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AmpereOne-3 芯片明年亮相：256核，支持 PCIe 6.0 和 DDR5

  • 4 月 27 日消息，Ampere Computing 公司首席產(chǎn)品官 Jeff Wittich 近日接受采訪時(shí)表示，將于今年晚些時(shí)候推出 AmpereOne-2，配備 12 個(gè)內(nèi)存通道，改進(jìn)性能的 A2 核心。AmpereOne-2 的 DDR5 內(nèi)存控制器數(shù)量將增加 33%，內(nèi)存帶寬將增加多達(dá) 50%。此外該公司目前正在研究第三代芯片 AmpereOne-3 ，計(jì)劃在 2025 年發(fā)布，擁有 256 個(gè)核心，采用臺(tái)積電的 3nm（3N）工藝蝕刻。附上路線圖如下：AmpereOne-3 將采用改進(jìn)后的
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SK海力士計(jì)劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地

  • 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應(yīng)對(duì)AI半導(dǎo)體需求的急劇增長(zhǎng)，計(jì)劃擴(kuò)大AI基礎(chǔ)設(shè)施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示，若理事會(huì)批準(zhǔn)該計(jì)劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產(chǎn)基地，并投資5.3萬億韓元用于建設(shè)新工廠。該工廠計(jì)劃于4月底開始建設(shè)，目標(biāo)是在2025年11月完工，并進(jìn)行早期批量生產(chǎn)。隨著設(shè)備投資的逐步增加，新生產(chǎn)基地的長(zhǎng)期總投資將超過20萬億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
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存儲(chǔ)大廠技術(shù)之爭(zhēng)愈演愈烈

  • AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用催生海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)需求，也對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)提出了更高要求，這一背景下，存儲(chǔ)大廠技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數(shù)突破。近期，韓媒報(bào)道，三星電子預(yù)計(jì)將于本月晚些時(shí)候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu)，層數(shù)將達(dá)到290層。另據(jù)業(yè)界預(yù)測(cè)，三星未來第十代V-NAND層數(shù)有望達(dá)到430層，屆時(shí)三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。而更遙遠(yuǎn)的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計(jì)劃2030年
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美光：預(yù)計(jì)臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)本季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成中等個(gè)位數(shù)百分比影響

  • IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國(guó)證券交易委員會(huì) SEC 遞交 8-K 重大事項(xiàng)公告，預(yù)計(jì)本月初的臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)其二季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成“中等個(gè)位數(shù)百分比”的影響。美光在臺(tái)灣地區(qū)設(shè)有桃園和臺(tái)中兩座生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢此前報(bào)告，地震導(dǎo)致當(dāng)時(shí)桃園產(chǎn)線上超六成的晶圓報(bào)廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無恙，設(shè)施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害，長(zhǎng)期 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)能力也沒有遇到影響。直至公告發(fā)稿時(shí)，美光尚未在震后全面恢復(fù) DRAM 生產(chǎn)，但得
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3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)

  • 在 AI 服務(wù)器中，內(nèi)存帶寬問題越來越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對(duì)于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲(chǔ)墻」問題，但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
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加注西安工廠 美光期待引領(lǐng)創(chuàng)芯長(zhǎng)安

  • 怎么證明企業(yè)對(duì)某個(gè)市場(chǎng)的未來充滿信心？頻繁來華喊口號(hào)還是推定制芯片？一邊提升銷售預(yù)期一邊減少研發(fā)團(tuán)隊(duì)？或者是縮減產(chǎn)能加大宣傳力度？商業(yè)行為還真是要靠真金白銀才能體現(xiàn)誠意，對(duì)中國(guó)市場(chǎng)最有信心的表示當(dāng)然是加大中國(guó)市場(chǎng)的投資力度。 3月27日，美光科技舉辦了新廠房動(dòng)工奠基儀式，宣告2023年6月公布的美光西安工廠價(jià)值43億元人民幣的擴(kuò)建工程正式破土動(dòng)工，該項(xiàng)目是2020年以來國(guó)外半導(dǎo)體企業(yè)在國(guó)內(nèi)最大的工廠投資建設(shè)工程。據(jù)悉，這個(gè)項(xiàng)目除了加建新廠房，還會(huì)引入全新產(chǎn)線，制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案，例如移動(dòng)DRAM、N
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三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

  • IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報(bào)道，三星電子否認(rèn)了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個(gè)流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時(shí)用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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又一存儲(chǔ)大廠DRAM考慮采用MUF技術(shù)

  • 韓國(guó)媒體 TheElec報(bào)道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測(cè)試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲(chǔ)器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導(dǎo)體上打上數(shù)千個(gè)微小的孔，然后將上下層半導(dǎo)體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導(dǎo)體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個(gè)半導(dǎo)體牢固地固定并連接起來。而經(jīng)過測(cè)試后獲得的結(jié)論，MUF 不適用于高頻寬存儲(chǔ)器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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三星發(fā)布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，滿足人工智能時(shí)代的更高要求

  • 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。                                                      &n
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

  • 從目前公開的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來內(nèi)存市場(chǎng)的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲(chǔ)位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
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美光內(nèi)存與存儲(chǔ)是實(shí)現(xiàn)數(shù)字孿生的理想之選

  • 據(jù) IDC 預(yù)測(cè)，從 2021 年到 2027 年，作為數(shù)字孿生的新型物理資產(chǎn)和流程建模的數(shù)量將從 5% 增加到 60%。盡管將資產(chǎn)行為中的關(guān)鍵要素?cái)?shù)字化并非一種全新概念，但數(shù)字孿生技術(shù)從精確傳感到實(shí)時(shí)計(jì)算，再到將海量數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)為深度洞察，從多方面進(jìn)一步推動(dòng)了設(shè)備和運(yùn)營(yíng)系統(tǒng)優(yōu)化，從而實(shí)現(xiàn)擴(kuò)大規(guī)模并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。此外，啟用人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí) (AI/ML) 模型將有助于提高流程效率、減少產(chǎn)品缺陷，實(shí)現(xiàn)出色的整體設(shè)備效率 (OEE)。當(dāng)我們了解了上述需求的復(fù)雜性和面臨的挑戰(zhàn)，就能意識(shí)到內(nèi)存與存儲(chǔ)對(duì)于實(shí)現(xiàn)數(shù)字孿
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消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片

  • 2 月 5 日消息，據(jù)報(bào)道，三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路峰會(huì)上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內(nèi)存（將在高密度內(nèi)存和接口會(huì)議上亮相），這家韓國(guó)科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)開發(fā)，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒有提供太多關(guān)于將在峰會(huì)上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達(dá)每個(gè)引
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三星新設(shè)內(nèi)存研發(fā)機(jī)構(gòu)：建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢(shì)

  • 三星稱其已經(jīng)在美國(guó)硅谷開設(shè)了一個(gè)新的內(nèi)存研發(fā)（R&D）機(jī)構(gòu)，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。該機(jī)構(gòu)將在設(shè)備解決方案部門美國(guó)分部（DSA）的硅谷總部之下運(yùn)營(yíng)，由三星設(shè)備解決方案部門首席技術(shù)官、半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)的主管Song Jae-hyeok領(lǐng)導(dǎo)。全球最大的DRAM制造商自1993年市場(chǎng)份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場(chǎng)份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發(fā)新的技術(shù)、新的產(chǎn)品，以保持他們?cè)谶@一領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
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存儲(chǔ)器廠憂DRAM漲勢(shì)受阻

  • 韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士透露，因市況好轉(zhuǎn)，考慮在第一季增產(chǎn)部分特殊DRAM，市場(chǎng)擔(dān)心稼動(dòng)率回升，破壞以往存儲(chǔ)器大廠減產(chǎn)提價(jià)共識(shí)，恐不利后續(xù)DRAM漲勢(shì)。觀察16日存儲(chǔ)器族群股價(jià)，包括鈺創(chuàng)、華邦電、南亞科、點(diǎn)序、十銓、品安、晶豪科等，股價(jià)跌幅逾2％，表現(xiàn)較大盤弱勢(shì)。惟業(yè)界人士認(rèn)為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產(chǎn)能，多往1-alpha／beta先進(jìn)制程升級(jí)，以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）需求，預(yù)期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢(shì)。SK海力士執(zhí)行長(zhǎng)郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費(fèi)性電子
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大廠有意擴(kuò)產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存

  • 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確，包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司，去年12月營(yíng)收呈現(xiàn)月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價(jià)續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計(jì)劃階段性擴(kuò)產(chǎn)，為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度，NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對(duì)內(nèi)存大廠有意擴(kuò)產(chǎn)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商則認(rèn)為，海力士擴(kuò)廠應(yīng)集中在DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品為主，因?yàn)榕_(tái)灣目前產(chǎn)品主攻DDR4，不致影響產(chǎn)品報(bào)價(jià)。TrendForc
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ddr5 dram介紹

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