臺灣芯片代工廠商聯(lián)電昨日在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術的半導體產品。業(yè)內人士指出，聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競爭對手臺積電。
據悉，早前臺積電曾宣布將在明年前三個季度分別開始試產28納米高性能高K金屬柵極、28納米低功耗高K金屬柵極和28納米低功耗氮氧化硅三種新工藝產品。
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芯片代工 28納米
ARM和芯片代工廠商GlobalFoundries達成協(xié)議,支持客戶利用后者的28納米高K金屬柵極工藝生產Cortex-A9架構處理器.
據國外媒體報道稱,一周前就有消息稱,兩家公司在進行相關談判.ARM首席執(zhí)行官華倫·伊斯特在一份聲明中說,“與GlobalFoundries合作表 明了我們的商業(yè)價值,以及向客戶提供最優(yōu)秀處理器產品的戰(zhàn)略.GlobalFoundries是加速28納米工藝ARM架構處理器普及的理想合作伙伴.”
GlobalFoundri
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ARM 28納米
據國外媒體報道，兩名東芝內部消息人士透露，該公司正在就外包部分新一代系統(tǒng)芯片制造業(yè)務與新加坡特許半導體(Chartered Semiconductor)和Globalfoundries洽談，以降低成本。
東芝發(fā)言人Hiroko Mochida表示，該公司計劃在位于大分的工廠生產采用28納米工藝的芯片，但由于產能無法滿足需求，將考慮外包部分芯片制造業(yè)務。
上述消息人士稱，東芝在與特許半導體和Globalfoundries洽談開發(fā)用于游戲機和數碼相機等電子產品的新一代系統(tǒng)芯片。Globalfo
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東芝 28納米 芯片制造
日本富士通微電子株式會社與臺灣積體電路制造股份有限公司27日宣布，雙方同意以臺積電先進的技術平臺為基礎，針對富士通微電子的28納米邏輯IC產品進行生產、共同開發(fā)并強化28納米高效能工藝。在這之前，富士通微電子與臺積電已經就40納米工藝進行合作。這項協(xié)定代表富士通微電子將延伸已經在臺積電生產的40納米產品，雙方將共同發(fā)展最佳化的28納米高效能工藝，而首批28納米工程樣品預計于2010年年底出貨。
這項先進技術的合作將富士通微電子在先進高速工藝與低耗電設計技術的專長及優(yōu)勢，以及臺積電節(jié)能的高效能邏輯
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富士通 28納米 40納米
臺積電28納米制程再邁大步，預計最快2010年第1季底進入試產，2011年明顯貢獻營收，臺積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單，目前28納米制程技術最大競爭對手，仍是來自IBM陣營的Global Foundries與新加坡特許(Chartered)，雙方競爭更趨激烈。
臺積電表示，已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術藍圖，預計2010年第3季進行試產，至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進入試產
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臺積電 28納米 gate-last
臺積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術藍圖，預計于2010年第三季進行試產(Risk Production)。
臺積電自2008年九月發(fā)表28納米技術以來，技術的發(fā)展與進入量產的時程皆按預期計劃進行。就試產時程順序而言，低耗電氮氧化硅(簡稱28LP)工藝預計于2010年第一季底進行試產，高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)工藝則預計于2010年第二季底開始試產，而低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)工藝的試產時程
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臺積電 28納米 HKMG
臺積電24日宣布率業(yè)界之先，不但達成28納米64Mb SRAM試產良率，而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡稱28LP)等28納米全系列工藝驗證均完成相同的良率。
臺積電研究發(fā)展副總經理孫元成博士表示：“所有三種28納米系列工藝皆已由64Mb SRAM芯片完成良率驗證，是一項傲人的成就。更值得一提的是，此項成果亦展現我們兩項高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)工藝采用gate-last
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臺積電 28納米 SRAM
外界關心臺積電40納米制程良率進展，臺積電30日法說首次破例現場聯(lián)機至Fab 12，請先進制程事業(yè)副總劉德音說明。劉德音表示，40納米制程良率已從30%進展到60%，預期10月其缺陷密度將達0.2左右，同時，臺積電本季40納米制程產能也將沖上3萬片。臺積電董事長張忠謀則認為，臺積電32、28納米制程，未來承接CPU訂單的機會將愈來愈多。
過去臺積電法說會多現場問答，這次破例進行現場與Fab 12即時聯(lián)機，并由先進制程副總劉德音身著無塵衣，親自對外界40納米制程進度說明釋疑并接受提問。劉德音說，目
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臺積電 40納米 32納米 28納米
芯片設計解決方案供應商微捷碼(Magma)設計自動化有限公司日前宣布，Talus® IC實現系統(tǒng)已被納入臺積電(TSMC)Reference Flow 10.0。采用微捷碼軟件和最新臺積電參考流程(Reference Flow)，設計師可使用“Fastest Path to Silicon™”進行針對臺積電28納米工藝的設計。
“臺積電28納米工藝提供了制造10億門IC的希望，但同時也帶來應對更多的物理效應、更棘手的功耗要求和困難的時序收斂
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Magma Talus 28納米 COre
據國外媒體報道，從AMD獨立出來的芯片制造公司GlobalFoundries，周五開始在紐約州北部馬耳他鎮(zhèn)的一塊叢林地建造一家總投資為42億美元的芯片工廠。
雖然美國的制造行業(yè)在繼續(xù)裁員，不過AMD及其競爭對手都在投資新建工廠。分析師認為，科技公司的投資是為經濟復蘇做準備，由于美國政府限制芯片技術向海外轉移，因此芯片行業(yè)看到了在美國建廠的重要性。
或許更重要的是，芯片公司想從美國政府那里獲得巨額獎勵。紐約州已經表示，將向GlobalFoundries馬耳他鎮(zhèn)工廠提供12億美元資金。In-S
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GlobalFoundries 芯片 28納米 22納米
臺灣積體電路制造股份有限公司22日推出其最新版本的設計參考流程10.0版，能夠進一步降低芯片設計門檻、提升芯片設計精確度、并提高生產良率。此設計參考流程10.0版系臺積公司開放創(chuàng)新平臺(Open Innovation Platform)的主要構成要素之一，并能延續(xù)其實現更先進設計方法的傳統(tǒng)，解決28納米工藝所面臨的新設計挑戰(zhàn)，并有多項創(chuàng)新以促成系統(tǒng)級封裝設計(System in Package, SiP)的應用。
應用于28納米芯片設計
臺積公司的開放創(chuàng)新平臺使EDA電子設計自動化工具可以
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臺積電 28納米 芯片設計 封裝設計
自AMD獨立分出的Globalfoundries，將在本周五(7月24日)以盛大的破土儀式，向全球最大的芯片制造商對手宣戰(zhàn)。
前身為AMD芯片制造單位的Globalfoundries，耗資42億美元於紐約州Malta興建的晶圓廠，將于24日破土動工。
這是Globalfoundries擠身全球一流芯片制造商的關鍵。該公司的公關經理Jon Carvill表示，未來30天內將公布一個以上的大客戶名單。
初期客戶可能包括為消費電子市場設計低功率和無線芯片的公司，他說：在那個領域擔任重要的角
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Globalfoundries 晶圓 28納米
臺積電先進制程晶圓出貨正式突破500萬片大關，達到535萬片，若將這些晶圓堆迭起來，厚度將是臺北101大樓的8倍高!這還是不包括目前正加緊量產的40納米制程，同時臺積電預計2009年第4季將量產32納米泛用型制程，2010年第2季正式量產28納米低功耗制程，首要瞄準智能型手機芯片市場。
臺積電目前在晶圓代工市場占有率約50%，不過單就先進制程技術，市占率更高，外界推估90、65納米制程基本市占率都超過7~8成以上。臺積電內部統(tǒng)計，采用先進制程技術的客戶包括將近200家業(yè)者，所設計的產品約2,50
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臺積電 晶圓 40納米 28納米
晶圓代工業(yè)者Global Foundries來勢洶洶，除積極與臺積電爭搶兩大繪圖芯片客戶超微(AMD)與NVIDIA訂單，在技術上亦強調其將是目前晶圓代工廠最領先者，繼臺積電日前發(fā)表28納米制程技術，Global Foundries亦不甘示弱，對外發(fā)表22納米制程，預計最快2012年進行生產，與臺積電互別苗頭意味濃。
臺積電日前在京都VLSI大會上發(fā)表28納米制程，是首代正式采用高k金屬柵(High-k Metal Gate;HKMG)制程技術，并將取代32納米成為全世代制程，多數晶圓廠包括Gl
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GlobalFoundries 晶圓代工 繪圖芯片 28納米 HKMG
NEC電子公司(NEC Electronics Corp.)和東芝公司(Toshiba Corp.)同意擴展與IBM Corp.的研發(fā)協(xié)議，允許聯(lián)合開發(fā)使用于消費者產品的28 納米半導體技術。
這三家公司18日表示，兩家日本公司將與IBM一起開發(fā)28納米互補型金屬氧化物半導體 (CMOS)技術。在IBM紐約州East Fishkill的工廠，該團隊還將包括Infineon Technologies和三星電子公司(Samsung Electronics Co.)。
東芝公司2007年12月加
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NEC CMOS 28納米 半導體
28納米介紹
就是指制造工藝，比如說CPU，以前的制造工藝是130nm，后來又出現了90nm、45nm、30nm、22mn等，28nm好像是顯卡的制造工藝。
28納米工藝，指的是手機主板芯片里面的半導體溝道之間的距離，現在做到28納米了，之所以賣家要說這點，是科技進步的表現，能做到越小，這方面的技術工藝越先進，越小集成度越高，但是隨之而來會出現負面的效應，耗能散熱的問題，電子通過的通道越窄，一來是工藝越難 [
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