英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在未來(lái)兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。相較之下，臺(tái)積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略，業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì)采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺(tái)積電暫時(shí)觀望的原因，臺(tái)積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。Hig
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ASML兩款光刻機(jī)出口許可被撤銷

1月2日，全球光刻機(jī)龍頭ASML在官網(wǎng)發(fā)布聲明稱，荷蘭政府最近撤銷了此前頒發(fā)給其2023年發(fā)貨NXT:2050i和NXT:2100i光刻機(jī)的部分出口許可證，這將對(duì)ASML在中國(guó)內(nèi)地的個(gè)別客戶產(chǎn)生影響。在聲明中，ASML表示：“在新的出口管制條例下，今年（指2023年）年底前ASML仍能履行已簽訂的合同，發(fā)運(yùn)這些光刻設(shè)備?？蛻粢惨阎こ隹诠苤茥l例所帶來(lái)的限制，即自2024年1月1日起，ASML將基本不會(huì)獲得向中國(guó)客戶發(fā)運(yùn)這些設(shè)備的出口許可證?！鳖A(yù)計(jì)此次出口許可證撤銷及最新的美國(guó)出口管制限制不會(huì)對(duì)公司2023
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?ASML被禁止向中國(guó)運(yùn)送其部分關(guān)鍵的芯片制造工具

半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML表示，荷蘭政府禁止其向中國(guó)出口部分工具。ASML表示，荷蘭政府最近部分撤銷了其NXT：2050i和NXT：2100i光刻系統(tǒng)在2023年裝運(yùn)的許可證。在撤銷船舶許可證之前，美國(guó)政府在10月份加強(qiáng)了對(duì)中國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體和芯片制造工具的出口管制，并在此前的規(guī)定基礎(chǔ)上進(jìn)行了進(jìn)一步收緊。荷蘭公司ASML制造了制造世界上最先進(jìn)芯片所需的最重要機(jī)器之一。美國(guó)的芯片限制使包括ASML在內(nèi)的公司爭(zhēng)先恐后地弄清楚這些規(guī)則在實(shí)踐中的含義。ASML公司該公司表示，荷蘭政府禁止其制造最先進(jìn)半導(dǎo)體的關(guān)鍵機(jī)器向中
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英特爾拿到首臺(tái)2nm光刻機(jī) 重回領(lǐng)先地位？

12月21日，荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML通過(guò)社交媒體宣布，其首套高數(shù)值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻機(jī)正從荷蘭Veldhoven總部開始裝車發(fā)貨，將向英特爾進(jìn)行交付。數(shù)值孔徑（NA）是光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的重要指標(biāo)，直接決定了光刻的實(shí)際分辨率和最高能達(dá)到的工藝節(jié)點(diǎn)。
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