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10億元一臺(tái)EUV光刻機(jī)！芯片產(chǎn)能數(shù)量曝光：夠華為手機(jī)用嗎？

  • 相信大家都知道，在前幾天，ASML重磅官宣了一條大新聞，正式在中國(guó)寶島臺(tái)灣建設(shè)了第一家海外培訓(xùn)中心—亞洲培訓(xùn)中心，這家培訓(xùn)中心標(biāo)配了14名培訓(xùn)技師，一年大約可以培養(yǎng)超過(guò)360名EUV光刻機(jī)操作工程師，能夠讓芯片生產(chǎn)加工企業(yè)更好的掌握和使用EUV光刻機(jī)，從而可以進(jìn)一步提高5nm/3nm芯片的良品率，其實(shí)ASML在臺(tái)灣建設(shè)這座亞洲培訓(xùn)中心，最大的目的就是為了直接幫助臺(tái)積電培養(yǎng)更多的光刻機(jī)操作工程師，因?yàn)樵谶^(guò)去兩年時(shí)間里，ASML一共售賣(mài)了57臺(tái)EUV光刻機(jī)產(chǎn)品，其中臺(tái)積電就購(gòu)得了30臺(tái)，占據(jù)著絕大部分的份額，
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臺(tái)積電：5nm EUV工藝已在量產(chǎn)、明年推出增強(qiáng)版

  • 24日，臺(tái)積電舉辦了第26屆技術(shù)研討會(huì)，并披露了旗下最新工藝制程情況。按照臺(tái)積電的說(shuō)法，5nm工藝規(guī)劃了兩代，分別是N5和N5P。其中N5確定引入EUV（極紫外光刻）技術(shù)，并且已經(jīng)在大規(guī)模量產(chǎn)之中。相較于N7，N5的功耗降低了30%、性能提升了15%，邏輯器件密度是之前的1.8倍。N5P作為改良版，仍在開(kāi)發(fā)中，規(guī)劃2021年量產(chǎn)，相較于第一代5nm，功耗進(jìn)一步降低10%、性能提升5%，據(jù)稱(chēng)面向高性能計(jì)算平臺(tái)做了優(yōu)化。據(jù)手頭資料，臺(tái)積電的5nm有望應(yīng)用在蘋(píng)果A14芯片（包括Apple Silicon PC處
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臺(tái)積電采購(gòu)30臺(tái)EUV光刻機(jī)沖刺7/5nm，ASML就近設(shè)立培訓(xùn)中心

  • 臺(tái)積電在高端制程技術(shù)上沖鋒陷陣，已經(jīng)成為光刻機(jī)龍頭 ASML 在 EUV 機(jī)臺(tái)上的最大采購(gòu)客戶，累計(jì)已經(jīng)購(gòu)買(mǎi)了 30 臺(tái) EUV 設(shè)備。日前，ASML 繼在韓國(guó)成立 EUV 技術(shù)培訓(xùn)中心后，也在臺(tái)積電先進(jìn)制程的重鎮(zhèn)臺(tái)灣臺(tái)南，成立 EUV 技術(shù)培訓(xùn)中心。一臺(tái)EUV系統(tǒng)需要50個(gè)工程師操作一臺(tái)造價(jià)逾一億歐元的精密 EUV 系統(tǒng)，重量高達(dá) 180&nbs
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Intel/臺(tái)積電/ASML齊捧EUV光刻：捍衛(wèi)摩爾定律

  • 日前，中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)（CSTIC）在上海開(kāi)幕，為期19天，本次會(huì)議重點(diǎn)是探討先進(jìn)制造和封裝。其中，光刻機(jī)一哥ASML（阿斯麥）的研發(fā)副總裁Anthony Yen表示，EUV光刻工具是目前唯一能夠處理7nm和更先進(jìn)工藝的設(shè)備，EUV技術(shù)已經(jīng)被廣泛認(rèn)為是突破摩爾定律瓶頸的關(guān)鍵因素之一。Yen援引統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，截至2019年第四季度，ASML當(dāng)年共售出53臺(tái)EUV NXE：3400系列EUV光刻機(jī)，使用EUV機(jī)器制造的芯片產(chǎn)量已經(jīng)達(dá)到1000萬(wàn)片。他說(shuō)，EUV已經(jīng)成為制造7nm、5nm和3nm邏輯集成電
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華為、蘋(píng)果7/5nm需求大 臺(tái)積電狂加EUV訂單

  • 2020年因?yàn)槿蚪?jīng)濟(jì)的問(wèn)題，本來(lái)電子行業(yè)會(huì)下滑，但是晶圓代工場(chǎng)合不降反升，臺(tái)積電Q1季度營(yíng)收大漲了30%，牢牢坐穩(wěn)了全球晶圓代工一哥的位置。由于華為、蘋(píng)果等公司的7nm及5nm工藝需求大，臺(tái)積電目前正在瘋狂增加EUV產(chǎn)能。臺(tái)積電2018年量產(chǎn)了7nm工藝，不過(guò)第一代7nm沒(méi)有EUV工藝加持，2019年的7nm EUV工藝才由華為的麒麟990 5G處理器首發(fā)，而今年的5nm工藝則會(huì)全面上馬EUV工藝。根據(jù)臺(tái)積電之前公布的數(shù)據(jù)，7nm及7nm EUV工藝目前每月的產(chǎn)能達(dá)到了11萬(wàn)片晶圓/月，而5nm工藝的月
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三星新建5nm晶圓廠：先進(jìn)EUV技術(shù) 2021年投產(chǎn)

  • 隨著時(shí)間邁入2020年中，以臺(tái)積電和三星為代表的芯片半導(dǎo)體也從7nm逐步向5nm進(jìn)發(fā)，實(shí)際上麒麟1020和蘋(píng)果A14芯片就是基于臺(tái)積電5nm工藝，表現(xiàn)相較7nm將會(huì)更上一層樓。很明顯在7nm時(shí)代，三星是落后于臺(tái)積電的，不過(guò)這家巨頭似乎想在5nm時(shí)代彎道超車(chē)，近日據(jù)媒體報(bào)道，三星宣布將于漢城南部的平澤市建造全新的5nm晶圓廠。該工廠是三星在韓國(guó)國(guó)內(nèi)的第六條晶圓代工產(chǎn)線，將應(yīng)用先進(jìn)的極紫外光微影（ExtremeUltravioletlithography，EUV）制程技術(shù)，拿7nmEUV工藝對(duì)比，三星5nmE
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EUV光刻機(jī)斷貨 臺(tái)積電5nm工藝搶三星頭彩：A14/麒麟1020首發(fā)

  • 臺(tái)積電上周發(fā)布了3月及Q1季度財(cái)報(bào),營(yíng)收同比大漲了42%,淡季不淡。不過(guò)接下來(lái)的日子半導(dǎo)體行業(yè)可能不太好過(guò)了,ASML的EUV光刻機(jī)已經(jīng)斷貨,要延期交付,好在臺(tái)積電今年已經(jīng)在5nm工藝上搶先三星了。根據(jù)ASML之前的報(bào)告,3月底他們下調(diào)了1季度營(yíng)收預(yù)期到24-25億美元,差不多減少了1/4左右的營(yíng)收,毛利率也下滑到了45-46%之間。此外,ASML的EUV光刻機(jī)也因?yàn)榉N種原因斷貨了,雖然訂單沒(méi)有取消,但是交付要延期了,三星、臺(tái)積電今年都不太容易快速擴(kuò)張EUV產(chǎn)能。不過(guò)臺(tái)積電在這次危機(jī)中更有優(yōu)勢(shì)地位,他們包
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三星首次將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

  • 據(jù)ZDnet報(bào)道，三星宣布，已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
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三星率先為DRAM芯片導(dǎo)入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規(guī)模量產(chǎn)

  • 當(dāng)前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國(guó)巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬(wàn)第一代10nm EUV級(jí)（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評(píng)估，這為今后高端PC、手機(jī)、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復(fù)步驟，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級(jí)（D1a）DRAM或高端級(jí)14nm級(jí)DRAM開(kāi)始全面導(dǎo)入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預(yù)計(jì)會(huì)使12
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引入EUV技術(shù)的6nm，才是真正的6nm

  • 只有引入EUV技術(shù)的6nm才是真正的6nm，而這項(xiàng)技術(shù)也將伴隨未來(lái)可能的5nm、4nm、3nm、2nm、1nm一路
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泛林集團(tuán)發(fā)布應(yīng)用于EUV光刻的技術(shù)突破

  • 近日，泛林集團(tuán)發(fā)布了一項(xiàng)用于EUV光刻圖形化的干膜光刻膠技術(shù)。泛林集團(tuán)研發(fā)的這項(xiàng)全新的干膜光刻膠技術(shù)，結(jié)合了泛林集團(tuán)在沉積、刻蝕工藝上的領(lǐng)導(dǎo)地位及其與阿斯麥?(ASML) 和比利時(shí)微電子研究中心?(imec)?戰(zhàn)略合作的成果，它將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率。泛林集團(tuán)的干膜光刻膠解決方案提供了顯著的EUV光敏性和分辨率優(yōu)勢(shì)，從而優(yōu)化了單次EUV光刻晶圓的總成本。由于領(lǐng)先的芯片制造商已開(kāi)始將EUV光刻系統(tǒng)應(yīng)用于大規(guī)模量產(chǎn)，進(jìn)一步提升生產(chǎn)率和分辨率將幫助他們以更合理
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泛林集團(tuán)在提高EUV光刻分辨率、生產(chǎn)率和良率取得技術(shù)突破

  • 泛林集團(tuán)與阿斯麥 (ASML) 和比利時(shí)微電子研究中心 (imec) 共同研發(fā)的全新干膜光刻膠技術(shù)將有助于提高EUV光刻的分辨率、生產(chǎn)率和良率。
  • 關(guān)鍵字： 泛林  EUV  干膜光刻膠技術(shù)  

2021年ASML將推下一代EUV光刻機(jī) 面向2nm、1nm工藝

  • 作為全球唯一能生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的公司,荷蘭ASML公司去年出售了26臺(tái)EUV光刻機(jī),主要用于臺(tái)積電、三星的7nm及今年開(kāi)始量產(chǎn)的5nm工藝,預(yù)計(jì)今年出貨35臺(tái)EUV光刻機(jī)。目前ASML出貨的光刻機(jī)主要是NXE:3400B及改進(jìn)型的NXE:3400C,兩者基本結(jié)構(gòu)相同,但NXE:3400C采用模塊化設(shè)計(jì),維護(hù)更加便捷,平均維修時(shí)間將從48小時(shí)縮短到8-10小時(shí),支持7nm、5nm。此外,NXE:3400C的產(chǎn)能也從之前的125WPH(每小時(shí)處理晶圓數(shù))提升到了175WPH。不論NXE:3400B還是NXE:
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麒麟820處理器要來(lái),6納米+EUV工藝,手有技術(shù)氣自華!

  • hello,大家好,歡迎來(lái)到阿洛伊科技華為將于2月24日21:00舉行在線新品發(fā)布會(huì)。在疫情爆發(fā)期間,手機(jī)制造商選擇在網(wǎng)上舉行發(fā)布會(huì)。據(jù)悉,此次發(fā)布會(huì)的主題是“共同未來(lái)”。從海報(bào)上看,本次大會(huì)將涵蓋多個(gè)類(lèi)別,包括折疊手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、智能手表、智能家居等,不過(guò),據(jù)媒體透露,本次大會(huì)將會(huì)有一個(gè)驚喜,即將發(fā)布最新的旗艦SOC麒麟820處理器。與上一代麒麟810相比,該處理器有哪些升級(jí)?讓我們看看。麒麟820處理器將采用cortex A76架構(gòu)。不采用最新的cortex a77架構(gòu)的主要原因是,ARM
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臺(tái)積電遇強(qiáng)大對(duì)手!6nm、7nm EUV開(kāi)啟全面量產(chǎn),中國(guó)仍需努力!

  • 告別了諾基亞、HTC、黑莓等手機(jī),目前的智能手機(jī)陣營(yíng)也就是安卓和蘋(píng)果,而智能手機(jī)儼然就是人們的第二個(gè)精神生命,手機(jī)不離手已經(jīng)成為了一種現(xiàn)象,但是對(duì)于智能手機(jī)來(lái)說(shuō),除了軟件以外,最重要最核心的就是手機(jī)芯片了!但是在全世界來(lái)說(shuō),能夠生產(chǎn)高端芯片的廠商少之又少,主要還是因?yàn)榧{米級(jí)制程工藝的技術(shù)壁壘,誰(shuí)能夠率先突破制程工藝,誰(shuí)都將會(huì)在半導(dǎo)體芯片上拔得頭籌,對(duì)于中國(guó)來(lái)說(shuō),這一塊仍然非常的滯后,當(dāng)然了如果說(shuō)臺(tái)積電也是中國(guó)的話,那么中國(guó)其實(shí)還是領(lǐng)先的!但是畢竟臺(tái)積電一直以來(lái)是中國(guó)臺(tái)灣企業(yè),但其實(shí)其也一直受限于美國(guó)的政策
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