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gan ic 文章 進(jìn)入gan ic技術(shù)社區(qū)
欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定(UVLO)如何保護(hù)半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險(xiǎn)操作的影響。當(dāng)提到電源或電壓驅(qū)動(dòng)要求時(shí),我們經(jīng)常使用簡(jiǎn)化,如“這是一個(gè)3.3 V的微控制器”或“這個(gè)FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒(méi)有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作,而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導(dǎo)電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導(dǎo)性。當(dāng)VDD軌降至2.95V時(shí),接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
- 關(guān)鍵字: 欠電壓閉鎖,UVLO MOSFET,IC
Power Integrations收購(gòu)Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議,收購(gòu)垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開(kāi)發(fā)商O(píng)dyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易預(yù)計(jì)將于2024年7月完成,屆時(shí)Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門(mén)。此次收購(gòu)將為該公司專(zhuān)有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開(kāi)發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列,包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
- 關(guān)鍵字: Power Integrations Odyssey 氮化鎵 GaN
5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨(2)日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù),在不損耗射頻(RF)效能下,可將芯片尺寸縮小逾45%,聯(lián)電表示,此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR,為加速5G世代鋪路,且該制程已獲得多項(xiàng)國(guó)際專(zhuān)利,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示,RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對(duì)頻段數(shù)量需求的不斷增長(zhǎng),聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對(duì)晶圓的鍵合技術(shù),并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題,將裝置中
- 關(guān)鍵字: 5G 聯(lián)電 RFSOI 3D IC
聯(lián)電:3D IC解決方案已獲得客戶(hù)采用,預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)
- 近日,晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì),公布2024年第一季財(cái)報(bào),合并營(yíng)收546.3億元新臺(tái)幣,較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%,較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長(zhǎng)0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%,歸屬母公司凈利104.6億元新臺(tái)幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示,由于電腦領(lǐng)域需求回升,第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(zhǎng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%,成本控管及營(yíng)運(yùn)效率提升,仍維持相對(duì)穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下,特殊制程占總營(yíng)收
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)電 3D IC
Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件
- 近日,Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵(GaN)器件(SiP),與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起,組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了偉詮電子的高頻多模(準(zhǔn)諧振/谷底開(kāi)關(guān))反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件(WT7162RHUG24A)相同,兩
- 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體 氮化鎵 GaN
如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲
- 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
- 關(guān)鍵字: 3D-IC
2026年,中國(guó)大陸IC晶圓產(chǎn)能將躍居全球第一
- 根據(jù)Knometa Research的數(shù)據(jù)顯示,2026年,中國(guó)大陸將超越韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣,成為IC晶圓產(chǎn)能的領(lǐng)先地區(qū),而歐洲的份額將繼續(xù)下降。中國(guó)大陸一直在領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的芯片制造能力上進(jìn)行大量投資,并將從除美洲以外的所有其他地區(qū)獲取市場(chǎng)份額。此外,KnometaResearch預(yù)計(jì),2024年全球IC晶圓產(chǎn)能年增長(zhǎng)率為4.5%,2025年和2026年增長(zhǎng)率分別為8.2%和8.9%。截至2023年底,中國(guó)大陸在全球晶圓月產(chǎn)能中的份額為19.1%,落后韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣幾個(gè)百分點(diǎn)。預(yù)計(jì)到2025年,中國(guó)大陸的產(chǎn)能份額
- 關(guān)鍵字: IC 晶圓 半導(dǎo)體市場(chǎng)
GaN FET讓您實(shí)現(xiàn)高性能D類(lèi)音頻放大器
- D類(lèi)音頻放大器參考設(shè)計(jì)(EPC9192)讓模塊化設(shè)計(jì)具有高功率和高效,從而可實(shí)現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計(jì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類(lèi)音頻放大器,于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計(jì)中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢(shì),在4Ω負(fù)載時(shí),每聲道輸出功率達(dá)700 W。EPC9192是可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計(jì),其主板配有兩個(gè)PWM調(diào)制器和兩個(gè)半橋功率級(jí)子板,實(shí)現(xiàn)具備輔助管理電源和保護(hù)功能的雙通道放大器。這種設(shè)計(jì)的靈活性高,使
- 關(guān)鍵字: GaN FET D類(lèi)音頻放大器
氮化鎵器件讓您實(shí)現(xiàn)具成本效益的電動(dòng)自行車(chē)、無(wú)人機(jī)和機(jī)器人
- 基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9193)讓您實(shí)現(xiàn)具有更高性能的電機(jī)系統(tǒng),其續(xù)航里程更長(zhǎng)、精度更高、扭矩更大,而且同時(shí)降低了系統(tǒng)的總成本。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)近日宣布推出EPC9193,它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器,具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置,分別為標(biāo)準(zhǔn)和高電流版本:●? ?EPC9193 是標(biāo)準(zhǔn)參考設(shè)計(jì),在每個(gè)開(kāi)關(guān)位置使用單個(gè)FET,可提供高達(dá)30ARMS 的最大輸出電流。●? ?EPC91
- 關(guān)鍵字: 氮化鎵器件 電動(dòng)自行車(chē) 無(wú)人機(jī) 機(jī)器人 EPC GaN 宜普
GaN引領(lǐng)未來(lái)寬帶功率放大器——Qorvo TGA2962
- Qorvo是一家在射頻解決方案領(lǐng)域具有顯著影響力的美國(guó)公司。它通過(guò)提供創(chuàng)新的射頻技術(shù),為移動(dòng)、基礎(chǔ)設(shè)施與國(guó)防/航空航天市場(chǎng)提供核心技術(shù)及解決方案,致力于實(shí)現(xiàn)全球互聯(lián)。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開(kāi)關(guān)、調(diào)諧器等領(lǐng)域都展現(xiàn)出了強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商,其產(chǎn)品在市場(chǎng)上具有較高的認(rèn)可度和廣泛的應(yīng)用。這使得Qorvo在推動(dòng)5G網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。在Qorvo所擅長(zhǎng)的寬帶功率放大器領(lǐng)域之中,GaN材料展露出了重要的應(yīng)用潛力。由于
- 關(guān)鍵字: Qorvo GaN 寬帶功率放大器
納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)
- 唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展,邀請(qǐng)觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造,象征著全電氣化未來(lái)的“納微芯球”展臺(tái)。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案,包括:●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
- 關(guān)鍵字: 納微半導(dǎo)體 亞洲充電展 GaN+SiC 快充
英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本
- 英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作,共同利用氮化鎵(GaN)降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導(dǎo)體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后,該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小,系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外,英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計(jì),進(jìn)一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示:“英飛凌高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和穩(wěn)固的供應(yīng)鏈為我們提供了
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 Worksport 氮化鎵 GaN 便攜式發(fā)電站
EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET
- 全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET,與EPC的上一代產(chǎn)品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐熱QFN封裝,頂部裸露,封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
- 關(guān)鍵字: EPC 1mΩ 導(dǎo)通電阻 GaN FET
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)gan ic的理解,并與今后在此搜索gan ic的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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