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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
海力士完成業(yè)界首個(gè) 1bnm DDR5 服務(wù)器 DRAM 兼容性驗(yàn)證流程
- IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了 1bnm 的開(kāi)發(fā)，這是 10 納米工藝技術(shù)的第五代，并對(duì)針對(duì)英特爾至強(qiáng)處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內(nèi)存程序進(jìn)行驗(yàn)證。海力士的 DRAM 開(kāi)發(fā)主管 Jonghwan Kim 說(shuō)，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。英特爾內(nèi)存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內(nèi)存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內(nèi)存在英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個(gè)針對(duì)
- 關(guān)鍵字： 海力士 DDR5
韓媒：三星已組建開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM
- 5月26日，韓國(guó)媒體The Elec引用知情人士消息稱(chēng)，三星電子近日在其半導(dǎo)體研究中心內(nèi)組建了一個(gè)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，以量產(chǎn)4F2結(jié)構(gòu)DRAM。4F2結(jié)構(gòu)DRAM能夠大大提高DRAM的存儲(chǔ)密度，方便研究團(tuán)隊(duì)克服DRAM線(xiàn)寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。報(bào)道稱(chēng)，如果三星4F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)研究成功，在不改變節(jié)點(diǎn)的情況下，與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結(jié)構(gòu)是大約10年前DRAM產(chǎn)業(yè)未能商業(yè)化的單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，據(jù)說(shuō)工藝難點(diǎn)頗多。不過(guò)三星認(rèn)為，與SK海力士和美
- 關(guān)鍵字： 三星 4F2結(jié)構(gòu) DRAM
不改變工藝讓芯片面積減少 30%，三星組建團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā) 4F2 DRAM
- IT之家 5 月 26 日消息，根據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)道，三星組建了一支專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)，負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā) 4F2 DRAM 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。相比較現(xiàn)有的 6F2 級(jí)別，在不改變工藝節(jié)點(diǎn)的情況下，芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。三星組建了專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)，研發(fā) 4F2 結(jié)構(gòu)。IT之家從韓媒報(bào)道中獲悉，晶體管根據(jù)電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統(tǒng)。在漏極（D）上方安裝一個(gè)
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DRAM一季營(yíng)收環(huán)比下降21.2%，連續(xù)三個(gè)季度衰退
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約96.6億美元，環(huán)比下降21.2%，已續(xù)跌三個(gè)季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷(xiāo)售單價(jià)三大原廠均下跌。目前因供過(guò)于求尚未改善，價(jià)格依舊續(xù)跌，然而在原廠陸續(xù)減產(chǎn)后，DRAM下半年價(jià)格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季，雖出貨量增加，但因價(jià)格跌幅仍深，預(yù)期營(yíng)收成長(zhǎng)幅度有限。營(yíng)收方面，三大原廠營(yíng)收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新機(jī)備貨訂單有限，出貨量與平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）同步下跌，營(yíng)收約41.7億美元，環(huán)比下降24.7%。
- 關(guān)鍵字： DRAM TrendForce
需求好轉(zhuǎn)？?jī)杉掖鎯?chǔ)廠商部分應(yīng)用領(lǐng)域出現(xiàn)急單
- 受消費(fèi)電子市場(chǎng)需求疲弱影響，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)2022年下半年以來(lái)持續(xù)“過(guò)冬”，加上今年一季度為市場(chǎng)淡季，供過(guò)于求關(guān)系下，產(chǎn)業(yè)庫(kù)存高企。第二季度存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)市況如何？未來(lái)是否將有所好轉(zhuǎn)？近期，南亞科、華邦電兩家存儲(chǔ)廠商對(duì)此進(jìn)行了回應(yīng)。南亞科：庫(kù)存逐步去化，部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單近期，媒體報(bào)道，DRAM廠商南亞科表示，今年一季度是產(chǎn)業(yè)庫(kù)存高點(diǎn)，在需求與供應(yīng)端改善下，庫(kù)存正逐步去化，預(yù)期本季DRAM市況有望落底，公司在部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單。為滿(mǎn)足市場(chǎng)應(yīng)用需求趨勢(shì)，南亞科持續(xù)開(kāi)發(fā)高速與低功耗產(chǎn)品，在技術(shù)推進(jìn)上，20納米產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)廠商 DRAM
三星電子宣布12納米級(jí) DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)
- 今日，三星電子宣布其采用12納米級(jí)工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進(jìn)的12 納米級(jí)DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開(kāi)拓DRAM市場(chǎng)的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M(mǎn)足計(jì)算市場(chǎng)對(duì)大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過(guò)商業(yè)化的下一代
- 關(guān)鍵字： 三星電子 12納米 DDR5 DRAM
功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%，三星開(kāi)始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM
- IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開(kāi)發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規(guī)模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲(chǔ)芯片行業(yè)當(dāng)前正處于低谷期，三星通過(guò)量產(chǎn) 12nm 的 DRAM，希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個(gè)晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數(shù)據(jù)中
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三星電子研發(fā)出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM
- 三星電子今日宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時(shí)，三星與英特爾密切合作，在英特爾?至強(qiáng)?平臺(tái)上取得了具有里程碑意義的進(jìn)展。繼2022年五月，三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內(nèi)存擴(kuò)展器）后，又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，預(yù)計(jì)將加速下一代存儲(chǔ)解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達(dá)每秒35GB的帶寬?？蓴U(kuò)展內(nèi)存（Memory Expander）“作
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三星、美光等推動(dòng)普及，DDR5正進(jìn)入放量期
- 在行業(yè)下行周期時(shí)，新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生往往會(huì)成為振奮市場(chǎng)的關(guān)鍵點(diǎn)。當(dāng)下DDR5 DRAM作為存儲(chǔ)領(lǐng)域的新產(chǎn)品，逐漸成為各大企業(yè)競(jìng)逐的焦點(diǎn)。據(jù)外媒消息報(bào)道，行業(yè)專(zhuān)家認(rèn)為三星、美光等公司正大力推動(dòng)DDR5內(nèi)存普及，以此遏制半導(dǎo)體市場(chǎng)下滑的趨勢(shì)。公開(kāi)資料顯示，DDR5 DRAM是聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM規(guī)范，其性能比DDR4 DRAM高了一倍。據(jù)悉，為了更高的密度和更高的性能，DDR5有望采用最先進(jìn)的DRAM單元技術(shù)節(jié)點(diǎn)，例如D1z或D1a (D1α)代，這是1
- 關(guān)鍵字： 三星 美光 DDR5
DDR5服務(wù)器DRAM價(jià) Q2跌幅料收斂
- 服務(wù)器新平臺(tái)英特爾Sapphire Rapids與超威Genoa機(jī)種量產(chǎn)在即，但近期市場(chǎng)上傳出服務(wù)器DDR5 RDIMM的電源管理IC匹配性問(wèn)題。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技（Trendforce）認(rèn)為，該情況將產(chǎn)生兩種影響，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對(duì)芯源的采購(gòu)比重，另外內(nèi)存將停留在舊制程，因此預(yù)估第二季DDR5服務(wù)器DRAM價(jià)格跌幅將收斂。 首先，由于僅MPS（芯源系統(tǒng)）供應(yīng)的電源管理IC無(wú)狀況，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對(duì)芯源的采購(gòu)比重。其次，目前原廠DDR5服務(wù)器DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程，短期內(nèi)供給量難
- 關(guān)鍵字： DDR5 服務(wù)器DRAM Trendforce
Server DDR5 RDIMM傳PMIC問(wèn)題，供給受限跌幅將收斂
- 服務(wù)器新平臺(tái)Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa機(jī)種量產(chǎn)在即，但近期市場(chǎng)上傳出Server DDR5 RDIMM的PMIC匹配性問(wèn)題，目前DRAM原廠與PMIC廠商均已著手處理。TrendForce集邦咨詢(xún)認(rèn)為，該情況將產(chǎn)生兩種影響，首先，由于僅MPS（芯源系統(tǒng)）供應(yīng)的PMIC無(wú)狀況，DRAM原廠短期內(nèi)將同步提升對(duì)芯源的采購(gòu)比重。其次，目前原廠DDR5 Server DRAM生產(chǎn)仍停留在舊制程，短期內(nèi)供給量難免受此事件影響，故預(yù)估第二季DDR5 Server DRAM
- 關(guān)鍵字： Server DDR5 RDIMM PMIC
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