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GaN類功率元件，高耐壓成功率半導(dǎo)體主角

基于PROFIBUS―DP的變頻控制在冷凝水回收中的應(yīng)用

  • PROFIBUS—DP應(yīng)用于對分散冷凝水的回收，通過對冷凝水泵電機的變頻控制，不但組網(wǎng)容易，而且控制精度和控制決策更加簡潔。組網(wǎng)時必須借助于通訊接口卡SI—Pl，通過配置相應(yīng)的軟件，使普通變頻器成為帶有現(xiàn)場總線接口的變頻器。按照鍋爐補水箱極限水位，動態(tài)調(diào)節(jié)各分散處冷凝水的回收流量，使鍋爐補水箱在儲存冷凝水過程中不至于斷流和溢出。
  • 關(guān)鍵字： PROFIBUS&mdash  DP總線  冷凝水回收  SI&mdash  Pl  變頻器  

富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件

  • 　　上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。 　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化
  • 關(guān)鍵字： 富士通  功率器件  GaN  

富士通明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。
  • 關(guān)鍵字： 富士通  功率器  GaN  

功放為智能手機提供最佳效率

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 智能手機  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  

基于Si1000多路無線遙控開關(guān)的設(shè)計

  • 摘要：針對現(xiàn)有遙控電器開關(guān)的節(jié)電性不好、使用壽命短等缺點，文中采用低功耗芯片Si1000，設(shè)計了一種新的可編程無線遙控多路開關(guān)，以實現(xiàn)對多路照明燈的遙控控制。詳細闡述了整個電路的軟硬件設(shè)計，并對其進行了實驗
  • 關(guān)鍵字： Si  多路  無線遙控開關(guān)    

大面積單結(jié)集成型a－Si:H太陽電池的結(jié)構(gòu)與制備的實現(xiàn)

  • 1引言眾所周知，利用太陽能有許多優(yōu)點，光伏發(fā)電將為人類提供主要的能源，但目前來講，要使太陽能發(fā)電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本應(yīng)該是我們追求的最大目標，從目
  • 關(guān)鍵字： 結(jié)構(gòu)  制備  實現(xiàn)  電池  太陽  結(jié)集  成型  Si:H  大面積  

“主流GaN”的發(fā)展和未來

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管  

科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺

  • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
  • 關(guān)鍵字： 科銳  放大器  GaN  

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（一）

  • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源...
  • 關(guān)鍵字： SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻  

硅上GaN LED分析

  • 硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED  分析    

低溫p-Si薄膜的制備研究

  • 引言近年來，有源液晶顯示技術(shù)在液晶顯示產(chǎn)業(yè)和研究領(lǐng)域都獨占鰲頭。在有源液晶顯示技術(shù)中，多晶硅薄膜因高遷移率展現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢，它的器件尺寸小，可以獲得更高的開口率和分辨率；由于遷移率的提高可以將周邊驅(qū)動
  • 關(guān)鍵字： 研究  制備  薄膜  p-Si  低溫  

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

  • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED    

采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

  • 在當今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED    

大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

  • 超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
  • 關(guān)鍵字： LED  GaN  MOSFET  
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