can sic 文章進(jìn)入can sic技術(shù)社區(qū)

SiC助力軌道交通駛向“碳達(dá)峰”

當(dāng)前，全球主要國(guó)家和地區(qū)都已經(jīng)宣布了“碳達(dá)峰”的時(shí)間表。在具體實(shí)現(xiàn)的過(guò)程中，軌道交通將是一個(gè)重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能，且?guī)?dòng)大量基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，因此軌道交通的“碳達(dá)峰”雖然和工業(yè)的“碳達(dá)峰”路徑有差異，但總體實(shí)現(xiàn)時(shí)間將較為接近。在中國(guó)，這個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)是2030年之前。當(dāng)然，“碳達(dá)峰”在每一個(gè)領(lǐng)域都有狹義和廣義的區(qū)分，比如在工業(yè)領(lǐng)域，一方面是重點(diǎn)企業(yè)自身通過(guò)節(jié)能+綠電的方式實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰”，另一方面也需要圍繞重點(diǎn)企業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈上下游全面實(shí)現(xiàn)能耗降低。對(duì)于軌道交通也是如此，狹義層面的軌交工具，以及廣義
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智能汽車CAN FD總線需要什么樣的降噪對(duì)策？

CAN FD等接口使用被稱為差分傳輸?shù)膫鬏敺绞?。差分傳輸通過(guò)兩條信號(hào)線之間的電位差傳輸信號(hào)，因此具有不易受外部輻射噪聲影響的特點(diǎn)。1. CAN FD是什么CAN FD是連接汽車內(nèi)的ECU或電腦并進(jìn)行通訊的車內(nèi)局域網(wǎng)之一。CAN FD能夠以比以往的CAN標(biāo)準(zhǔn)更快的速度進(jìn)行通訊。2. 噪聲問(wèn)題CAN FD具有比以往的CAN更高的比特率，這也增加了CAN通訊時(shí)產(chǎn)生的發(fā)射噪聲問(wèn)題。CAN FD等接口使用被稱為差分傳輸?shù)膫鬏敺绞?。差分傳輸通過(guò)兩條信號(hào)線之間的電位差傳輸信號(hào)，因此具有不易受外部輻射噪聲影響的特點(diǎn)。此外
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碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現(xiàn)“萬(wàn)物電氣化”

綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機(jī)的氣動(dòng)和液壓系統(tǒng)，為機(jī)載交流發(fā)電機(jī)、執(zhí)行機(jī)構(gòu)和輔助動(dòng)力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護(hù)需求。但是，SiC技術(shù)最顯著的貢獻(xiàn)體現(xiàn)在其所肩負(fù)實(shí)現(xiàn)商用運(yùn)輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
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士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線初步通線，首個(gè)SiC器件芯片投片成功

10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求，項(xiàng)目取得了階段性進(jìn)展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試，目標(biāo)是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開(kāi)發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標(biāo)較好，繼續(xù)完成評(píng)測(cè)，即將向客戶送樣。據(jù)了解，2017年12月1
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浪涌保護(hù)不再難適于ADM3055E/ADM3057E CAN FD收發(fā)器的5種方案請(qǐng)查收

引言在工業(yè)、汽車和儀器儀表應(yīng)用中，因操作不當(dāng)、存在電氣噪聲的操作環(huán)境，甚至雷擊造成的大瞬態(tài)電壓可能會(huì)形成巨大壓力，導(dǎo)致通信端口和基礎(chǔ)電子設(shè)備受損。對(duì)此，ADI推出了信號(hào)和電源隔離式ADM3055E/ADM3057E CAN FD收發(fā)器，能夠承受其中許多瞬態(tài)電壓，并保護(hù)敏感的電子設(shè)備。根據(jù)IEC標(biāo)準(zhǔn)和瞬態(tài)電壓大小，瞬態(tài)電壓可分為靜電放電(ESD)、電快速瞬變脈沖群(EFT)和浪涌。通過(guò)ADM3055E/ADM3057E CAN FD收發(fā)器的片內(nèi)集成保護(hù)，可實(shí)現(xiàn)4級(jí)IEC 61000-4-2 ESD保護(hù)、IE
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意法半導(dǎo)體CAN FD Light多像素驅(qū)動(dòng)器助力下一代汽車照明設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體的L99LDLH32線性穩(wěn)流器為使用輕量級(jí)?CAN FD Light 協(xié)議控制動(dòng)態(tài)汽車照明提供了一個(gè)簡(jiǎn)便的集成解決方案。OLED 燈可以從很小的表面發(fā)射明亮、均勻和高對(duì)比度的光線，新驅(qū)動(dòng)器與OLED完美匹配，讓設(shè)計(jì)師能夠創(chuàng)造復(fù)雜的圖案和光效，增強(qiáng)汽車的安全性和外觀設(shè)計(jì)視覺(jué)效果。L99LDLH32有32個(gè)可在1mA至15mA范圍內(nèi)獨(dú)立編程的穩(wěn)流電源，可以單獨(dú)驅(qū)動(dòng)車內(nèi)外燈具的每個(gè)像素，還提供8 位分辨率的整體調(diào)光功能。當(dāng)用車輛電池電壓供電時(shí)，驅(qū)動(dòng)器最高輸出電壓35 V，覆蓋較寬的發(fā)射極正向
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器
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使用TI功能安全柵極驅(qū)動(dòng)器提高SiC牽引逆變器的效率

隨著電動(dòng)汽車 (EV) 制造商競(jìng)相開(kāi)發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統(tǒng)效率的壓力，這樣可以延長(zhǎng)行駛里程并在市場(chǎng)中獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。功率損耗越低則效率越高，因?yàn)樗鼤?huì)影響系統(tǒng)熱性能，進(jìn)而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著開(kāi)發(fā)的逆變器功率級(jí)別更高，每輛汽車的電機(jī)數(shù)量增加，以及卡車朝著純電動(dòng)的方向發(fā)展，人們將持續(xù)要求降低系統(tǒng)功率損耗。過(guò)去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有比IGBT更高
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貿(mào)澤開(kāi)售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

2022年9月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開(kāi)關(guān)DC/DC
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CAN&485總線隔離方案多? 金升陽(yáng)有妙招！

CAN和485都是工業(yè)通信中常用的現(xiàn)場(chǎng)總線，做好通信總線的隔離防護(hù)是產(chǎn)品可靠、穩(wěn)定的重要前提。那么該如何做好通信總線的隔離防護(hù)呢？隔離方案眾多，該如何選擇適合的方案呢？本文為您解答！一、通信總線為什么要隔離？目前大多數(shù)產(chǎn)品對(duì)外通訊部分可總結(jié)為：MCU+收發(fā)器+外部總線，其中大多數(shù)常用的MCU 都集成有CAN或UART鏈路層控制器。從MCU發(fā)出的電平信號(hào)一般為5V或3.3V，為達(dá)到與總線連接和遠(yuǎn)傳的目的，往往需要在MCU與總線間加收發(fā)器，它起到電平轉(zhuǎn)換的作用。采用總線通信方式必然涉及到外部通信走線，CAN和
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東芝推出面向更高效工業(yè)設(shè)備的第三代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開(kāi)始出貨。新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開(kāi)關(guān)損耗減少大約
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CAN&485總線隔離方案多？金升陽(yáng)有妙招！

CAN和485都是工業(yè)通信中常用的現(xiàn)場(chǎng)總線，做好通信總線的隔離防護(hù)是產(chǎn)品可靠、穩(wěn)定的重要前提。那么該如何做好通信總線的隔離防護(hù)呢？隔離方案眾多，該如何選擇適合的方案呢？本文為您解答！一、通信總線為什么要隔離？目前大多數(shù)產(chǎn)品對(duì)外通訊部分可總結(jié)為：MCU+收發(fā)器+外部總線，其中大多數(shù)常用的MCU 都集成有CAN或UART鏈路層控制器。從MCU發(fā)出的電平信號(hào)一般為5V或3.3V，為達(dá)到與總線連接和遠(yuǎn)傳的目的，往往需要在MCU與總線間加收發(fā)器，它起到電平轉(zhuǎn)換的作用。采用總線通信方式必然涉及到外部通信走線，CAN和
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基于 Microchip PIC16F1779 onsemi NCV78343 和 OSRAM LED 的 CAN/LIN 通訊矩陣式大燈方案

針對(duì)LED智能照明解決方案，Microchip 的MCU集成了獨(dú)立于內(nèi)核的外設(shè)模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源控制、邏輯控制和通信功能。相比于純模擬或ASIC實(shí)現(xiàn)方案，可顯著提升靈活性。本方案加入安森美NCV78343矩陣控制芯片，實(shí)現(xiàn)CAN/LIN通訊矩陣大燈方案。PIC16F1779可獨(dú)立控制多達(dá)四個(gè)LED通道，這是大多數(shù)現(xiàn)成LED驅(qū)動(dòng)器控制器所不具備的一項(xiàng)獨(dú)特能力，特別適合組合式大燈/尾燈的設(shè)計(jì)。LED調(diào)光引擎由單片機(jī)中集成的模擬外設(shè)組成，通過(guò)MCC配置將這些模塊連接起來(lái)，構(gòu)成四個(gè)獨(dú)立的LED調(diào)光驅(qū)動(dòng)器。一旦配置
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安森美慶祝在新罕布什爾州擴(kuò)張?zhí)蓟韫S

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，昨天美國(guó)時(shí)間舉行了剪彩儀式，慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數(shù)幾乎翻兩番。此擴(kuò)張使安森美能完全控制其SiC制造供應(yīng)鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購(gòu)，到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶提供必要的供應(yīng)保證，以滿足對(duì)基于SiC的方案迅速增長(zhǎng)的需求。SiC對(duì)于提高電
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UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購(gòu)）為功率設(shè)計(jì)擴(kuò)展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對(duì)快速增長(zhǎng)的車載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應(yīng)用實(shí)現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強(qiáng)型封裝，為需求最大效率、低傳導(dǎo)損失和高性價(jià)比的高功耗應(yīng)用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
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