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SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達8400MHz、今年量產(chǎn)
- 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標準的最終細節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細節(jié)公之于眾?！ 『唵蝸碚f，DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳（廠商一般都會從4800MHz出貨）、最高可達8400MHz（時序瑟瑟發(fā)抖……）?！ 『诵娜萘棵芏确矫?，SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇，也就是說，DDR5時代單條內(nèi)存最大可到128GB?！ ∑渌鼌?shù)也均有明顯改進，兩個關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別
- 從20nm技術(shù)節(jié)點開始，漏電流一直都是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設(shè)計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設(shè)計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計中至關(guān)重要的一個考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲節(jié)點接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
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Intel、AMD推遲支持：DDR5內(nèi)存明年殺到
- 據(jù)外媒報道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺了。三星方面也已經(jīng)表示,2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,并且使用EUV工藝,制作將會在韓國平澤的新工廠進行,三星同時宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內(nèi)存已經(jīng)出貨了100萬。三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復步驟,并提高了光刻的準確度,從而提高性能、提高產(chǎn)量,并縮短了開發(fā)時間。三星估計,使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存,其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。據(jù)悉,三星第四代10nm
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三星率先為DRAM芯片導入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規(guī)模量產(chǎn)
- 當前在芯片制造中最先進的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評估，這為今后高端PC、手機、企業(yè)級服務器等應用領(lǐng)域開啟新大門。得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復步驟，并進一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預計會使12
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中國芯片工廠停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常
- 韓媒報道稱美國美光公司在中國地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過美光方面否認了相關(guān)報道。最近的疫情危機不僅影響了很多的生活,更重要的是導致一些工廠不能正常開工。韓國媒體報道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區(qū)目前已經(jīng)開始恢復生產(chǎn),但是臨時中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來嚴重損失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計劃,對客戶的供貨也會出現(xiàn)問題。針對這些報道,美光公司下午發(fā)表聲明否認,聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國際性新冠
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中國芯片工廠停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常
- 韓媒報道稱美國美光公司在中國地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過美光方面否認了相關(guān)報道。最近的疫情危機不僅影響了很多的生活,更重要的是導致一些工廠不能正常開工。韓國媒體報道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區(qū)目前已經(jīng)開始恢復生產(chǎn),但是臨時中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來嚴重損失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計劃,對客戶的供貨也會出現(xiàn)問題。針對這些報道,美光公司下午發(fā)表聲明否認,聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國際性新冠
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存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結(jié)束 ？
- 據(jù)IDC預測，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導體存儲器將具有極大的市場。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。整體來說，2017年全球半導體市場規(guī)模比2016年成長22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
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全球DRAM產(chǎn)業(yè)迎來大牛市 內(nèi)存將連漲7個季度
- 最近的疫情危機給全球大多數(shù)電子產(chǎn)品的前景蒙上了陰影，智能手機Q1季度會是暴跌50%。不過內(nèi)存廠商現(xiàn)在可以輕松下了，Q1季度開始就進入全球牛市，預計會連漲七個季度，也就是2020年底才可能穩(wěn)下來。自從1月初的三星供電停電、東芝工廠起火之后，這兩家公司紛紛表態(tài)對生產(chǎn)基本沒影響，但是全球存儲芯片的市場依然像是打了雞血，內(nèi)存及SSD硬盤的現(xiàn)貨價應聲而起，1月份就漲價高達30%。那這一波內(nèi)存漲價要持續(xù)多久呢？UBS瑞銀分析師Timothy Acuri日前發(fā)表報告評估了內(nèi)存市場的發(fā)展趨勢，他認為內(nèi)存漲價將持續(xù)至少7個
- 關(guān)鍵字： DRAM、內(nèi)存
美光交付全球首款量產(chǎn)的LPDDR5芯片
- 美光科技近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM 芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機。
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內(nèi)存和存儲的應用熱點與解決方案
- Raj Talluri? （美光科技移動產(chǎn)品事業(yè)部 高級副總裁兼總經(jīng)理） 1 內(nèi)存和存儲領(lǐng)域會出現(xiàn)哪些應用或技術(shù)熱點 數(shù)據(jù)爆發(fā)推動了各個技術(shù)領(lǐng)域?qū)?nèi)存和存儲的需求，而云和移動是當前內(nèi)存和存儲的最大需求來源?！ ≡谝苿宇I(lǐng)域，基于視頻內(nèi)容和游戲的需求不斷增長，智能手機比以往需要更大的 DRAM ， 以 支持計算攝影、面部識別、增強現(xiàn)實等各種功能。根據(jù)客戶的需求趨勢判斷，美光認為2020年，智能手機的平均容量將達到5GB的DRAM和120 GB的NAND。 與此同時，5G網(wǎng)絡(luò)的普及將刺激對DRAM和N
- 關(guān)鍵字： 202002 內(nèi)存 DRAM AI
2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢分析
- 張明花（集邦咨詢顧問（深圳）有限公司 編輯，深圳 518000） 摘? 要：預估2020年全球內(nèi)存市場的年成長率僅為12.2%，這個數(shù)字在年成長動輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標，資本支出也會減少?！ ￡P(guān)鍵詞：內(nèi)存；DRAM；三星；SK海力士；美光 觀察全球內(nèi)存（DRAM）市場供需格局以及價格走勢，在歷經(jīng)近5個季度的庫存調(diào)整后，2019年第4季 度DRAM市場仍處于微幅供過于求狀態(tài)，即便2020年 第1季度DRAM的
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美光出樣DDR5內(nèi)存：1Znm工藝、性能提升85%
- 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標準性能更強，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
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