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HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升

  • TrendForce指出,隨著AI服務器持續(xù)布建,高帶寬內存(HBM)市場處高成長階段,平均售價約是DRAM產品的三至五倍,待下一代HBM3e量產,加上產能擴張,營收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出,HBM市場仍處于高成長階段,由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務器,在GPU算力與內存容量都將升級下,HBM成為其中不可或缺的一環(huán),帶動HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產難度高、良率仍有顯著
  • 關鍵字: HBM  DRAM  TrendForce  

三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM,助力下一代人工智能計算

  • 三星電子今日宣布,已成功開發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM(第七代圖形雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器)。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率,這使得它成為眾多下一代應用程序的理想選擇之一。三星半導體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能,24Gb GDDR7將廣泛應用于需要高性能存儲解決方案的各個領域,例如數(shù)據(jù)中心和人工智能工作站,這將進一步擴展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機和自動駕駛等傳統(tǒng)應用領域之外的應用范圍。三星電子存儲器產品企劃團隊執(zhí)行副總裁裴永哲(Bae YongCh
  • 關鍵字: 三星  24Gb  GDDR7  DRAM  人工智能計算  

美光推出內置時鐘驅動器的超高速DDR5內存系列新品,為AI PC的發(fā)展注入動力

  • ?Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)于近日宣布推出兩款內置時鐘驅動器的全新類型內存,即?Crucial??英睿達??DDR5?時鐘驅動器無緩沖雙列直插式內存模塊?(CUDIMM)?和時鐘驅動器小型雙列直插式內存模塊?(CSODIMM),并已開始批量出貨。這兩款全新內存均符合?JEDEC?標準,運行速度高達?6,400MT/s,是?DDR4?的兩
  • 關鍵字: 美光  時鐘驅動器  DDR5  

消息稱三星 1b nm 移動內存良率欠佳,影響 Galaxy S25 系列手機開發(fā)

  • IT之家 9 月 4 日消息,據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報道,三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm (IT之家注:即 12nm 級) LPDDR 內存樣品供應延誤的擔憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內存量產,后又在當年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5,并一直在內部推進 1b nm LPDDR 移動內存產品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
  • 關鍵字: 三星  內存  DDR5  

TrendForce:內存下半年價格恐摔

  • 根據(jù)TrendForce最新調查,消費型電子需求未如預期回溫,中國大陸地區(qū)的智能型手機,出現(xiàn)整機庫存過高的情形,筆電也因為消費者期待AI PC新產品而延遲購買,市場持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象,導致以消費型產品為主的內存現(xiàn)貨價走弱,第二季價格較第一季下跌超過30%。盡管現(xiàn)貨價至8月份仍與合約價脫鉤,但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示,2024年第二季模塊廠在消費類NAND Flash零售通路的出貨量,已大幅年減40%,反映出全球消費性內存市場正遭遇嚴峻挑戰(zhàn)。內存產業(yè)雖一向受周期因素影響,但202
  • 關鍵字: TrendForce  內存  DRAM  

SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調:“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳,微細工藝的難度也隨之加大,但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代(1b)技術力為基礎,提高了設計完成度,率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產準備,從明年開始供應產品,引領半導體存儲器市場發(fā)展?!惫疽?b DRAM
  • 關鍵字: SK海力士  第六代  10納米級  DDR5 DRAM  

第二季DRAM產業(yè)營收季增24.8%,預期第三季合約價將上調

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調查,受惠主流產品出貨量擴張帶動多數(shù)業(yè)者營收成長,2024年第二季整體DRAM(內存)產業(yè)營收達229億美元,季增24.8%。價格方面,合約價于第二季維持上漲,第三季因國際形勢等因素,預估Conventional DRAM(一般型內存)合約價漲幅將高于先前預期。觀察Samsung(三星)、SK hynix(SK海力士)和Micron(美光科技)第二季出貨表現(xiàn),均較前一季有所增加,平均銷售單價方面,三大廠延續(xù)第一季合約價上漲情勢,加上臺灣地區(qū)四月初地震影響,以及HBM
  • 關鍵字: DRAM  TrendForce  集邦咨詢  

imec采用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構

  • 比利時微電子研究中心(imec),在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾(ASML)合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影實驗室中,利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機,發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后,9納米和5納米(間距19納米)的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征,以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內存(DRAM)專用布局全部成功成形,采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果,imec證實該微影技術的生態(tài)系
  • 關鍵字: imec  High-NA  EUV  DRAM  

外媒:三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM

  • 8月7日消息,隨著移動設備功能的不斷增強,對內存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報道,三星電子近日宣布,公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項,專為低功耗RAM市場設計,主要面向具備設備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米,比上一代產品薄了9%。三星估計,這一改進將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優(yōu)化印刷電路板(PCB)和環(huán)氧樹脂封裝技術,將LPDDR5X的厚度
  • 關鍵字: 三星  手機芯片  LPDDR5X DRAM  

最新 PC 游戲中的 DDR5 與 DDR4

  • 隨著游戲要求越來越高,DDR4 和 DDR5 內存之間的差距不斷擴大。
  • 關鍵字: DDR4  DDR5  

HBM排擠效應 DRAM漲勢可期

  • 近期在智慧手機、PC、數(shù)據(jù)中心服務器上,用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格漲勢停歇,買家拉貨不積極,影響DRAM報價漲勢。 業(yè)者期待,SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產能增開,對一般型DRAM產生的排擠效應,加上產業(yè)旺季來臨,可帶動DRAM重啟漲勢。 據(jù)了解,6月指針性產品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右,表現(xiàn)持平,主要是供需雙方對價格談判,呈現(xiàn)拉鋸狀況。而另一方面,三星新一代HBM3E,據(jù)傳有望通過輝達(NVIDIA)認證,輝達GB200將于2025年放量,其
  • 關鍵字: HBM  DRAM  美光  

圓滿收官!紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力

  • 圓滿收官!紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力2024年7月8日至10日,西安紫光國芯半導體股份有限公司(簡稱:紫光國芯,證券代碼:874451)精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國芯聚焦人工智能、高性能計算、汽車電子、工業(yè)控制、消費電子等重點領域,為客戶提供全方面的存儲產品及相關技術解決方案。展會現(xiàn)場重點展示了DRAM存儲系列產品、SeDRAM?技術和CXL技術、新品牌云彣(UniWhen?)和SSD產品系列。128Mb PSRAM,新一代DRAM KGD產品系列DRAM KGD展區(qū)首次展示了紫
  • 關鍵字: 紫光國芯  慕尼黑電子展  DRAM  SeDRAM  CXL  

內存制造技術再創(chuàng)新,大廠新招數(shù)呼之欲出

  • 制造HBM難,制造3D DRAM更難。
  • 關鍵字: HBM  3D DRAM  

服務器支撐下半年需求,預估DRAM價格第三季漲幅達8-13%

  • 根據(jù)全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新調查顯示,由于通用型服務器(general server)需求復蘇,加上DRAM供應商HBM生產比重進一步拉高,使供應商將延續(xù)漲價態(tài)度,第三季DRAM均價將持續(xù)上揚。DRAM價格漲幅達8~13%,其中Conventional DRAM漲幅為5-10%,較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢指出,第二季買方補庫存意愿漸趨保守,供應商及買方端的庫存水平未有顯著變化。觀察第三季,智能手機及CSPs仍具補庫存的空間,且將進入生產旺季,因此預計智能手機
  • 關鍵字: 服務器  DRAM  TrendForce  

SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達56.1%

  • 6月25日消息,據(jù)媒體報道,SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,重磅發(fā)布了關于3D DRAM技術的最新研究成果,展示了其在該領域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息,SK海力士在3D DRAM技術的研發(fā)上取得了顯著進展,并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發(fā),并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上,能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元,其中超過一半(即561個)為良
  • 關鍵字: SK海力士  3D DRAM  
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ddr5 dram介紹

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