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基于PMM8731和SI-7300的步進(jìn)電機驅(qū)動電路

  • PMM8731是日本三洋電機公司生產(chǎn)的步進(jìn)電機脈沖分配器。而SI-7300則是日本三青公司生產(chǎn)的高性能步進(jìn)電機集成功率放大器。它們和單片機一起可構(gòu)成一種高效電機控制驅(qū)動電路。文中介紹了PMM8713與SI-7300的功能，給出了
  • 關(guān)鍵字： 驅(qū)動  電路  電機  步進(jìn)  PMM8731  SI-7300  基于  

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問世以來，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
  • 關(guān)鍵字： LED芯片  硅襯底  GaN    

硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

  • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
  • 關(guān)鍵字： MOCVD  GaN  LED芯片    

力科發(fā)布了SI Studio軟件包以增強其分析和仿真能力

  • ??????? 力科公司，作為示波器、協(xié)議分析儀、串行數(shù)據(jù)測試解決方案和網(wǎng)絡(luò)分析儀領(lǐng)導(dǎo)廠商，今天宣布推出其信號完整性產(chǎn)品線的創(chuàng)新產(chǎn)品：信號完整性工作室(SI Studio)。SI Studio是力科SPARQ應(yīng)用軟件包的附加產(chǎn)品，它不但可以和SPARQ串行網(wǎng)絡(luò)分析儀協(xié)同工作，還可以作為一個獨立的軟件使用。 　　可完成信號完整性分析、建模和仿真的功能 　　SI Studio針對信號完整性工程師而開發(fā)，可讓工程師使用一個軟件包就能完成對
  • 關(guān)鍵字： 力科  軟件包  SI-Studio  

基于SI濾波器的一種小波變換的實現(xiàn)

  • 摘要：文中在應(yīng)用對數(shù)域電路的基礎(chǔ)上，提出了一種新型的連續(xù)小波變換方法，它通過對母小波的一種數(shù)值逼近得到小波函數(shù)的有理公式，并以Marr小波為例來模擬這個逼近過程，并用Matlab對逼近過程進(jìn)行仿真。仿真結(jié)果顯示
  • 關(guān)鍵字： 變換  實現(xiàn)  小波  濾波器  SI  基于  

一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計

  • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設(shè)計，設(shè)計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計

  • 摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。考慮了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計  探測器  紅外  量子  GaN  

大面積單結(jié)集成型a－Si:H太陽電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計與制備分析

  • 摘要：大面積單結(jié)集成型a－Si:H太陽電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計技術(shù)，并分析了制備工藝對其性能的影響。關(guān)鍵詞：太陽電池設(shè)計分析Structural Device and Preparation Analysis of Large AreaSingle Junction Integrated a－ Si:H
  • 關(guān)鍵字： 結(jié)構(gòu)設(shè)計  制備  分析  電池  太陽  結(jié)集  成型  Si:H  大面積  

一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計

  • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計步驟并對放大器進(jìn)行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結(jié)果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計  功率放大器  GaN  一種  

光致發(fā)光技術(shù)在檢測晶體Si太陽電池缺陷的應(yīng)用

  • 引言　　近年來，光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，提高效率和降低成本成為整個行業(yè)的目標(biāo)。在晶體Si太陽電池的薄片化發(fā)展過程中，出現(xiàn)了許多嚴(yán)重的問題，如碎片、電池片隱裂、表面污染、電極不良等，正是這些缺陷限制了電池的光電
  • 關(guān)鍵字： 電池  缺陷  應(yīng)用  太陽  Si  技術(shù)  檢測  晶體  發(fā)光  

基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

  • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因，對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED  襯底  功率型    

Quamtum-SI DDR3仿真解析

  • Automated DDR3 Analysis

    Quantum-SI 2008.04 automates signal integrity and timing analysis of DDR3 interfaces. Enhancements include new DDR3-specific waveform quality checks and modeling of dynam
  • 關(guān)鍵字： Quamtum-SI  DDR3  仿真    

GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億

  • 　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。 　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
  • 關(guān)鍵字： GaN  MOSFET  

SI-PROG編程器的工作原理及其程序設(shè)計

  • 摘 要：介紹SI-PROG編程器的工作原理，利用PC機串口UART芯片實現(xiàn)單片機的ISP下載。PC機串口8250芯片中SOUT，DTR，RTS，CTS四個引腳的電平可通過其內(nèi)部的幾個寄存器分別進(jìn)行控制或讀取，利用引腳可實現(xiàn)單片機的ISP下栽
  • 關(guān)鍵字： 及其  程序設(shè)計  原理  工作  編程器  SI-PROG  

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
  • 關(guān)鍵字： MMIC  SiC  GaN  襯底    
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