3d-ic 文章進(jìn)入3d-ic技術(shù)社區(qū)

2017年中國IC封測廠商業(yè)績分析

　　根據(jù)拓墣預(yù)估2017年全球IC封測產(chǎn)值成長2.2%達(dá)到517.3億美元，相較于2016年全球IC封測產(chǎn)值出現(xiàn)了止跌回升現(xiàn)象，主因受惠于行動通訊電子產(chǎn)品的需求量上升，帶動高I/O數(shù)及高整合度先進(jìn)封裝的滲透率上升，同時對于封測產(chǎn)品質(zhì)與量的要求同步提升。　　1、中國海外并購難度加大轉(zhuǎn)而專注開發(fā)先進(jìn)封裝技術(shù) 　　2017年全球封測業(yè)市場顯得相對平靜，隨著全球產(chǎn)業(yè)整合及競爭加劇，中國廠商可選擇的并購標(biāo)的大幅減少，使得2017年國內(nèi)資本海外并購態(tài)勢趨緩，并購難度加大，在此情況下的中國IC封測廠商將發(fā)展重點(diǎn)，
關(guān)鍵字：封測 IC

人機(jī)界面技術(shù)大盤點(diǎn)

人機(jī)界面技術(shù)大盤點(diǎn)- 人機(jī)界面，真正意義上的人機(jī)交互方式是人將擺脫任何形式的交互界面，輸入信息的方式變得越來越簡單、隨意、任性，借助于人工智能與大數(shù)據(jù)的融合，能夠非常直觀、直接、全面地捕捉到人的需求，并且協(xié)助處理。
關(guān)鍵字：人機(jī)交互 NaturalID 3D-Touch ClearPad3350

3D Touch技術(shù)及蘋果3D觸屏誕生記

3D Touch技術(shù)及蘋果3D觸屏誕生記-這些年來，蘋果公司（Apple）造出了很多東西，但制作過程基本保持不變：找到某樣又丑又復(fù)雜的東西，把它變得更漂亮更簡單。
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2017年靠存儲市場拉動全球IC市場將實(shí)現(xiàn)逆天的22%增長

　　NAND閃存市場強(qiáng)勢增長44%，DRAM市場逆天增長74%，兩相加持之下，2017年IC市場將實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁增長。　　在今年年中的更新版報告中，IC Insights將今年全球IC市場增速修正為16%。而在十月份更新版麥克萊恩報告中，IC Insights將2017年IC市場增長率預(yù)測值提高到22%，比去年的增速提高了6個百分點(diǎn)。IC的單位出貨量增長率預(yù)測也從“年中更新版報告”中的11%上修至目前的14%。如下圖所示，IC市場規(guī)模及單位出貨量的預(yù)測值修訂主要?dú)w因于DRAM和NAN
關(guān)鍵字：存儲 IC

IC驅(qū)動LCD方案分析以及考量，為什么STN點(diǎn)陣會引起LCD出現(xiàn)錯誤？是否驅(qū)動的問題？

IC驅(qū)動LCD方案分析以及考量，為什么STN點(diǎn)陣會引起LCD出現(xiàn)錯誤？是否驅(qū)動的問題？-LCD驅(qū)動IC可運(yùn)用其驅(qū)動控制手法來提升液晶畫質(zhì)，由于傳統(tǒng)CRT（陰極射線管，俗稱：映像管）的顯示是用電子光束打擊熒光質(zhì)，光束移位后熒光質(zhì)的發(fā)光效應(yīng)就開始消退，相對的LCD的顯示是持續(xù)持留性的，因此LCD的動態(tài)顯示效果不如傳統(tǒng)CRT，為了達(dá)到逼近于CRT的顯示特性，因此LCD驅(qū)動IC改變了驅(qū)動方式，也實(shí)行類似電子光束的間歇脈沖方式（ImpulseType）來驅(qū)動，以此改善動態(tài)畫質(zhì)。
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技術(shù)工程師分享：為何PCB設(shè)計需要3D功能?

技術(shù)工程師分享：為何PCB設(shè)計需要3D功能?-實(shí)時3D圖形技術(shù)通過3D PCB設(shè)計工具，已為PCB設(shè)計領(lǐng)域帶來變革。對于希望從3D中獲益的PCB設(shè)計者，這意味著要選擇一種能夠提供全3D功能的軟件方案。這種方案提供了電路板設(shè)計者所需要的、能夠幫助他們在日趨復(fù)雜的設(shè)計環(huán)境中創(chuàng)建出具有競爭力的下一代電子產(chǎn)品的功能。
關(guān)鍵字： PCB 3D 電路板 CAD

3D液晶電視顯示技術(shù)原理解析

3D液晶電視顯示技術(shù)原理解析-對于3D電視來說，可能很多朋友僅僅局限于對畫面效果的認(rèn)識，對其顯示原理，很多朋友并不是十分了解。為此，在3D電視陸續(xù)進(jìn)入消費(fèi)者家庭的同時，不妨我們先一起來了解一下3D電視技術(shù)方面的相關(guān)信息。
關(guān)鍵字： 3D LG 松下

MCU數(shù)位控制IC技術(shù)日趨成熟

MCU數(shù)位控制IC技術(shù)日趨成熟-變頻馬達(dá)主要依靠半導(dǎo)體元件組成的電子電路來驅(qū)動馬達(dá)運(yùn)轉(zhuǎn)，其中MCU數(shù)位控制技術(shù)的好壞關(guān)系著馬達(dá)效率是否理想;而在MCU控制技術(shù)日趨成熟，加上FOC演算法助力之下，變頻馬達(dá)效率將逐步躍進(jìn)。
關(guān)鍵字： MCU IC FOC 馬達(dá)

中國最好學(xué)科排名清華系在IC界強(qiáng)勢的根本所在

　　繼“雙一流名單”公布之后，12日凌晨“中國最好學(xué)科排名”也隨之而來。該名單和“雙一流”名單出入很小，學(xué)院數(shù)量也相當(dāng)。“中國最好學(xué)科排名”名單是由始創(chuàng)于2003年的世界大學(xué)學(xué)術(shù)排名(ARWU)機(jī)構(gòu)發(fā)布，排行榜涵蓋91個一級學(xué)科。　　　　　　如果單從名單的排名看，北大無愧于中國第一學(xué)府的名號，北京大學(xué)是在各學(xué)科中擁有“頭牌”學(xué)科最多的高
關(guān)鍵字：清華 IC

掌握IC封裝的特征能讓EMI達(dá)到最佳抑制性能？

掌握IC封裝的特征能讓EMI達(dá)到最佳抑制性能？-將去耦電容直接放在IC封裝內(nèi)可以有效控制EMI并提高信號的完整性，本文從IC內(nèi)部封裝入手，分析EMI的來源、IC封裝在EMI控制中的作用，進(jìn)而提出11個有效控制EMI的設(shè)計規(guī)則，有助于設(shè)計工程師在新的設(shè)計中選擇最合適的集成電路芯片，以達(dá)到最佳EMI抑制的性能。
關(guān)鍵字： emi ic

只有跳出專用IC方案電池管理系統(tǒng)創(chuàng)新才可期待

只有跳出專用IC方案電池管理系統(tǒng)創(chuàng)新才可期待-電池管理專用IC的出現(xiàn)和發(fā)展是和鋰電池應(yīng)用過程中遇到的種種問題息息相關(guān)的。最早是為了解決鋰電池的過充過放而設(shè)計出了單節(jié)電池的充放電保護(hù)芯片，后來在鋰電池多節(jié)串聯(lián)應(yīng)用中又發(fā)展出應(yīng)用于多串的芯片，這時候就成為了電池管理芯片，主要是對電池組中的每節(jié)電池電壓數(shù)據(jù)進(jìn)行采集。
關(guān)鍵字： ic 電池電池管理系統(tǒng)

3D Systems總部大樓以860萬美元的價格出售給3D Fields LLC

　　3D Systems突然賣掉了他們的總部!3D打印行業(yè)巨頭3D Systems全球總部位于Rock Hill SC的工業(yè)園區(qū)，緊鄰夏洛特附近的NC邊界南部，并已在那里辦公多年。　　該8萬平方米的巨型建筑設(shè)施不僅包括制造和管理，還包括一個大型(完全秘密)的研究實(shí)驗(yàn)室，而在前面是一個顯著的示范展覽區(qū)。　　根據(jù)夏洛特商業(yè)雜志：最近交易之后，全球工業(yè)設(shè)備供應(yīng)商3D Systems的總部都處于新的所有權(quán)位置。位于Rock Hill的3D Systems的8028平方英尺的建筑物以860萬美元的價格向
關(guān)鍵字： 3D Systems

3D NAND微縮極限近了嗎？

隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
關(guān)鍵字： 3D NAND 摩爾定律

3D Systems總部大樓以860萬美元的價格出售給3D Fields LLC

　　3D Systems突然賣掉了他們的總部!3D打印行業(yè)巨頭3D Systems全球總部位于Rock Hill SC的工業(yè)園區(qū)，緊鄰夏洛特附近的NC邊界南部，并已在那里辦公多年。　　　　該8萬平方米的巨型建筑設(shè)施不僅包括制造和管理，還包括一個大型(完全秘密)的研究實(shí)驗(yàn)室，而在前面是一個顯著的示范展覽區(qū)。　　根據(jù)夏洛特商業(yè)雜志：最近交易之后，全球工業(yè)設(shè)備供應(yīng)商3D Systems的總部都處于新的所有權(quán)位置。位于Rock Hill的3D Systems的8028平方英尺的建筑
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3d-ic介紹

3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細(xì) ]