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三星推出512GB 內(nèi)存擴展器CXL DRAM

  • 2022年5月10日 ,作為先進內(nèi)存技術(shù)的廠商,三星宣布開發(fā)出三星首款512 GB 內(nèi)存擴展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步,CXL將在IT系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。三星半導體512GB 內(nèi)存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比,新開發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍,從而讓服務(wù)器擴展至數(shù)十TB,而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本,以推動CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
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NVIDIA透過人工智能 將2D平面照片轉(zhuǎn)變?yōu)?D立體場景

  • 當人們在75年前使用寶麗來 (Polaroid ) 相機拍攝出世界上第一張實時成像照片時,便是一項以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創(chuàng)舉。時至今日,人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉(zhuǎn)過來,亦即在幾秒鐘內(nèi)將一組靜態(tài)影像變成數(shù)字 3D 場景。 NVIDIA Research 透過人工智能,在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場景這項稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過程,利用 AI 來預估光線在真實世界中的表現(xiàn),讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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第二季度DRAM跌幅估縮小

  • 根據(jù)市調(diào)預估,第二季整體DRAM平均價格跌幅約0~5%,跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高,再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響,進而削弱消費者購買力道,目前僅服務(wù)器為主要支撐內(nèi)存需求來源,故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標準型PC DRAM方面,受俄烏戰(zhàn)爭影響,引發(fā)PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略,且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形,進而下修今年的出貨目標,然而整體供給位卻仍在增長,故第二季PC DRAM價格跌幅達3~8%,且可能會進一步惡化。在服務(wù)器DR
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適用于 TMAG5170 SPI 總線接口、高精度線性 3D 霍爾效應(yīng)傳感器的評估模塊

  • TMAG5170UEVM 是一個易于使用的平臺,用于評估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面 (GUI),用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測量結(jié)果。還包括一個 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊,用于通過單個器件測試角度測量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測量結(jié)果· 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過常見的 micro-USB 連接器充電
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三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動平臺上驗證使用

  • 今日三星宣布,高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM,并應(yīng)用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來,三星與高通技術(shù)公司密切合作,優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X,用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍,有
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摩爾定律如何繼續(xù)延續(xù):3D堆疊技術(shù)或許是答案

  • 按照摩爾定律進一步縮減晶體管特征尺寸的難度越來越大,半導體工藝下一步發(fā)展走到了十字路口。在逼近物理極限的情況下,新工藝研發(fā)的難度以及人力和資金的投入,也是呈指數(shù)級攀升,因此,業(yè)界開始向更多方向進行探索。
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雙目立體賦能3D機器視覺,銀牛攜芯片模組登陸中國市場

  • 1? ?幾種3D深度感知技術(shù)比較3D深度感知主要有3個技術(shù)方向:雙目立體,結(jié)構(gòu)光,飛行時間(ToF),結(jié)構(gòu)光起步比較早,但是技術(shù)的局限性較大,而雙目立體的發(fā)展速度較快,勢頭迅猛。從物理原理上,雙目立體和結(jié)構(gòu)光二者都用了三角測距,但是雙目立體是依靠自然的紅外反射在攝像頭上產(chǎn)生特征點,來計算對象物深度的數(shù)據(jù)。結(jié)構(gòu)光需要有一個發(fā)射光的發(fā)射源,帶編碼的光到了對象物體再反射回來來計算這個深度。結(jié)構(gòu)光的弱點是在室外時,結(jié)構(gòu)光發(fā)射帶編碼的光經(jīng)常受到環(huán)境的干擾;而雙目立體不容易受到室外光的干擾,因此室
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微結(jié)構(gòu)不均勻性(負載效應(yīng))及其對器件性能的影響:對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

  • 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限,制造變量和微負載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而對于先進的DRAM,晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結(jié)構(gòu)中,電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限,制造變量和微負載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而對于先進的DRAM,晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中,我們將為大家呈現(xiàn),如何利用SEMulator3D研究先進DR
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美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn):1γ節(jié)點導入

  • 三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝,其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息,CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后,EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝,其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認,美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍圖,將由10nm世代中的1γ(gamma)工藝節(jié)點開始導入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產(chǎn),預
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TrendForce:第四季PC DRAM合約價將轉(zhuǎn)跌0~5%

  • 根據(jù)TrendForce調(diào)查,第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成,受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應(yīng),本季合約價調(diào)漲3~8%,但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起,DRAM現(xiàn)貨市場已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣方積極調(diào)節(jié)手上庫存,持續(xù)降價求售。合約市場方面,先前PC OEMs因擔憂長短料問題而大量備料,使DRAM庫存已達高水位,庫存迭高問題成為漲價的阻力,再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低,進而拉低PC DRAM的總需求量。因此,預估PC DRAM合約價于第四
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三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

  •   三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好,其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預計該部門將持續(xù)增長,尤其是針對高端服務(wù)器和高性能計算(HPC)市場的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊,該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個512GB DDR5 DRAM模塊,從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案?! 〉聦嵶C明,這家韓國巨頭可能還不滿足,因為它計劃在不久的將來的某個時候更進一步,生產(chǎn)768GB DDR5模塊,也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
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EUV技術(shù)開啟DRAM市場新賽程

  • SK海力士公司在7月12日表示,本月已經(jīng)開始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外(EUV)工藝,這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說法,比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品,第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%,成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應(yīng)給智能手機制造商,并且還將在2022年初開始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明,正式啟用EUV光刻機閃存內(nèi)存芯片,批量生產(chǎn)采用
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SK海力士開始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級DRAM

  • SK海力士宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米(1a)級工藝的?8Gigabit(Gb)?*LPDDR4 移動端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格。“DDR” 為電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Electron Device Engineering Council,簡稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標準名稱,DDR1-2-3-4為其順序進行換代。?圖1.
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AMD推動高效能運算產(chǎn)業(yè)發(fā)展 首款3D chiplet應(yīng)用亮相

  • AMD展示了最新的運算與繪圖技術(shù)創(chuàng)新成果,以加速推動高效能運算產(chǎn)業(yè)體系的發(fā)展,涵蓋游戲、PC以及數(shù)據(jù)中心。AMD總裁暨執(zhí)行長蘇姿豐博士發(fā)表AMD在高效能運算的最新突破,揭示AMD全新3D chiplet技術(shù);與業(yè)界領(lǐng)導廠商特斯拉和三星合作,擴大了AMD運算與繪圖技術(shù)在汽車與手機市場的應(yīng)用;新款AMD Ryzen處理器瞄準狂熱級玩家與消費性PC;最新AMD第3代EPYC處理器所帶來領(lǐng)先的數(shù)據(jù)中心效能;以及為游戲玩家提供的一系列全新AMD繪圖技術(shù)。 AMD總裁暨執(zhí)行長蘇姿豐展示AMD全新3D chi
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美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng)新

  • 近日,在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中,美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項產(chǎn)品創(chuàng)新,涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲創(chuàng)新產(chǎn)品,并推出業(yè)界首款面向汽車應(yīng)用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術(shù)體現(xiàn)了美光通過內(nèi)存和存儲創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動洞察的愿景,從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新,突出了內(nèi)存和存儲在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟背后,有一
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3d dram介紹

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