英飛凌和松下日前簽署一項合作，聯(lián)合開發(fā)GaN器件，該產(chǎn)品是基于松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結合。

　　日前，公司將率先推出600V 70mΩ的樣片，采用DSO封裝。

　　作為下一代重要的半導體技術，GaN越來越受到重視，主要特點是具備高功率密度小尺寸的特點，另一點則是提高能源效率的一大關鍵。

　　一般來說，基于硅上GaN技術的電力設備可用于廣泛的領域，從高電壓的工業(yè)應用，如服務器電源到DC-DC轉(zhuǎn)換的低電壓應用等。

　　IHS預測，GaN功率器件相關市場年復合增長率將超過50%，從如今的1500萬美元至2023年的8億美元。