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3d-ic 文章 進(jìn)入3d-ic技術(shù)社區(qū)
芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”

- 國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體,由于其Metis平臺(tái)在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析方面的杰出表現(xiàn),近日在半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際在線(xiàn)平臺(tái)3D InCites的評(píng)選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱(chēng)號(hào)。?“Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì),這一事件引起了我們極大的關(guān)注。“3D?InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D
- 關(guān)鍵字: 芯和半導(dǎo)體 3D InCites Herb Reiter年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)
探索IC電源管理新領(lǐng)域的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用

- 本文深入探討物聯(lián)網(wǎng)電池技術(shù),并提出設(shè)計(jì)人員可能面臨的一些電源問(wèn)題,以及ADI提供的解決方案。這些高效的解決方案可以協(xié)助克服物聯(lián)網(wǎng)裝置中的其他問(wèn)題,包括尺寸、重量和溫度。隨著物聯(lián)網(wǎng)裝置越來(lái)越密集地應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、家庭自動(dòng)化和醫(yī)療應(yīng)用中,透過(guò)減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗,或者加快充電時(shí)間(對(duì)于可攜式物聯(lián)網(wǎng)裝置)來(lái)優(yōu)化這些裝置的電源管理的壓力也越來(lái)越大。相關(guān)的要求是所有這些都必須以小尺寸實(shí)現(xiàn),既不能影響散熱,也不能干擾裝置實(shí)現(xiàn)無(wú)線(xiàn)通信。 物聯(lián)網(wǎng)裝置的應(yīng)用領(lǐng)域幾乎沒(méi)有止境,每天都會(huì)考慮新的裝置和使用情況。
- 關(guān)鍵字: IC 電源管理 物聯(lián)網(wǎng) ADI
支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

- 本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝(用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能)的性能,就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料,包括更薄的勢(shì)壘層和熱預(yù)算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(zhǎng)。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線(xiàn)太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái),包括一個(gè)或多
- 關(guān)鍵字: 3D NAND DRAM 5nm SoC
不是“空中樓閣”:努比亞Pad 3D搭載全球最大Leia 3D內(nèi)容生態(tài)
- 近日,努比亞宣布,將在MWC 2023上,公布全球首款由AI引擎驅(qū)動(dòng)3D平板:努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術(shù), 這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣(mài)點(diǎn),是否會(huì)向其他同類(lèi)產(chǎn)品一樣,淪為“空中樓閣”。而今天,努比亞打消了用戶(hù)的這一顧慮。今天,努比亞官方宣布, 努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內(nèi)容生態(tài)系統(tǒng),包含大量運(yùn)用裸眼3D技術(shù)的App,并獲得了來(lái)自多個(gè)包括Unity、UNREL等游戲引擎,以及GAMELOFT等游戲開(kāi)發(fā)商的內(nèi)容支持。
- 關(guān)鍵字: 努比亞 MWC 3D 游戲引擎
半導(dǎo)體渠道商:庫(kù)存降低速度慢于預(yù)期

- IT之家 2 月 27 日消息,據(jù)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,半導(dǎo)體庫(kù)存問(wèn)題不僅 IC 設(shè)計(jì)廠(chǎng)商需要面對(duì),下游 IC 渠道商為顧及長(zhǎng)期合作關(guān)系,也常要與芯片原廠(chǎng)“共渡難關(guān)”。即便目前陸續(xù)傳出部分芯片有小量急單需求,有 IC 渠道廠(chǎng)商坦言,目前庫(kù)存去化速度還是比原本估計(jì)慢。IC 渠道廠(chǎng)商分析,市場(chǎng)目前的短單是否是曇花一現(xiàn),通貨膨脹、美聯(lián)儲(chǔ)加息狀況、俄烏沖突以及國(guó)內(nèi)是否會(huì)有報(bào)復(fù)性買(mǎi)盤(pán)需求等是觀察重點(diǎn)。不具名的 IC 渠道廠(chǎng)商透露,目前庫(kù)存去化狀況不如預(yù)期,假設(shè)原本估計(jì)的庫(kù)存去化速度是進(jìn) 0.5 個(gè)月的貨,
- 關(guān)鍵字: IC 市場(chǎng)
基于 Richtek RT5047GSP 在于 LNB/LNBF 10W電源方案

- 小耳朵衛(wèi)星天線(xiàn),在于一些偏遠(yuǎn)地區(qū)常見(jiàn),用于收看衛(wèi)星電視節(jié)目,由于衛(wèi)星電視的信號(hào)非常微弱,所以我們需要一個(gè)拋物面天線(xiàn)來(lái)聚焦信號(hào),還需要一個(gè)高頻頭,也稱(chēng)為L(zhǎng)NB或LNBF,通常LNB和饋源安裝在天線(xiàn)的焦點(diǎn)上來(lái)收集信號(hào)。LNB又叫高頻頭(Low Noise Block),即低噪聲下變頻器,其功能是將由饋源傳送的衛(wèi)星信號(hào)經(jīng)過(guò)放大和下變頻,把Ku或C波段信號(hào)變成L波段,經(jīng)同軸電纜傳送給衛(wèi)星接收機(jī),每只LNB只能用于某一波段,因?yàn)镾、C和KU波段需要不同的波導(dǎo)管。也有一些類(lèi)型是用于圓極化和線(xiàn)極化信號(hào)接收的,它們主要在
- 關(guān)鍵字: Richtek 升壓 LNB STB Power IC
意法半導(dǎo)體和鈺立微電子在 CES 2023上展出合作成果: 適用于機(jī)器視覺(jué)和機(jī)器人的3D 立體視覺(jué)攝像頭

- 雙方將通過(guò)立體攝像頭數(shù)據(jù)融合技術(shù)演示3D立體深度視覺(jué), *AIoT 、AGV小車(chē)和工業(yè)設(shè)備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運(yùn)動(dòng)物體參考設(shè)計(jì)利用意法半導(dǎo)體的高性能近紅外全局快門(mén)圖像傳感器,確保打造出最佳品質(zhì)的深度感測(cè)和*點(diǎn)云圖資訊2023年1月5日,中國(guó)----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費(fèi)電子展上,服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM),和專(zhuān)
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如何達(dá)到3D位置感測(cè)的實(shí)時(shí)控制

- 本文回顧3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的基礎(chǔ)知識(shí),并描述在機(jī)器人、篡改偵測(cè)、人機(jī)接口控制和萬(wàn)向節(jié)馬達(dá)系統(tǒng)中的用途;以及介紹高精密度線(xiàn)性3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的范例。用于實(shí)時(shí)控制的3D位置感測(cè)在各種工業(yè)4.0應(yīng)用中不斷增加,從工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化系統(tǒng),到掃地機(jī)器人和保全。3D霍爾效應(yīng)位置傳感器是這些應(yīng)用的理想選擇;它們具有高重復(fù)性和可靠性,還可以與窗戶(hù)、門(mén)和外殼搭配,進(jìn)行入侵或磁性篡改偵測(cè)。盡管如此,使用霍爾效應(yīng)傳感器設(shè)計(jì)有效且安全的3D感測(cè)系統(tǒng)可能復(fù)雜且耗時(shí)。霍爾效應(yīng)傳感器需要與足夠強(qiáng)大的微控制器(MCU)介接,以
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14年后 全球半導(dǎo)體行業(yè)突然按下“暫停鍵”:減支力度高達(dá)19%
- 以存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)商為代表,包括美光、SK海力士等在內(nèi),均宣布將減少明年的資本支出,這些錢(qián)一般用于擴(kuò)建擴(kuò)產(chǎn)等,反映出行業(yè)的低迷。實(shí)際上,整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的日子都不太好過(guò)。日前,統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布最新研報(bào),預(yù)測(cè)明年全產(chǎn)業(yè)的資本支出將同比下滑19%,在1466億美元左右。據(jù)悉,這是繼2008~2009金融危機(jī)以來(lái)的最大降幅,當(dāng)時(shí)的降幅一度高達(dá)40%??勺鰧?duì)比的是,半導(dǎo)體資本支出在過(guò)去今年迎來(lái)了高速增長(zhǎng),2021年增長(zhǎng)35%達(dá)到1531億美元,今年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)19%達(dá)到1817億美元,創(chuàng)下歷史新高。
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大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識(shí)別門(mén)禁系統(tǒng)方案

- 2022年11月16日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下世平推出基于耐能(Kneron)KL520芯片的3D AI人臉識(shí)別門(mén)禁系統(tǒng)方案。 圖示1-大聯(lián)大世平基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識(shí)別門(mén)禁系統(tǒng)方案的展示板圖 在現(xiàn)代化經(jīng)濟(jì)建設(shè)和智能管理的驅(qū)動(dòng)下,人工智能門(mén)禁系統(tǒng)作為安防基礎(chǔ)核心迎來(lái)了前所未有的廣闊前景。特別是在疫情這個(gè)特殊情境下,各種酒店、賓館、寫(xiě)字樓、智能大廈、政府機(jī)關(guān)等單位,對(duì)于多功能智能門(mén)禁系統(tǒng)的需求更是日益攀高。在此趨勢(shì)下,大
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Arm Immortalis 實(shí)現(xiàn) 3D 游戲新境界
- 新聞重點(diǎn)· 隨著業(yè)界首次采用 Arm 2022 全面計(jì)算解決方案,Arm 持續(xù)提高安卓生態(tài)系統(tǒng)的性能標(biāo)桿· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光線(xiàn)追蹤,將為高級(jí)移動(dòng)游戲提供超真實(shí)的圖形性能· Arm Cortex-X3 所提供的計(jì)算基礎(chǔ)可為新一代智能手機(jī)提供具有智能能效的旗艦性能Arm? 今日宣布,MediaTek 近期發(fā)布的天璣 9200 移動(dòng)芯片采用了 Arm 旗艦級(jí) GPU Arm Immortalis?-G
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臺(tái)積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個(gè)合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟
- 臺(tái)積電10月27日宣布,成立開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)3D Fabric聯(lián)盟以推動(dòng)3D半導(dǎo)體發(fā)展,目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門(mén)子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個(gè)合作伙伴同意加入。據(jù)悉,3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺(tái)積電的3DFabric技術(shù),使得他們能夠與臺(tái)積電同步開(kāi)發(fā)及優(yōu)化解決方案,也
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西門(mén)子推軟件解決方案 加快簡(jiǎn)化2.5D/3D IC可測(cè)試性設(shè)計(jì)
- 西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案,旨在幫助客戶(hù)加快和簡(jiǎn)化基于2.5D和3D架構(gòu)的新一代集成電路(IC)關(guān)鍵可測(cè)試性設(shè)計(jì)(DFT)。隨著市場(chǎng)對(duì)于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升,IC設(shè)計(jì)界也面臨著嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復(fù)雜的2.5D和3D架構(gòu),以垂直(3D IC)或并排(2.5D)方式連接多個(gè)晶粒,使其能夠作為單一組件運(yùn)作。但是,這種做法為芯片測(cè)試帶來(lái)巨大的挑戰(zhàn),因?yàn)榇蟛糠謧鹘y(tǒng)的測(cè)試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn),西門(mén)子推出Tess
- 關(guān)鍵字: 西門(mén)子 2.5D 3D 可測(cè)試性設(shè)計(jì)
高手在民間 世界技能大賽特別賽中國(guó)已奪8金 位居第一
- 10月17日,2022年世界技能大賽特別賽韓國(guó)賽區(qū)閉幕式舉行,中國(guó)6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個(gè)優(yōu)勝獎(jiǎng),實(shí)現(xiàn)多個(gè)項(xiàng)目上金牌和獎(jiǎng)牌零的突破?! ”敬翁貏e賽韓國(guó)賽區(qū)比賽于10月12日開(kāi)幕,共舉行8個(gè)項(xiàng)目的比賽,吸引了來(lái)自34個(gè)國(guó)家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國(guó)選手參加其中6個(gè)項(xiàng)目的角逐?! ∑渲校瑏?lái)自廣州市工貿(mào)技師學(xué)院的選手楊書(shū)明獲得移動(dòng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)項(xiàng)目金牌,成為本次大賽該新增項(xiàng)目首個(gè)金牌獲得者?! ?lái)自深圳技師學(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數(shù)字游戲藝術(shù)項(xiàng)目、云計(jì)算項(xiàng)目金牌,實(shí)現(xiàn)我國(guó)在這兩個(gè)項(xiàng)目上
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3d-ic介紹
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸,分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating),由晶圓廠(chǎng)負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求,TSV芯片必須經(jīng)過(guò)晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(xiàn)(RDL)、晶圓凸塊等制程,稱(chēng)之為中段,可由晶圓廠(chǎng)或封測(cè) [ 查看詳細(xì) ]
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