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相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能?

  • 隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競爭日益激烈。由于 EV 的電機(jī)需要高千瓦時(shí)電源來驅(qū)動,傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組,成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場已經(jīng)在推動向更高電壓電池的轉(zhuǎn)變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢,因?yàn)槭褂酶叩碾妷阂馕吨到y(tǒng)可以在更低的電流下運(yùn)行,同時(shí)實(shí)現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點(diǎn)是損耗較低,需要管理的熱耗散較少,還有利于使
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SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

  • 碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)都會非常關(guān)注導(dǎo)通電阻,將其作為特定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而,工程師們必須在主要性能指標(biāo)(如電阻和開關(guān)損耗),與實(shí)際應(yīng)用需考慮的其他因素(如足夠的可靠性)之間找到適當(dāng)?shù)钠胶?。?yōu)秀的器件應(yīng)該允許一定的設(shè)計(jì)自由度,以便在不對工藝和版圖進(jìn)行重大改變的情況下適應(yīng)各種工況的需要。然而,關(guān)鍵的性能指標(biāo)仍然是盡可能低的比電阻,并結(jié)合其他重要的參數(shù)。圖1顯示了我們認(rèn)為必不可少的幾個(gè)標(biāo)準(zhǔn),或許還
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簡析英飛凌TC3XX MCAL CAN模塊

  • 英飛凌的芯片在汽車電子里用得可謂是頗多,剛好小編也用過,最近剛好在摸TC3系列的CAN模塊,剛好簡單寫寫。以TC387為例,共有3個(gè)MCMCAN模塊,分別為CAN0、CAN1、CAN2。下圖是三個(gè)CAN模塊的基本參數(shù),其中CAN0的功能最全。從圖中可以看出,每個(gè)CAN模塊有4個(gè)CAN Node,每個(gè)Node均采用Bosch的M_CAN方法來實(shí)現(xiàn),支持CAN和CANFD,最高速率為5Mbps,每個(gè) Node有最多64個(gè)Rx Buffer,支持最多2個(gè)Rx FIFO,另外每個(gè)Node有最多32個(gè)Tx Buff
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德國博世收購美國TSI,全球半導(dǎo)體領(lǐng)域再添并購案

  • 據(jù)國外媒體報(bào)道,德國博世集團(tuán)于本周三表示,將收購美國芯片制造商TSI半導(dǎo)體公司的資產(chǎn),以擴(kuò)大其碳化硅芯片(SiC)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。目前,博世和TSI公司已經(jīng)達(dá)成協(xié)議,但并未透露此次收購的具體細(xì)節(jié),且這項(xiàng)收購還需要得到監(jiān)管部門的批準(zhǔn)。資料顯示,TSI是專用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前,主要開發(fā)和生產(chǎn)200毫米硅晶圓上的大量芯片,用于移動、電信、能源和生命科學(xué)等行業(yè)的應(yīng)用。而博世在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)時(shí)間已超過60年,在全球范圍內(nèi)投資了數(shù)十億歐元,特別是在德國羅伊特林根和德累斯頓的水廠。博世認(rèn)為,此次收購
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功率半導(dǎo)體“放量年”,IGBT、MOSFET與SIC的思考

  • 4月24日,東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布,在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導(dǎo)體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行,第一階段的生產(chǎn)計(jì)劃在2024財(cái)年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓,以應(yīng)對人員的增加。此外,今年2月下旬,日經(jīng)亞洲報(bào)道,東芝計(jì)劃到2024年將碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)量增加3倍以上,到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息,東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié),布局完成后將形成:外延設(shè)備+外
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優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動

  • 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫茲)開關(guān),但它們不能用于非常高的電壓(>1 000 V)。而IGBT 雖然可以在高壓下使用,但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美,可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而,SiC MOSFET 的獨(dú)特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后,設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性
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SiC并購戰(zhàn):誰是頂級收購者?

  • 第三代半導(dǎo)體「愈演愈烈」。
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適用于運(yùn)輸領(lǐng)域的SiC:設(shè)計(jì)入門

  • 簡介在這篇文章中,作者分析了運(yùn)輸輔助動力裝置(APU)的需求,并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅(qū)動器的理想靜態(tài)和動態(tài)特性。 為什么使用寬帶隙(WBG)材料?對于任何電力電子工程師來說,必須大致了解適用于功率半導(dǎo)體開關(guān)器件的半導(dǎo)體物理學(xué)原理,以便掌握非理想器件的電氣現(xiàn)象及其對目標(biāo)應(yīng)用的影響。理想開關(guān)在關(guān)斷時(shí)的電阻無窮大,導(dǎo)通時(shí)的電阻為零,并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來看,由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件,因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)通狀態(tài)電流
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CAN節(jié)點(diǎn)經(jīng)常損壞?多半是少了浪涌抑制器

  • CAN總線在實(shí)際應(yīng)用中,容易受到靜電浪涌的干擾。很多客戶出現(xiàn)CAN節(jié)點(diǎn)無法通信,主要原因是CAN收發(fā)器芯片損壞,靜電浪涌防護(hù)沒做好。本文就針對這一點(diǎn)進(jìn)行講解。不良品分析不久前我們收到一個(gè)客戶送過來的一個(gè)CAN隔離收發(fā)器的不良品,下面我簡單分析一下該不良品的損壞原因及解決方案。我們首先用功能測試板測試該模塊的各項(xiàng)參數(shù),測試的結(jié)果是電壓電流正常,通信功能不正常,測試結(jié)果如下表:表1  產(chǎn)品基本功能測試由這個(gè)測試結(jié)果可以推測可能是收發(fā)器芯片或者隔離芯片損壞。第二步進(jìn)行引腳對地阻值測試,用不良品和同批次
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功率半導(dǎo)體市場需求攀升,盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設(shè)備采購訂單

  • 今日,盛美上海宣布,首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設(shè)備的采購訂單。盛美上海指出,該訂單來自中國領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商,預(yù)計(jì)將在2023年第三季度末發(fā)貨。當(dāng)前,以碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體迅速發(fā)揮發(fā)展,其中整體產(chǎn)值又以碳化硅占80%為重。據(jù)悉,碳化硅襯底用于功率半導(dǎo)體制造,而功率半導(dǎo)體被廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電動汽車和可再生能源等領(lǐng)域。碳化硅技術(shù)的主要優(yōu)勢包括更少的開關(guān)能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱,以及更強(qiáng)的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業(yè)對功率半導(dǎo)體需求的增加
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連接與電源:新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案

  • 3月下旬,全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動,Qorvo旨在向業(yè)內(nèi)介紹Qorvo在自身移動產(chǎn)品和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用上的射頻領(lǐng)導(dǎo)地位進(jìn)面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領(lǐng)域的最新進(jìn)展。Matter出世,化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實(shí),但要將數(shù)以百億計(jì)的設(shè)備進(jìn)行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘,Matter 標(biāo)準(zhǔn)的出現(xiàn)打破了這個(gè)局面。作為Matter的積極參與者,Qorvo 率先打造符合 Matter 標(biāo)準(zhǔn)的
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SiC功率半導(dǎo)體市場分析;廠商談IGBT大缺貨

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報(bào)告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場分析報(bào)告-Part1》分析,隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化,將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達(dá)22.8億美元,年成長41.4%。與此同時(shí),受惠于下游應(yīng)用市場的強(qiáng)勁需求,TrendForce集邦咨詢預(yù)期,至2026年SiC功率元件市場規(guī)??赏_(dá)53.3億美元,其主流應(yīng)用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規(guī)模預(yù)估2022年全球車用MCU市場規(guī)模達(dá)82
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GaN 出擊

  • 自上世紀(jì)五十年代以來,以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著時(shí)間的流逝,盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導(dǎo)體材料,但第二代、第三代甚至是第四代半導(dǎo)體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)受到大眾關(guān)注。近段時(shí)間,GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日,英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems,交易總值 8.3 億美元(約 57.3 億人民幣)。根據(jù)公告,英飛凌計(jì)劃
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動)和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應(yīng)用)兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的
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OBC充電器中的SiC FET封裝小巧,功能強(qiáng)大

  • EV 車載充電器和表貼器件中的半導(dǎo)體電源開關(guān)在使用 SiC FET 時(shí),可實(shí)現(xiàn)高達(dá)數(shù)萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標(biāo)。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級別電動汽車 (EV) 車載充電器半導(dǎo)體開關(guān)領(lǐng)域,碳化硅 (SiC) MOSFET 占據(jù)明顯的優(yōu)勢。UnitedSiC(如今為 Qorvo)SiC FET 具有獨(dú)特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級聯(lián)結(jié)構(gòu),其效率高于 IGBT,且比超結(jié) MOSFET 更具吸引力。不過,這不僅關(guān)乎轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的整體損耗。對于 EV 車主來說,成本、尺寸和
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