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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應用

增強現(xiàn)實（AR）應用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞健ｎA計今年下半年，AR領(lǐng)域的開拓者Magic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級應用而設計，將成為市場上最具沉浸感的企業(yè)級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學設計，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學技術(shù)和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優(yōu)化復雜的流程，并支持員工進行無縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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不畏亂流半導體市場逆風揚

隨著全球通膨疑慮升高及能源成本飆升，加上大陸因疫情實施封控，以及俄烏戰(zhàn)爭懸而未決，經(jīng)濟逆風對今年全球經(jīng)濟成長將造成挑戰(zhàn)，但包括Gartner及IC Insights等市調(diào)機構(gòu)仍預估，今年全球半導體市場仍會較去年成長一成以上。IC Insights表示，今年全球半導體總銷售額仍可年增11％，與今年初預測相同，但外在變化造成的不確定性，導致芯片銷售成長幅度或有消長。其中，微處理器及功率分離式組件銷售將高于先前預期，包括嵌入式處理器及手機應用處理器成長強勁，功率組件價格續(xù)漲且成長幅度增加，至于CMOS影像傳感器
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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NVIDIA透過人工智能將2D平面照片轉(zhuǎn)變?yōu)?D立體場景

當人們在75年前使用寶麗來 (Polaroid ) 相機拍攝出世界上第一張實時成像照片時，便是一項以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創(chuàng)舉。時至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉(zhuǎn)過來，亦即在幾秒鐘內(nèi)將一組靜態(tài)影像變成數(shù)字 3D 場景。 NVIDIA Research 透過人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場景這項稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過程，利用 AI 來預估光線在真實世界中的表現(xiàn)，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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適用于 TMAG5170 SPI 總線接口、高精度線性 3D 霍爾效應傳感器的評估模塊

TMAG5170UEVM 是一個易于使用的平臺，用于評估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面 (GUI)，用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測量結(jié)果。還包括一個 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊，用于通過單個器件測試角度測量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測量結(jié)果· 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過常見的 micro-USB 連接器充電
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2022年傳感器和致動器成長15% 離散組件將回復正常水平

IC Insights日前發(fā)布報告指出，由于COVID-19造成的隔離和短缺因素，使得2021年全球光電組件產(chǎn)品、傳感器和致動器，以及離散組件 (O-S-D)的銷售額，均出現(xiàn)創(chuàng)紀錄的成長。但CMOS影像傳感器卻因美中對抗和某些系統(tǒng)因素，沒有相對應的結(jié)果。根據(jù)IC Insights一月半導體產(chǎn)業(yè)報告，2021年OSD總收入首次突破1000億美元，與2020年的883億美元相比，增加18%至1042億美元，當時三個市場的總銷售額成長不到3 %。報告顯示，OSD總銷售額占2021年全球6139億美元半導體市場
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摩爾定律如何繼續(xù)延續(xù)：3D堆疊技術(shù)或許是答案

按照摩爾定律進一步縮減晶體管特征尺寸的難度越來越大，半導體工藝下一步發(fā)展走到了十字路口。在逼近物理極限的情況下，新工藝研發(fā)的難度以及人力和資金的投入，也是呈指數(shù)級攀升，因此，業(yè)界開始向更多方向進行探索。
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雙目立體賦能3D機器視覺，銀牛攜芯片模組登陸中國市場

1? ?幾種3D深度感知技術(shù)比較3D深度感知主要有3個技術(shù)方向：雙目立體，結(jié)構(gòu)光，飛行時間（ToF），結(jié)構(gòu)光起步比較早，但是技術(shù)的局限性較大，而雙目立體的發(fā)展速度較快，勢頭迅猛。從物理原理上，雙目立體和結(jié)構(gòu)光二者都用了三角測距，但是雙目立體是依靠自然的紅外反射在攝像頭上產(chǎn)生特征點，來計算對象物深度的數(shù)據(jù)。結(jié)構(gòu)光需要有一個發(fā)射光的發(fā)射源，帶編碼的光到了對象物體再反射回來來計算這個深度。結(jié)構(gòu)光的弱點是在室外時，結(jié)構(gòu)光發(fā)射帶編碼的光經(jīng)常受到環(huán)境的干擾；而雙目立體不容易受到室外光的干擾，因此室
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IC PARK 年度盛事圓滿收官！業(yè)界翹楚云端論劍，引爆中國“芯”思潮

12月10日，第五屆“芯動北京”中關(guān)村IC產(chǎn)業(yè)論壇、“華為杯”第四屆中國研究生創(chuàng)“芯”大賽決賽開幕式以線上云會議的方式召開。今年是“十四五”規(guī)劃開局之年，本次會議在北京市委書記蔡奇提出的“舉全市之力做大做強集成電路產(chǎn)業(yè)”指示精神的背景下，高度聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，邀請了來自國內(nèi)外“政產(chǎn)學研用”領(lǐng)域嘉賓齊聚一堂，圍繞創(chuàng)“芯”機、育“芯”才等主題進行深入交流，探討當前形勢下我國集成電路產(chǎn)業(yè)如何應對挑戰(zhàn)，共繪集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍圖。北京市委常委、副市長殷勇，中國半導體行業(yè)協(xié)會設計分會理事長魏少軍，創(chuàng)“芯”大賽
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新思科技PrimeSim可靠性分析解決方案加速任務關(guān)鍵型IC設計超收斂

經(jīng)晶圓廠認證的全生命周期可靠性簽核有助于預防汽車、醫(yī)療和5G芯片設計中的過度設計和昂貴的后期ECO（工程變更指令）要點： ? 經(jīng)過驗證的技術(shù)統(tǒng)一工作流程在整個產(chǎn)品生命周期內(nèi)提供符合ISO 26262等標準的高性能可靠性分析? 與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無縫使用業(yè)界領(lǐng)先的仿真器進行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析? 與PrimeWave?設計環(huán)境整合
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多家IC設計廠商證實：收到臺積電漲價通知

　　原標題：多家IC設計廠商證實：收到臺積電漲價通知強調(diào)不影響合作關(guān)系　　8月25日，市場幾度傳出臺積電即將全線漲價，從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進制程漲幅達10%，到全面漲價20%，并從即日起生效。　　對此，據(jù)中央社報道，多家IC設計廠商證實收到臺積電漲價通知，并表示不會因而影響與臺積電的合作關(guān)系?！　C設計業(yè)者指出，臺積電包含7納米及5納米的先進制程漲價約7%至9%，其余成熟制程代工價格漲幅約20%?！　〈送?，臺積電罕見未給客戶緩沖期，今天通知漲價隨即于今天生效，供應鏈也緊急尋求因應
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媒體稱明年晶圓代工價漲定了，臺積電：不評論

　　財聯(lián)社6月24日訊，據(jù)媒體報道，IC設計業(yè)者透露，明年初晶圓代工價格已經(jīng)敲定，不僅聯(lián)電8英寸和12英寸的晶圓代工價格續(xù)漲，晶圓代工龍頭臺積電也漲價，部分8英寸和12英寸制程價格上漲一到兩成，且12英寸制程漲幅高于8英寸。臺積電發(fā)言窗口表示，不評論價格問題。
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AMD推動高效能運算產(chǎn)業(yè)發(fā)展首款3D chiplet應用亮相

AMD展示了最新的運算與繪圖技術(shù)創(chuàng)新成果，以加速推動高效能運算產(chǎn)業(yè)體系的發(fā)展，涵蓋游戲、PC以及數(shù)據(jù)中心。AMD總裁暨執(zhí)行長蘇姿豐博士發(fā)表AMD在高效能運算的最新突破，揭示AMD全新3D chiplet技術(shù)；與業(yè)界領(lǐng)導廠商特斯拉和三星合作，擴大了AMD運算與繪圖技術(shù)在汽車與手機市場的應用；新款AMD Ryzen處理器瞄準狂熱級玩家與消費性PC；最新AMD第3代EPYC處理器所帶來領(lǐng)先的數(shù)據(jù)中心效能；以及為游戲玩家提供的一系列全新AMD繪圖技術(shù)。 AMD總裁暨執(zhí)行長蘇姿豐展示AMD全新3D chi
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Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認證

空間應用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因為這類事件會降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開關(guān)元件，包括負載點轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電
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什么是3D XPoint？為什么它無人能敵卻又前景堪憂？

3D Xpoint技術(shù)是美光與英特爾共同開發(fā)的一種非易失性存儲技術(shù)。據(jù)悉，3D Xpoint的延遲速度僅以納秒計算，比NAND閃存速度提升1000倍，耐用性也更高，使得在靠近處理器的位置存儲更多的數(shù)據(jù)成為可能，可填補DRAM和NAND閃存之間的存儲空白。
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3d-ic介紹

3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細 ]