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美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn):1γ節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入

作者: 時間:2021-08-22 來源:ZOL 收藏

三星、SK海力士及確定未來會用工藝,其中工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202108/427721.htm

芯研所8月21日消息,CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后,光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及也確定未來會用EUV工藝,其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn),美光已將EUV技術(shù)納入技術(shù)藍(lán)圖,將由10nm世代中的1γ(gamma)工藝節(jié)點(diǎn)開始導(dǎo)入。美光EUV工藝將會先在臺中A3廠生產(chǎn),預(yù)計2024年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

此外,這個1γ工藝要更先進(jìn),10nm級別的內(nèi)存工藝中前三代是1x、1y、1z,再往后是1a、1β、1γ等。在美光之前,三星及SK海力士都更早進(jìn)入了EUV節(jié)點(diǎn),從去年底就開始部署EUV光刻工藝了,而且比美光更激進(jìn),最快在1a工藝節(jié)點(diǎn)就會量產(chǎn)EUV內(nèi)存芯片。



關(guān)鍵詞: 美光 EUV DRAM

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