英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN技術
編者按: 英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN器件,將松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結合。
英飛凌和松下日前簽署一項合作,聯(lián)合開發(fā)GaN器件,該產(chǎn)品是基于松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結合。
本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/270825.htm日前,公司將率先推出600V 70mΩ的樣片,采用DSO封裝。
作為下一代重要的半導體技術,GaN越來越受到重視,主要特點是具備高功率密度小尺寸的特點,另一點則是提高能源效率的一大關鍵。
一般來說,基于硅上GaN技術的電力設備可用于廣泛的領域,從高電壓的工業(yè)應用,如服務器電源到DC-DC轉(zhuǎn)換的低電壓應用等。
IHS預測,GaN功率器件相關市場年復合增長率將超過50%,從如今的1500萬美元至2023年的8億美元。
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