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新型LED驅(qū)動器IC可實(shí)現(xiàn)大功率汽車LED前燈
- 到2015年, 高亮度(HB)LED的市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到202 億美元( 數(shù)據(jù)來源:Strategies Unlimited)。驅(qū)動這種增長的關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域之一是汽車設(shè)計(jì)中使用的LED,包括
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲
- 去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù),它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計(jì)算,但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示,3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度,而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當(dāng)時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明,而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是,現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩,悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲
- 去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù),它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計(jì)算,但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示,3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度,而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當(dāng)時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明,而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是,現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩,悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存,32層堆棧

- 摘要:由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈,閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價,這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項(xiàng)目,其中國家級的存儲芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo),預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點(diǎn)不算低。 2015年中,國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè),今年3月份12寸晶圓廠正式動工,整個項(xiàng)目預(yù)
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2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

- 由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈,閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價,這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中,存儲芯片是最優(yōu)先的,也是全國各地都爭著上馬的項(xiàng)目,其中國家級的存儲芯片基地在武漢,投資超過240億美元,之前是新芯科技主導(dǎo),現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo),預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存,而且是32層堆棧的,起點(diǎn)不算低。 2015年中,國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市,由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè),今年3月份12寸晶圓
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推動“大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新”
- 中國重慶渝北區(qū)仙桃數(shù)據(jù)谷近日建立 “ ARM架構(gòu)集成電路產(chǎn)業(yè)支持平臺”,該平臺將為在重慶渝北區(qū)落戶的IC設(shè)計(jì)企業(yè)提供ARM IP購買、技術(shù)服務(wù)、設(shè)計(jì)工具、培訓(xùn)等全方位支持。 該平臺的建立將直接推動重慶本地以IC設(shè)計(jì)為代表的電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新項(xiàng)目發(fā)展,凡在重慶仙桃數(shù)據(jù)谷落地的電子與集成電路設(shè)計(jì)相關(guān)企業(yè)今后都能申請此平臺支持,重慶渝北區(qū)政府將對符合條件的項(xiàng)目與企業(yè)提供優(yōu)惠補(bǔ)貼,幫助其迅速并以優(yōu)惠價格獲得ARM IP、設(shè)計(jì)工具以及相關(guān)培訓(xùn)與技術(shù)支持等。該平臺的建立有利于IC設(shè)計(jì)企業(yè)降
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IC 的熱特性-熱阻
- IC 封裝的熱特性對IC 應(yīng)用和可靠性是非常重要的參數(shù)。本文詳細(xì)描述了標(biāo)準(zhǔn)封裝的熱特性主要參數(shù):熱阻(ΘJA、ΘJC、ΘCA)等參數(shù)。本文就熱阻相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展、物理意義及測量方式等相關(guān)問題作詳細(xì)介紹,并提出了在實(shí)際系統(tǒng)中熱計(jì)算和熱管理的一些經(jīng)驗(yàn)方法。希望使電子器件及系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師能明了熱阻值的相關(guān)原理及應(yīng)用,以解決器件及系統(tǒng)過熱問題。
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大陸IC產(chǎn)業(yè) 國家意志崛起
- 回顧2011~2015年資料,中國IC產(chǎn)業(yè)年產(chǎn)值增幅保持在10%以上,近2年增長幅度更是維持在20%左右,而制造端從2012年起增速逐步上升,至2015年產(chǎn)值年增率更是來到25%,充分體現(xiàn)中國在IC制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面強(qiáng)烈的國家意志。 一、中國IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值 與IC制造業(yè)產(chǎn)值 積 體電路產(chǎn)業(yè)在國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全中占有至關(guān)重要的地位,2000年以來,中國政府發(fā)表了一系列IC產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)扶持和發(fā)展政策從未間斷,其中“國家積體電 路發(fā)展推進(jìn)綱要”提出目標(biāo):中國積體電路產(chǎn)業(yè)
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中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園要當(dāng)“全球芯創(chuàng)中心”
- 很多國際企業(yè)與大師來中國,不一定是對中國有多么深的感情,而是因?yàn)橹袊氖袌?。因?yàn)楹M饪赡軟]有這么大的市場,或市場已經(jīng)發(fā)展完了,而只有中國才有這種投資建設(shè)的需求?! ”本┲嘘P(guān)村集成電路(IC)設(shè)計(jì)園正是看到了這點(diǎn)。一方面,積極扶植園內(nèi)中小型企業(yè),另一方面,建立海外對接平臺力圖吸引國際化的創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì),為他們提供在華企業(yè)注冊、辦公條件、項(xiàng)目投融資等眾多便利條件?!拔覀儼凑帐澜缫涣鲌@區(qū)來建造,成為‘全球‘芯’創(chuàng)中心’只是一個時間問題?!北本┲嘘P(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園發(fā)展有限責(zé)任公司副總經(jīng)理指出?! ?jù)悉,園區(qū)將打造創(chuàng)
- 關(guān)鍵字: 北京中關(guān)村集成電路(IC)設(shè)計(jì)園 安俠睿 201610
通過主動輸出放電功能來保護(hù)敏感和昂貴的負(fù)載

- 傳統(tǒng)上,一直用高效率開關(guān)穩(wěn)壓器給這類器件供電,但是開關(guān)穩(wěn)壓器可能有潛在的噪聲干擾問題以及瞬態(tài)響應(yīng)和布局限制。因此, 低壓差(LDO)線性穩(wěn)壓器在這類應(yīng)用以及其他低壓轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中開始受到關(guān)注。本文通過介紹LDO和其他穩(wěn)壓器面臨的挑戰(zhàn)以及凌力爾特公司的LT306x 系列穩(wěn)壓器,說明了在新的電路設(shè)計(jì)方法和改進(jìn)的芯片制造工藝下LDO的特點(diǎn)以及應(yīng)用前景。
- 關(guān)鍵字: LDO 線性穩(wěn)壓器 IC 負(fù)載 201610
3d-ic介紹
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸,分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating),由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求,TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程,稱之為中段,可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細(xì) ]
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