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臺(tái)灣聯(lián)電稱(chēng)明年發(fā)展28納米技術(shù) 疑追趕臺(tái)積電

作者: 時(shí)間:2009-12-14 來(lái)源:騰訊科技 收藏

  臺(tái)灣廠商聯(lián)電昨日在美國(guó)巴爾的摩所舉辦的2009國(guó)際電子組件會(huì)議上表示,將于2010年下半年推出制程,采用高K金屬柵極技術(shù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。業(yè)內(nèi)人士指出,聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/101153.htm

  據(jù)悉,早前臺(tái)積電曾宣布將在明年前三個(gè)季度分別開(kāi)始試產(chǎn)高性能高K金屬柵極、低功耗高K金屬柵極和28納米低功耗氮氧化硅三種新工藝產(chǎn)品。

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關(guān)鍵詞: 芯片代工 28納米

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