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SK海力士：未研究過“轉移中國工廠設備”相關具體計劃

  • 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績發(fā)表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠的設備轉移”等相關發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場回復，SK海力士澄清并未研究過與此相關的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  NAND  

DDR5內存與上一代價差縮小，后市滲透率或借機提升

  • 據媒體報道，因筆電市場低迷，沖擊DDR5內存價格跌幅進一步擴大，可望推動各廠商在2023年啟動產品世代轉換，DDR5將隨之放量。從具體跌價幅度來看，TrendForce集邦咨詢預估，2022年第四季度DRAM跌幅約在13%~18%左右，而DDR5價格跌幅大于DDR4。市場消息上，英睿達、美光16GB DDR5 4800筆記本內存條當前秒殺價為499元，而今年6月份售價則一直穩(wěn)定在699元左右，跌幅超28%。DDR5為何跌跌不休？據了解，PC市場是DDR5的關鍵終端市場之一。然而近期PC市場情況并不樂觀，終
  • 關鍵字： DDR5  滲透率  

8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM運行速度創(chuàng)新高

  • 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內存已通過驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內存速度可達到當前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優(yōu)化應用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境，三星超過了自身在今年3月創(chuàng)下的7.5Gbps的最高運行速度，夯實了在內存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達8.5Gbps的運行速度作為十多年來全球移動內存（DRAM）市場的推動者，三星一直在努力推進高端智能手機普及，使更多消費者能夠在移動設備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
  • 關鍵字： 三星  LPDDR5X  DRAM  

SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內不獲取許可的前提下為中國工廠供應設備

  • SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務部進行協(xié)商，確保在接下來一年內不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應所需的半導體生產設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來一年內不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產設備的供應，進而維持在中國的生產經營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續(xù)生產半導體產品的協(xié)商。SK海力士將繼續(xù)與韓國政府及美國商務部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力?！泵绹虅詹肯惹坝?0月7日發(fā)布稱，將限制用于在中國生產18納米以下
  • 關鍵字： SK海力士  DRAM  NAND  

DDR5價格漸親民，巨頭紛紛押注推動入市

  • 近期，DDR4和DDR5價格持續(xù)下跌，吸引了不少消費者的持續(xù)關注。目前消費電子疲軟還在繼續(xù)，據TrendForce集邦咨詢數(shù)據顯示，第四季度DRAM價格跌幅將擴大至13~18%。從積極方面考量，價格的親民化或將加速DDR5的入世，DDR5有望加速成為行業(yè)主流。DDR5對比DDR4的優(yōu)勢從過往歷史看，每代DDR新標準發(fā)布后都需要經過2年左右的優(yōu)化，才能實現(xiàn)性能的較為全面的穩(wěn)定提升，而后實現(xiàn)對上一代產品的市場替代則可能需要3到5年的時間。業(yè)界數(shù)據顯示，DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。據悉，DDR4
  • 關鍵字： DDR5  DDR4  

TrendForce：存儲器廠聚焦CXL存儲器擴充器產品

  • 據TrendForce集邦咨詢最新服務器相關報告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進而優(yōu)化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務器CPU Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現(xiàn)階段僅支援至CXL 1.1規(guī)格，而該規(guī)格可先實現(xiàn)的產品則是CXL存儲器擴充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce認為
  • 關鍵字： TrendForce  集邦咨詢  存儲器  CXL  AI/ML  DRAM  

SPARC：用于先進邏輯和 DRAM 的全新沉積技術

  • 芯片已經無處不在：從手機和汽車到人工智能的云服務器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強大。創(chuàng)建更先進的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)有材料可能無法在所需厚度下實現(xiàn)相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術，用于制造具有改進電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結構中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經受進一步處理。SPAR
  • 關鍵字： SPARC  先進邏輯  DRAM  沉積技術  

DDR5內存滿足未來內容創(chuàng)作、發(fā)布和消費的更高要求

  • 在過去的十年時間里，隨著程序與應用、數(shù)據集與復雜代碼，以及3D模型渲染、8K視頻編輯和高幀速率游戲等領域的空前發(fā)展，DDR4技術已不堪重負，難以跟上行業(yè)發(fā)展步伐。隨著CPU內核數(shù)量的不斷增加，為了應對這些海量需求，內存技術也需要進一步擴展。下一代系統(tǒng)中的DDR5內存是實現(xiàn)當前所需性能的最佳解決方案，同時能夠進一步擴展，以滿足未來內容創(chuàng)作、內容發(fā)布和內容消費的更高要求。內容創(chuàng)作內容創(chuàng)作者受到了DDR4技術的限制，因為他們的高性能工作臺消耗了增加的內存密度或內存帶寬。等待時間延長導致效率降低，甚至無法進行多任
  • 關鍵字： DDR5  內存  Crucial  英睿達  

庫存難減 DRAM價Q4恐再跌13～18％

  • 市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導致第四季DRAM價格續(xù)跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營業(yè)利益仍佳的前提下，未有實際減產情形，故位產出仍持續(xù)升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
  • 關鍵字： 集邦  DRAM  NAND  

GeIL 推出支持 AMD EXPO 的 DDR5 內存，內置兩個小風扇

  • IT之家 8 月 31 日消息，今年 5 月份，GeIL 發(fā)布了 EVO V DDR5 RGB 內存條，采用了雙風扇散熱系統(tǒng)，將 RGB 燈效和雙風扇主動式的散熱設計結合到一體成型的模組中?，F(xiàn)在，GeIL EVO V DDR5 RGB 內存條推出了支持 AMD EXPO 超頻技術的型號。據介紹，該系列內存采用了 GeIL 獨家主動雙風扇散熱系統(tǒng)，支持 6400MHz 一鍵超頻，采用了獨家優(yōu)化的 RGB 照明設計，兼容 AM5 平臺。根據 GeIL 之前的介
  • 關鍵字： 內存條  DDR5  GeIL  

集邦：明年DRAM需求位成長8.3％創(chuàng)新低 NAND跌價帶動搭載容量成長

  • 根據集邦科技指出，2023年DRAM市場需求位成長僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠低于供給位成長約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當嚴峻，價格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價格下跌應有助于搭載容量提升。從各類應用來看，高通膨持續(xù)沖擊消費市場需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進一步走弱。標準型PC DRAM方面，
  • 關鍵字： 集邦  DRAM  NAND  

美光車規(guī)級內存和存儲解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗

  • 全球汽車內存領先供應商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其車規(guī)級高性能LPDDR5 DRAM內存和基于3D TLC NAND技術的UFS 3.1產品已被應用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）實現(xiàn)最高L4級自動駕駛。得益于美光完整的產品組合，理想L9智能座艙系統(tǒng)還集成了美光車規(guī)級LPDDR4和UFS 2.1技術，為用戶提供出色的娛樂和用
  • 關鍵字： 美光  智能座艙  DRAM  UFS  ADAS  域控制器  車載信息娛樂系統(tǒng)  

朗科DDR5內存來了，4800MHz高頻率帶幻彩RGB燈效

  • 經歷漫長的產品周期，內存進入了DDR5時代。與DDR4內存相比，DDR5在帶寬速度、單芯片密度以及工作頻率等方面有明顯的提升，DDR5標準性能更強，功耗更低。專業(yè)設計、視頻剪輯、大型游戲都離不開高容量高性能的內存，為了帶給用戶更好的使用體驗，更高的性能，朗科推出了絕影RGB DDR5?！　DR5將每只模組升級成2個獨立32位子通道，擁有多達8個Bank groups組成32Banks，Burst Length提升至16個，均是DDR4的2倍，在傳輸更大量數(shù)據的同時降低了數(shù)據傳輸?shù)却龝r間，帶來全新的體驗。
  • 關鍵字： 朗科  DDR5  

DRAM 內存加速降價，6 月報價環(huán)比下跌 10% 創(chuàng) 1 年半新低

  • IT之家 7 月 18 日消息，日經新聞表示，半導體存儲芯片之一的 DRAM 正在加速降價，作為上代產品的 DDR3 型的 4GB 內存連續(xù) 2 個月下跌。指標產品的 6 月大單優(yōu)惠價環(huán)比下跌 1 成，創(chuàng)出 1 年半以來新低。從作為指標的 8GB DDR4 內存來看，6 月報價約 2.7 美元每個，環(huán)比下跌 0.3 美元（10％），而容量較小的 4GB 內存約為 2.18 美元 / 個，環(huán)比下跌 10％，同比下跌 32％，處于 2020 年 12 月以來的最低水平。分析師認為，PC 和智能手機的
  • 關鍵字： DRAM  市場  

DRAM能否成為半導體市場預測晴雨表？

  • 　　在今年Gartner的半導體市場分析報告中指出，從歷史角度來看，存儲市場一直規(guī)律的處于2~3年的周期波動中。2021年DRAM市場存在一個供不應求的情況，使得價格上漲，但在2022年下半年會恢復并且進入供過于求的周期，這個周期會導致存儲市場價格的整體下滑。下面我們來具體分析都存在哪些因素導致DRAM的周期波動。1.地緣問題導致消費市場向下修正　　俄烏戰(zhàn)爭打破歐洲和平局面，導致能源價格大幅提升，整體社會的消費水平降低，企業(yè)和消費者會減少很多不必要的開支。早在4月底，美國商務部公布的數(shù)據顯示，美國一季度G
  • 關鍵字： DRAM  半導體  市場  
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ddr5 dram介紹

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