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潛力無(wú)限的汽車存儲(chǔ)芯片

  • 　　隨著智能化、電動(dòng)化浪潮的推進(jìn)，汽車芯片的含量成倍提升，電動(dòng)車半導(dǎo)體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長(zhǎng)為1285億顆。價(jià)值增量端，2020年汽車芯片價(jià)值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢?jiàn)芯片將成為汽車新利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)，有望成為引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展新驅(qū)動(dòng)力?！　∑囆酒瑥膽?yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲(chǔ)芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲(chǔ)芯片為例，2022年全球汽車存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約52億美元，國(guó)內(nèi)汽車存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模
  • 關(guān)鍵字： 北京君正  兆易創(chuàng)新  DRAM  NAND  

美光面向數(shù)據(jù)中心客戶推出 DDR5 服務(wù)器 DRAM， 推動(dòng)下一代服務(wù)器平臺(tái)發(fā)展

  • 關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)：● 隨著 CPU 內(nèi)核數(shù)量不斷增加，改進(jìn)后的內(nèi)存架構(gòu)相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍，進(jìn)而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達(dá) 64GB 的模組容量，能夠支持內(nèi)存密集型工作負(fù)載[4]● DDR5 的創(chuàng)新架構(gòu)改進(jìn)和模組內(nèi)建電源管理功能，有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運(yùn)行性能 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
  • 關(guān)鍵字： 美光  數(shù)據(jù)中心  DRAM  DDR5  

中國(guó)DRAM和NAND存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國(guó)嗎?

  • 近日，韓國(guó)進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟(jì)研究所（OERI）推算，韓國(guó)和中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國(guó)DRAM制造企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2022年將推進(jìn)第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國(guó)企業(yè)計(jì)劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國(guó)之間的技術(shù)差距超過(guò)5年。據(jù)該研究院推測(cè)，在NAND閃存領(lǐng)域，中國(guó)與韓國(guó)的技術(shù)差距約為2年。中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

中國(guó)SSD行業(yè)企業(yè)勢(shì)力全景圖

  • 全球范圍看，2021-2023年存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達(dá)到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場(chǎng)規(guī)模約占56%，NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì)，2021年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1620億美元，增長(zhǎng)29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)主要被韓國(guó)、歐美以及
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)芯片  DRAM  NAND Flash  

2022半導(dǎo)體儲(chǔ)存器市場(chǎng)調(diào)研 半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析

  • 　　國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)市場(chǎng)前景及現(xiàn)狀如何?半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的分支：半導(dǎo)體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據(jù)功能的不同，集成電路又可以分為存儲(chǔ)器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細(xì)分領(lǐng)域。2022半導(dǎo)體儲(chǔ)存器市場(chǎng)調(diào)研半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析　　國(guó)內(nèi)開(kāi)始布局存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)規(guī)?；?，中國(guó)大陸的存儲(chǔ)器公司陸續(xù)成立，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進(jìn)展。在半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的大趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器行業(yè)有望迎來(lái)新的發(fā)展和機(jī)遇?！　“雽?dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)
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TrendForce：DRAM原廠降價(jià)意愿提高 第三季跌至近10%

  • 根據(jù)TrendForce最新研究顯示，盡管今年上半年的整體消費(fèi)性需求快速轉(zhuǎn)弱，但先前DRAM原廠議價(jià)強(qiáng)勢(shì)，并未出現(xiàn)降價(jià)求售跡象，使得庫(kù)存壓力逐漸由買方堆棧至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下，部分DRAM供貨商已開(kāi)始有較明確的降價(jià)意圖，尤其發(fā)生在需求相對(duì)穩(wěn)健的服務(wù)器領(lǐng)域以求去化庫(kù)存壓力，此情況將使第三季DRAM價(jià)格由原先的季跌3至8%，擴(kuò)大至近10%，若后續(xù)引發(fā)原廠競(jìng)相降價(jià)求售的狀況，跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續(xù)性下修出貨展望，且綜觀各家DRAM庫(kù)存水位平均超過(guò)兩個(gè)月以上，除非有極大的價(jià)格
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TrendForce：第三季DRAM價(jià)格預(yù)估下跌3～8％

  • 據(jù)TrendForce研究，盡管有旺季效應(yīng)和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場(chǎng)仍不敵俄烏戰(zhàn)事、高通膨?qū)е孪M(fèi)性電子需求疲弱的負(fù)面影響，進(jìn)而使得整體DRAM庫(kù)存上升，成為第三季DRAM價(jià)格下跌3～8％的主因，且不排除部分產(chǎn)品別如PC與智能型手機(jī)領(lǐng)域恐出現(xiàn)超過(guò)8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續(xù)走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標(biāo)，同時(shí)也造成DRAM庫(kù)存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化DRAM庫(kù)存，采購(gòu)力道尚難回溫。同時(shí)，由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過(guò)于求，因此即便
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SK海力士將向英偉達(dá)供應(yīng)業(yè)界首款HBM3 DRAM

  • SK海力士宣布公司開(kāi)始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片，從開(kāi)發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個(gè)月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實(shí)現(xiàn)加速計(jì)算（accelerated computing）SK海力士旨在進(jìn)一步鞏固公司在高端 DRAM 市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價(jià)值、高性能內(nèi)存
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？

  • 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
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DDR5內(nèi)存到底升級(jí)了什么？

  • 隨著11月初各大主板廠商Z690系列主板的發(fā)售，家用電腦上的內(nèi)存終于進(jìn)入了DDR5的時(shí)代。那么DDR5相比過(guò)去的DDR4都有哪些變化呢？以及現(xiàn)在值得買嗎？外觀方面在外觀方面，DDR5和DDR4的區(qū)別主要有兩方面。第一，在內(nèi)存條中間的部分多了一些電子模塊。第二，內(nèi)存條下部的防呆口位置發(fā)生了改變。來(lái)源：金士頓防呆口位置發(fā)生改變也就意味著DDR5的內(nèi)存條與DDR4的內(nèi)存條物理上不兼容?，F(xiàn)在老主板上的內(nèi)存插槽一般都是DDR4或者DDR3的，如果你想升級(jí)DDR5的內(nèi)存條就必須換新主板。關(guān)于新主板方面，目前發(fā)售的主板
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三大廠商的DDR5技術(shù)對(duì)比

  • 我們剛剛進(jìn)入了DDR5內(nèi)存時(shí)代。自去年以來(lái)，所有主要的 DRAM 廠商，如美光、三星和 SK 海力士，都開(kāi)始發(fā)布他們的第一款 DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品（模塊）。此外，如今對(duì) DDR5 產(chǎn)品的需求明顯且肯定超過(guò)供應(yīng)。DDR5 是 DRAM 的新標(biāo)準(zhǔn)，旨在滿足計(jì)算、高帶寬、人工智能 (AI)、機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 和數(shù)據(jù)分析的需求。在接下來(lái)的文章里，我們了解一下這個(gè)新技術(shù)。DDR4 數(shù)據(jù)速率通常在 1,600 MHz 到 3200 MHz 的范圍內(nèi)運(yùn)行，而 DDR5 在數(shù)據(jù)和時(shí)鐘速率方面都在 DDR4 上有
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DDR5究竟有什么奧妙？

  • 　　現(xiàn)在，許多電腦主流使用著DDR4內(nèi)存，DDR5即將正式到來(lái)。最近，AMD、Intel在發(fā)布新品時(shí)，都已開(kāi)始支持DDR5。作為下一代存儲(chǔ)技術(shù)，它究竟有何奧妙？　　去年7月，電子器件工程聯(lián)合會(huì)（JEDEC）終于正式發(fā)布了下一代主流存儲(chǔ)器（DDR5 SDRAM）最終規(guī)范。自90年代末以來(lái)，雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)歷多次迭代，并且推動(dòng)了PC、服務(wù)器等生態(tài)的快速發(fā)展?！　?jù)悉，JEDEC最初于2018年提出DDR5內(nèi)存規(guī)范，時(shí)隔兩年，正式版本雖然來(lái)得有些晚，但并沒(méi)有降低新一代存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)的重要性?！　?/li>
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DDR5能給PC帶來(lái)怎樣提升？我們用12款軟件進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試

  • 我們使用了12款專業(yè)測(cè)試軟件，分別對(duì)DDR5與DDR4內(nèi)存，在相同平臺(tái)下進(jìn)行了測(cè)試體驗(yàn)：　　酷睿i9-12900K搭配DDR4與DDR5，總體差距并不是很大；　　在y-cruncher測(cè)試中，DDR5比DDR4速度快了40％以上；　　在Geekbench 5的多線程測(cè)試中，DDR5比DDR4快了近20%；　　在選購(gòu)筆記本時(shí)，在其他硬件基本相同，且價(jià)差不大的情況下，更推薦搭載DDR5內(nèi)存產(chǎn)品?！　〗衲甑谝患径?，惠普、聯(lián)想、華碩等OEM廠商紛紛召開(kāi)新品發(fā)布會(huì)，游戲本和輕薄本等PC產(chǎn)品開(kāi)啟了換代升級(jí)。本輪新品升
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ddr5和ddr4的區(qū)別

  • 　　DDR5和DDR4主要在帶寬速度、單芯片密度以及工作頻率等方面有區(qū)別。帶寬速度上，DDR5為32GB/s,DDR4為25.6GB/s;；單片芯片密度上，DDR5單芯片的容量為16GB，DDR4單芯片的容量為4GB；工作頻率上，DDR5工作頻率達(dá)4800MHz以上，DDR4最低為1600MHz。具體區(qū)別如下：　　1、帶寬速度方面：DDR4的帶寬為25.6GB/s，DDR5的帶寬為32GB/s?！　?、單片芯片密度方面：DDR4為4GB的單片芯片密度，單條內(nèi)存的最大容量達(dá)到128GB；而DDR5會(huì)有單片超
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DDR5內(nèi)存頻率首次突破10000MHz 進(jìn)入五位數(shù)時(shí)代

  • 　　DDR5內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)起步頻率只有4800MHz，而潛力顯然是無(wú)限的。此前呼碩、芝奇合作先后超到了8888MHz、9560MHz，現(xiàn)在終于突破了10000MHz！這也是內(nèi)存頻率第一次達(dá)到五位數(shù)字，進(jìn)入了10GHz+時(shí)代?！　∵_(dá)成這一成就的是Kovan Yang領(lǐng)銜的微星超頻團(tuán)隊(duì)成員，使用了一條金士頓的Fury Beast DDR5，搭配微星Z690 UNIFY-X主板，成功運(yùn)行在了5001.8MHz的基礎(chǔ)頻率，等效于DDR5-10004?！　榱巳绱酥叩念l率，內(nèi)存時(shí)序也放寬到了史無(wú)前例的72-126-1
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ddr5 dram介紹

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