cmos finfet 文章 進(jìn)入cmos finfet技術(shù)社區(qū)
硅光子芯片設(shè)計突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸
- 硅光子芯片設(shè)計突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸-當(dāng)今的硅光子芯片必須采用復(fù)雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級堆棧密不可分。
- 關(guān)鍵字： 硅光子 半導(dǎo)體芯片 CMOS 芯片設(shè)計
詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET
- 詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
- 關(guān)鍵字： FinFET 半導(dǎo)體工藝
三星推11納米FinFET，宣布7nm將全面導(dǎo)入EUV
- 隨著臺積電宣布全世界第一個 3 奈米制程的建廠計劃落腳臺灣南科之后，10 奈米以下個位數(shù)制程技術(shù)的競爭就正式進(jìn)入白熱化的階段。 臺積電的對手三星 29 日也宣布，將開始導(dǎo)入 11 奈米的 FinFET，預(yù)計在 2018 年正式投產(chǎn)之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設(shè)備。 根據(jù)三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術(shù)「11LPP (Low Power Plus)」是現(xiàn)今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
- 關(guān)鍵字： 三星 FinFET
FD SOI生態(tài)持續(xù)完善，與FinFET分庭抗禮局勢形成
- FD SOI技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展的大環(huán)境下，以其低功耗、集成射頻和存儲、高性能等優(yōu)勢獲得業(yè)界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業(yè)的推動下，該產(chǎn)業(yè)鏈正逐步得到完善。此外，在中國大力發(fā)展集成電路的當(dāng)口，F(xiàn)D-SOI技術(shù)還給中國企業(yè)帶去更多的發(fā)展空間和機遇，如何充分利用FD-SOI技術(shù)優(yōu)勢，實現(xiàn)差異化創(chuàng)新成了眾IC設(shè)計企業(yè)的探討重點。此外，5G網(wǎng)絡(luò)與物聯(lián)網(wǎng)的不斷進(jìn)化，對RF技術(shù)革新的強烈需求，對RF SOI技術(shù)帶來更廣大的市場前景。 FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完
- 關(guān)鍵字： FinFET 物聯(lián)網(wǎng)
格芯發(fā)布為IBM系統(tǒng)定制的14納米FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統(tǒng)處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術(shù)。這項雙方共同開發(fā)的工藝專為IBM提供所需的超高性能和數(shù)據(jù)處理能力，從而在大數(shù)據(jù)和認(rèn)知計算的時代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產(chǎn)品?！ ?4HP是業(yè)內(nèi)唯一將三維FinFET晶體管架構(gòu)結(jié)合在SOI襯底上的技術(shù)。該技術(shù)采用了17層金屬層結(jié)構(gòu)，每個芯片上有80多億個晶體管，通過嵌入式動態(tài)隨機存儲器(DRAM)以及其它創(chuàng)新功能，達(dá)到比前代
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
格芯為高性能應(yīng)用推出全新12納米 FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實到高端智能手機、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計算密集型處理需求的應(yīng)用?！ ∵@項全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產(chǎn)品競爭。這項技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 格芯 FinFET
電路設(shè)計常用接口類型說明
- 本文主要對電路設(shè)計常用接口類型進(jìn)行了簡要說明，下面一起來學(xué)習(xí)一下： (1)TTL電平接口： 這個接口類型基本是老生常談的吧，從上大學(xué)學(xué)習(xí)模擬電路、數(shù)字電路開始，對于一般的電路設(shè)計，TTL電平接口基本就脫不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以內(nèi)，這是由于BJT的輸入端存在幾個pF的輸入電容的緣故(構(gòu)成一個LPF)，輸入信號超過一定頻率的話，信號就將“丟失”。它的驅(qū)動能力一般最大為幾十個毫安。正常工作的信號電壓一般較高，要是把它和信號電壓較低的ECL電路接近時會產(chǎn)生比較明顯的串?dāng)_問題。
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
關(guān)于TTL電平、CMOS電平和EIA電平的一些總結(jié)
- 手機串口一般是CMOS電平，當(dāng)把android手機當(dāng)做開發(fā)板上的一個器件(比如利用android系統(tǒng)自帶的GPRS模塊，wifi模塊，語音視頻模塊等等)看待時，常常會涉及到自己重寫底層協(xié)議和驅(qū)動的情況，同時也會涉及到不同開發(fā)板不同電平之間的轉(zhuǎn)換。最近在做一個利用android手機收發(fā)數(shù)據(jù)的實驗，其中就涉及到了EIA電平和TTL電平的轉(zhuǎn)換，TTL電平和CMOS電平的轉(zhuǎn)換。現(xiàn)簡要的總結(jié)下常用的TTL電平，CMOS電平和EIA電平，以及一些與上述電平有關(guān)集成邏輯電路和rs232串口的一些基本知識： 一、集
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
Sony傳擴增CMOS產(chǎn)能14%，滿足車用、物聯(lián)網(wǎng)市場需求
- 據(jù)海外媒體報道，Sony 計劃于 2018 年 3 月底前將使用于智能手機、數(shù)字相機等用途的 CMOS 影像傳感器月產(chǎn)能擴增至 10 萬片(以 12 吋晶圓計算)左右水準(zhǔn)，大幅增加 14%。目前 Sony 月產(chǎn)能約 8.8 萬片。 報導(dǎo)指出，因智能手機自拍用前置相機朝高性能化演進(jìn)，加上車用、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)用需求增加，因此 Sony 決定增產(chǎn)因應(yīng)。 根據(jù) Sony 公布的財報數(shù)據(jù)顯示，2016 年度(2016 年 4 月~2017 年 3 月)Sony 影像傳感器銷售額年增 15% 至 5
- 關(guān)鍵字： Sony CMOS
cmos finfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cmos finfet的理解，并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cmos finfet的理解，并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
cmos finfet電路
cmos finfet相關(guān)帖子
cmos finfet資料下載
cmos finfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473