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EV/HEV市場(chǎng)可期 SiC/GaN功率器件步入快車(chē)道

　　根據(jù)Yole Development預(yù)測(cè)，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現(xiàn)更高功率。　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動(dòng)電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報(bào)告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動(dòng)力量之一來(lái)自電動(dòng)車(chē)(EV)與混合動(dòng)力車(chē)(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動(dòng)Si
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高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測(cè)量

　　目前，電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)馬達(dá)的可變速馬達(dá)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進(jìn)化。因?yàn)槭褂昧艘缘碗娮?、高速開(kāi)關(guān)為特點(diǎn)的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應(yīng)用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達(dá)等裝置的開(kāi)發(fā)與測(cè)試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測(cè)量損耗和效率的測(cè)量系統(tǒng)。　　各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時(shí)測(cè)量，利用它們的差和比
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GaN技術(shù)和潛在的EMI影響

　　1月出席DesignCon 2015時(shí)，我有機(jī)會(huì)聽(tīng)到一個(gè)由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專(zhuān)題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進(jìn)行高功率開(kāi)關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測(cè)量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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英飛凌攜高能效增強(qiáng)模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺(tái)組合亮相2015年應(yīng)用電力電子會(huì)議暨展覽會(huì)（APEC）

　　英飛凌科技股份公司今日宣布擴(kuò)充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專(zhuān)為要求超高能效的高性能設(shè)備而優(yōu)化的增強(qiáng)模式和級(jí)聯(lián)模式GaN平臺(tái)，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、移動(dòng)電源等開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費(fèi)電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機(jī)等終端產(chǎn)品市場(chǎng)開(kāi)辟新的機(jī)會(huì)。　　英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結(jié)合公司了所
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂雙雙推出常閉型600VGaN功率器件

　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶(hù)可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開(kāi)關(guān)。迄今為止，沒(méi)有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。　　作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
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TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊

　　近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級(jí)原型機(jī)。此次原型機(jī)由位于四方扁平無(wú)引線(xiàn) (QFN) 封裝內(nèi)的一個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設(shè)計(jì)。如需了解更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。　　全新的LMG5200 GaN FET功率級(jí)原型機(jī)將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場(chǎng)化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應(yīng)用和電信應(yīng)用提供更高的功率密度和效率。　　TI高壓電源
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件

　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶(hù)可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開(kāi)關(guān)。迄今為止，沒(méi)有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。　　作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
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英飛凌和松下聯(lián)合開(kāi)發(fā)GaN技術(shù)

　英飛凌和松下聯(lián)合開(kāi)發(fā)GaN器件，將松下的增強(qiáng)型GaN材料技術(shù)與英飛凌的SMD封裝技術(shù)相結(jié)合。
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GaN在射頻功率領(lǐng)域會(huì)所向披靡嗎？

　　氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會(huì)這樣認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無(wú)論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色!帥呆了! 　　至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN：硅基、碳化硅(S
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一種基于PMM8731和SI-7300的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

1　PMM8713的功能特點(diǎn) PMM8713是日本三洋電機(jī)公司生產(chǎn)的步進(jìn)電機(jī)脈沖分配器。該器件采用DIP16封裝，適用于二相或四相步進(jìn)電機(jī)。PMM8713在控制二相或四相步進(jìn)電機(jī)時(shí)都可選擇三種勵(lì)磁方式(1相勵(lì)磁，2相勵(lì)磁，1-2相勵(lì)磁三種勵(lì)磁方式之一)，每相最小的拉電流和灌電流為20mA，它不但可滿(mǎn)足后級(jí)功率放大器的要求，而且在所有輸入端上均內(nèi)嵌有施密特觸發(fā)電路，抗干擾能力很強(qiáng)，其原理框圖如圖1所示。在PMM8713的內(nèi)部電路中，時(shí)鐘選通部分用于設(shè)定步進(jìn)電機(jī)的正反轉(zhuǎn)脈沖輸入法。PMM8713有兩種脈
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世強(qiáng)啟動(dòng)Silicon Labs 2014創(chuàng)新技術(shù)巡回研討會(huì)

　　由中國(guó)最大本土分銷(xiāo)企業(yè)世強(qiáng)攜手業(yè)界領(lǐng)先的高性能混合信號(hào)IC供應(yīng)商Silicon?Labs舉辦的創(chuàng)新技術(shù)巡回研討會(huì)將于近期全面啟動(dòng)。本次研討會(huì)主要針對(duì)在職研發(fā)工程師，Silicon?Labs的資深技術(shù)專(zhuān)家將親臨現(xiàn)場(chǎng)，帶來(lái)處于創(chuàng)新最前沿的設(shè)計(jì)技術(shù)。　　本次會(huì)議主題涉及：　　1、應(yīng)用全球最節(jié)能的ARM?Cortex?MCU實(shí)現(xiàn)超低功耗設(shè)計(jì)(最低待機(jī)功耗900nA)　　2、100MIPS?的8位MCU創(chuàng)新設(shè)計(jì)與應(yīng)用　　3、使用任意頻點(diǎn)可編程時(shí)鐘縮短產(chǎn)品上市時(shí)間
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NEC斥資1億美元收購(gòu)萬(wàn)向集團(tuán)蓄電系統(tǒng)業(yè)務(wù)

　　3月24日，IT&通信巨頭NEC公司宣布以1億美元收購(gòu)中國(guó)萬(wàn)向集團(tuán)旗下A123Systems公司的蓄電系統(tǒng)集成部門(mén)(A123?Energy?Solutions)，此次世界頂級(jí)蓄電SI和ICT的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，目標(biāo)瞄準(zhǔn)的是全球能源市場(chǎng)。憑借此舉，NEC將成為世界領(lǐng)先的蓄電系統(tǒng)供應(yīng)商，并有助于其實(shí)現(xiàn)全球智慧能源戰(zhàn)略?！　?jù)悉，NEC集團(tuán)將于今年6月成立?“NEC能源解決方案”新公司，通過(guò)整合A123的蓄電系統(tǒng)集成和NEC公司世界領(lǐng)先的信息通信技術(shù)?(ICT)，以及
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導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu)　GaN FET打造高效率開(kāi)關(guān)

為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無(wú)不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場(chǎng)效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
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英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時(shí)尚早

GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來(lái)自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒(méi)到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來(lái)的部分。
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新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)激烈

　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開(kāi)了激烈的開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)。　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開(kāi)發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
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