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三星宣布其全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)線開(kāi)始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM

  • 三星今日宣布，其位于韓國(guó)平澤的第二條生產(chǎn)線已開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動(dòng)DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(jí)(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動(dòng)產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個(gè)新的門檻，克服了先進(jìn)節(jié)點(diǎn)下DRAM擴(kuò)展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號(hào)線占地超過(guò)128900平方米，相當(dāng)于約16個(gè)足球場(chǎng)，是迄今為止全
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7nm、24核心、DDR5、PCIe 4.0：Intel一下子都有了！

  • 早在2019年初的CES大展上，Intel就宣布了基于10nm工藝、面向5G無(wú)線基站的Snow Ridge SoC處理器，直到今年2月底才正式發(fā)布，定名凌動(dòng)Atom P5900，但沒(méi)有公布具體規(guī)格。根據(jù)最新消息，Snow Ridge的繼任者代號(hào)為“Grand Ridge”，而這次，詳細(xì)的規(guī)格參數(shù)提前一覽無(wú)余。Grand Ridge將采用7nm工藝制造，BGA封裝面積47.5×47.5平方毫米，而且特別強(qiáng)調(diào)是Intel自家的7nm HLL+工藝，這意味著它可能要到2023年才會(huì)面世。但等待是值得的，除了先進(jìn)
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曝英特爾11代移動(dòng)標(biāo)壓處理器明年Q1發(fā)布 支持DDR5內(nèi)存

  • 　　根據(jù)外媒 VideoCardz 的消息，9 月 2 日，英特爾將推出其 Tiger Lake-U 系列處理器，采用 Willow Cove 架構(gòu)和 Xe 核顯。爆料者 @momomo_us 的最新消息稱，英特爾計(jì)劃在 2021 年初推出名為 Tiger Lake-H 系列產(chǎn)品?！鴙ia Vide
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第四代低功耗動(dòng)態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應(yīng)用解決方案

  • 日本計(jì)劃在東京奧運(yùn)會(huì)上展示無(wú)人駕駛技術(shù)，展現(xiàn)了近年來(lái)汽車智能化的成果。隨著5G技術(shù)與人工智能（ AI）的發(fā)展，車載通訊技術(shù)已慢慢從早期的娛樂(lè)影音播放以及導(dǎo)航系統(tǒng)，發(fā)展到現(xiàn)在的深度學(xué)習(xí)與車聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著無(wú)人駕駛的目標(biāo)前進(jìn)。而實(shí)現(xiàn)此目標(biāo)的關(guān)鍵因素正是半導(dǎo)體。目前，先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）是車載通訊中最普遍的應(yīng)用之一，它包含不同的子功能主動(dòng)式巡航控制、自動(dòng)緊急煞車、盲點(diǎn)偵測(cè)以及駕駛?cè)吮O(jiān)控系統(tǒng)等。車輛制造商一直試著添加更多主動(dòng)式安全保護(hù)，以達(dá)到無(wú)人駕駛的最終目標(biāo)。因此，越來(lái)越多的半導(dǎo)體產(chǎn)商與車輛制造
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DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)確定，中國(guó)企業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)沒(méi)能入選

  • 都說(shuō)一流的企業(yè)定標(biāo)準(zhǔn)，可見(jiàn)能夠參與制定標(biāo)準(zhǔn)的企業(yè)，都是最頂尖的企業(yè)，所以我們能夠看到每當(dāng)一項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)出爐時(shí)，各國(guó)的企業(yè)們都是打破頭的想把自己的標(biāo)準(zhǔn)定為國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)。比如大家最熟悉的通信標(biāo)準(zhǔn)制定，從1G到5G標(biāo)準(zhǔn)的確定，那可是一項(xiàng)波瀾壯闊的通信技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)史，也是中國(guó)通信技術(shù)的崛起史。而不久前，跳票了近2年時(shí)間之后，JEDEC終于確定了JESD79-5 DDR5 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)，這也是一項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，有利于內(nèi)存企業(yè)們盡快推出自己的DDR5內(nèi)存。但與DDR4標(biāo)準(zhǔn)有中國(guó)企業(yè)參與不同，瀾起科技在DDR4F時(shí)代，發(fā)明的DDR
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KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測(cè)系統(tǒng)

  • 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨(dú)特的檢測(cè)能力，能夠檢測(cè)出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測(cè)平臺(tái)無(wú)法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲(chǔ)芯片的上市時(shí)間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對(duì)研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問(wèn)題而開(kāi)發(fā)出了多項(xiàng)突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測(cè)功能，這是市場(chǎng)上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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PC 新時(shí)代！DDR5 內(nèi)存規(guī)范正式發(fā)布：最高速度達(dá) 6.4Gbps，單芯片密度達(dá) 64Gbit

  • 作為計(jì)算機(jī)內(nèi)存發(fā)展的重要里程碑，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布了下一個(gè)主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范。DDR5是DDR標(biāo)準(zhǔn)的最新迭代，DDR5再次擴(kuò)展了DDR內(nèi)存的功能，將峰值內(nèi)存速度提高了一倍，同時(shí)也大大增加了內(nèi)存容量。基于新標(biāo)準(zhǔn)的硬件預(yù)計(jì)將于2021年推出，先從服務(wù)器層面開(kāi)始采用，之后再逐步推廣到消費(fèi)者PC和其他設(shè)備。外媒anandtech報(bào)道，和之前的每一次DDR迭代一樣，DDR5的主要關(guān)注點(diǎn)再次放在提高內(nèi)存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍，最高內(nèi)存速度將達(dá)到6.4Gbps
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DDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來(lái)了：頻率、帶寬提升，功耗降低

  • 去年下半年開(kāi)始，使用 LPDDR5 內(nèi)存的手機(jī)陸續(xù)發(fā)布。雖然用于電腦的 DDR5 內(nèi)存與用于手機(jī)的 LPDDR5 并不相同，但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內(nèi)存的到來(lái)，那么它今天真的來(lái)了。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)最初計(jì)劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM 最終規(guī)范，但是很顯然跳票了。兩年后的今天，新規(guī)范正式公布，同時(shí)各大內(nèi)存廠商也表示基于新規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品最快年內(nèi)就能進(jìn)行量產(chǎn)，不過(guò)一開(kāi)始會(huì)用在服務(wù)器上，后來(lái)才是家用 PC 以及其他設(shè)備。本次的新標(biāo)準(zhǔn)主要提升了內(nèi)存密度和頻率，其中
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SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

  • 7月2日，SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度，通過(guò)1,024個(gè)I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個(gè)16Gb DRAM垂直連接，其容量達(dá)到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
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SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

  • SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開(kāi)發(fā)僅十個(gè)月之后的成果。           圖1. SK海力士宣布開(kāi)始量產(chǎn)超高速DRAM, HBM2E    SK海力士的HBM2E以每個(gè)pin 3.6Gbps的處理速度，通過(guò)1,024個(gè)I/Os（Inputs/Outputs,  輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.
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國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團(tuán)發(fā)展 合肥長(zhǎng)鑫與3家公司合作

  • 6月6日，長(zhǎng)三角一體化發(fā)展重大合作事項(xiàng)簽約儀式在湖州舉行，合肥長(zhǎng)鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目建設(shè)。2019年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片取得了兩個(gè)突破——長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D閃存、合肥長(zhǎng)鑫的DRAM內(nèi)存雙雙量產(chǎn)，其中內(nèi)存國(guó)產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個(gè)市場(chǎng)主要就是美日兩大陣營(yíng)主導(dǎo)，門檻太高。合肥長(zhǎng)鑫的12英寸內(nèi)存項(xiàng)目總計(jì)投資高達(dá)1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級(jí)別（具體大概是19nm）的內(nèi)存芯片，可以供應(yīng)DDR4
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南亞科：視歐美疫情定市場(chǎng) 10納米級(jí)產(chǎn)品試產(chǎn)

  • 存儲(chǔ)器大廠南亞科28日召開(kāi)年度股東常會(huì)，會(huì)中董事長(zhǎng)吳嘉昭對(duì)于近期的產(chǎn)業(yè)狀況發(fā)表看法，指出2020年上半年DRAM市場(chǎng)的需求較2019年同期有小幅度的成長(zhǎng)，其主要原因是受惠于異地工作、遠(yuǎn)端教育、視頻會(huì)議等各項(xiàng)需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因?yàn)楦黜?xiàng)不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續(xù)的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致的關(guān)稅問(wèn)題，使得供應(yīng)鏈面臨調(diào)整，加上全球經(jīng)濟(jì)放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導(dǎo)致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過(guò)45%，也使得南亞科在2019年
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Intel拍胸脯：DDR5、PCIe 5.0明年見(jiàn)！

  • 因?yàn)榉N種原因,Intel的產(chǎn)品規(guī)劃這兩年調(diào)整非常頻繁,路線圖經(jīng)常出現(xiàn)變動(dòng),無(wú)論是消費(fèi)級(jí)還是企業(yè)級(jí)。在近日與投資者溝通時(shí),Intel公關(guān)總監(jiān)Trey Campbell就保證說(shuō),將在今年第二季度末(最遲至6月底)發(fā)布代號(hào)Ice Lake-SP的下一代至強(qiáng)服務(wù)器平臺(tái),明年某個(gè)時(shí)候則會(huì)帶來(lái)Sapphire Rapids。Ice Lake-SP將采用和移動(dòng)端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工藝、Sunny Cove CPU架構(gòu),并更換新的LGA4189封裝接口,核心數(shù)量和頻率暫時(shí)不詳(據(jù)說(shuō)最多38核心),
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三星一季度全球DRAM市場(chǎng)份額超過(guò)40% 但銷售額有下滑

  • 三星電子一季度在全球DRAM市場(chǎng)的份額超過(guò)了40%，但銷售額在這一季度有下滑。外媒的數(shù)據(jù)顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場(chǎng)的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個(gè)百分點(diǎn)，后者的市場(chǎng)份額為29.3%。雖然三星的市場(chǎng)份額超過(guò)了40%，但一季度三星DRAM的營(yíng)收其實(shí)有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場(chǎng)份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場(chǎng)份額為20.8%，銷售額下滑1
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SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

  • 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會(huì)從4800MHz出貨)、最高可達(dá)8400MHz(時(shí)序瑟瑟發(fā)抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說(shuō),DDR5時(shí)代單條內(nèi)存最大可到128GB。其它參數(shù)也均有明顯改進(jìn),兩個(gè)關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進(jìn)一步緩解
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ddr5 dram介紹

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