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打破 BMS IC 的復雜性

電池管理系統(tǒng) （BMS） IC 是一個相對復雜的系統(tǒng)。與大多數電源管理 IC 不同，它集成了許多相互依賴的功能，這些功能必須準確、無縫、和諧地工作，才能提供功能齊全的 BMS。在任何電池供電的設備中，BMS 都是最關鍵和最敏感的組件之一，通常是最重要的。鋰離子電池雖然功能強大，但高度敏感，如果處理不當可能會帶來安全風險。保養(yǎng)不當也會顯著縮短它們的使用壽命，導致容量減少，甚至使電池無法使用。BMS IC 是負責確保電池組運行狀況、報告其狀態(tài)和保持最佳性能的關鍵元件 - 無論是獨立還是與系統(tǒng)處理器協(xié)作。&nb
關鍵字： BMS IC 集成電路電池管理系統(tǒng)

紫光國微2.5D/3D先進封裝項目將擇機啟動

日前，紫光國微在投資者互動平臺透露，公司在無錫建設的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產線通線，現正在推動量產產品的上量和更多新產品的導入工作，2.5D/3D等先進封裝將會根據產線運行情況擇機啟動。據了解，無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團在芯片制造領域的重點布局項目，也是紫光國微在高可靠芯片領域的重要產業(yè)鏈延伸。擬建設小批量、多品種智能信息高質量可靠性標準塑料封裝和陶瓷封裝生產線，對保障高可靠芯片的產業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
關鍵字：紫光國微 2D/3D 芯片封裝

國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據媒體報道，近日，研究人員發(fā)現了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調整化學成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學家通過模擬和實驗進行的。根據報道，前PPPL研究員、現就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學所需的非常小但很深的圓孔的最簡
關鍵字： 3D NAND 深孔蝕刻

李飛飛對計算機視覺的愿景：World Labs 正為機器提供 3D 空間智能

斯坦福大學教授李飛飛已經在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學習革命中發(fā)揮了重要作用，多年來努力創(chuàng)建 ImageNet 數據集和競賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識別 1000 個類別的物體和動物。2012 年，一個名為 AlexNet 的神經網絡在 AI 研究界引起了震動，它的性能遠遠超過了所有其他類型的模型，并贏得了 ImageNet 比賽。從那時起，神經網絡開始騰飛，由互聯網上現在提供的大量免費訓練數據和提供前所未有的計算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
關鍵字：李飛飛對計算機視覺的愿景：World Labs 正在為機器提供 3D 空間智能

谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型可一鍵生成超逼真3D互動世界

12月5日消息，美國當地時間周三，谷歌旗下人工智能研究機構DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng)造出“無窮無盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時候推出的Genie模型的升級版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個可愛的機器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構建出一個交互式的實時場景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
關鍵字：谷歌 DeepMind Genie 2 模型 3D 互動世界

Teledyne推出用于在線3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

Teledyne DALSA推出在線3D機器視覺應用開發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡化生產線上的3D測量和檢測任務。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動汽車（電動汽車電池、電機定子等）、汽車、電子、半導體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠自動化應用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡化的工具，用于
關鍵字： Teledyne 3D測量 Z-Trak 3D Apps Studio

三星大幅減少未來生產NAND所需光刻膠使用量

據韓媒報道，稱三星電子在生產 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
關鍵字：三星光刻膠 3D NAND

官宣了！IC China 2024將于11月18日在北京舉行

11月1日下午，第二十一屆中國國際半導體博覽會（IC China 2024）新聞發(fā)布會在北京舉行。中國半導體行業(yè)協(xié)會副理事長兼秘書長張立、中國半導體行業(yè)協(xié)會執(zhí)行秘書長王俊杰、北京賽迪出版?zhèn)髅接邢薰究偨浝硭尾ǔ鱿瘯h，分別介紹IC China 2024的舉辦意義、籌備情況、特色亮點，并回答記者提問。發(fā)布會由中國半導體行業(yè)協(xié)會專職副理事長兼書記劉源超主持。發(fā)布會披露，IC China 2024由中國半導體行業(yè)協(xié)會主辦，北京賽迪出版?zhèn)髅接邢薰境修k，將于11月18日—20日在北京國家會議中心舉辦。自2003年
關鍵字： IC China 2024

臺積電OIP推3D IC設計新標準

臺積電OIP（開放創(chuàng)新平臺）于美西當地時間25日展開，除表揚包括力旺、M31在內之業(yè)者外，更計劃推出3Dblox新標準，進一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術實現優(yōu)化的設計。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設計合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設計的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
關鍵字：臺積電 OIP 3D IC設計

倒計時5天！ICDIA-IC Show & AEIF 2024 蓄勢待發(fā)

（一）會議概況2024中國集成電路設計創(chuàng)新大會暨第四屆IC應用展（ICDIA-IC Show）和第十一屆汽車電子創(chuàng)新大會（AEIF）暨汽車電子應用展將于9月25-27日在無錫同期召開，兩會共設2場高峰論壇、8場專題分會（含1場供需對接+1場強芯發(fā)布），150場報告，6000+平米展區(qū)展示，200+展商展示IC創(chuàng)新成果與整機應用，200+行業(yè)大咖，500+企業(yè)高管，5000+行業(yè)嘉賓參會。會議看點1、第十屆汽車電子創(chuàng)新大會（AEIF）概況2024 AEIF技術展覽規(guī)模將全面升級，聚焦大模型與AI算力、汽車電
關鍵字： ICDIA-IC Show & AEIF 2024

東芝推出全新可重復使用的電子熔斷器(eFuse IC)系列產品

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出新系列8款小型高壓電子熔斷器（eFuse IC）——TCKE9系列，支持多種供電線路保護功能。首批兩款產品“TCKE903NL”與“TCKE905ANA”于今日開始支持批量出貨，其他產品將陸續(xù)上市。TCKE9系列產品具有電流限制和電壓鉗位功能，可保護供電電路中的線路免受過流和過壓狀況的影響，這是標準物理熔斷器無法做到的。即使發(fā)生異常過流或過壓，也能保持指定的電流和電壓。此外，新產品還具有過熱保護和短路保護功能，當電路產生異常熱量或發(fā)生意外短路時，可通
關鍵字：東芝電子熔斷器 eFuse IC

鎧俠公布藍圖：2027年實現1000層3D NAND堆疊

近日，據媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實現1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數經歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031
關鍵字：鎧俠 3D NAND堆疊

SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%

6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關于3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發(fā)上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
關鍵字： SK海力士 3D DRAM

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3d-ic介紹

3D IC產業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細 ]