日本富士通微電子株式會社與臺灣積體電路制造股份有限公司27日宣布，雙方同意以臺積電先進的技術平臺為基礎，針對富士通微電子的28納米邏輯IC產(chǎn)品進行生產(chǎn)、共同開發(fā)并強化28納米高效能工藝。在這之前，富士通微電子與臺積電已經(jīng)就40納米工藝進行合作。這項協(xié)定代表富士通微電子將延伸已經(jīng)在臺積電生產(chǎn)的40納米產(chǎn)品，雙方將共同發(fā)展最佳化的28納米高效能工藝，而首批28納米工程樣品預計于2010年年底出貨。

　　這項先進技術的合作將富士通微電子在先進高速工藝與低耗電設計技術的專長及優(yōu)勢，以及臺積電節(jié)能的高效能邏輯/系統(tǒng)單芯片工藝及「開放創(chuàng)新平臺」(Open Innovation Platform)中的先進技術相結合。這次延伸至28納米工藝的合作計劃，能在臺積電包含高效能與低耗電應用的28納米技術組合基礎上，提供富士通微電子與臺積電一個從深具競爭優(yōu)勢、高效能28納米技術中獲益的機會。

　　同時，二家公司也正在就先進封裝合作的可能性進行討論，希望能有效結合富士通微電子在高效能、無鉛、超高接腳(ultra-high-pin count)封裝技術的優(yōu)勢及臺積電在芯片封裝整合與先進的銅/超低介電系數(shù)(Cu/ELK)導線的堅強實力。

　　富士通微電子常務執(zhí)行董事八木春良(Haruyoshi Yagi)表示，我們先前宣布與臺積電在 40納米工藝技術的合作正快速進展中，目前已有好幾個產(chǎn)品進入實體設計階段。透過與臺積電在28納米高效能工藝共同開發(fā)與生產(chǎn)上的合作，我們可以結合雙方的競爭優(yōu)勢，來為客戶創(chuàng)造更大的價值，此舉將可進一步擴大臺積電的營運成長，同時擴展富士通微電子在專用集成電路(ASIC)與專用標準產(chǎn)品(ASSP)注1市場的業(yè)務。

　　臺積電全球業(yè)務暨行銷副總經(jīng)理陳俊圣表示，我們過去在先進技術上開發(fā)及量產(chǎn)的傲人紀錄，是富士通微電子選擇我們成為合作伙伴的原因之一。臺積電的技術平臺涵蓋與芯片設計相關的種種考量，包括設計套件、設計流程、臺積電與合作伙伴的硅知識產(chǎn)權、健全的元件資料、優(yōu)異的工藝技術、后段的封裝及測試能力，此次的協(xié)定代表臺積電的技術平臺已獲得肯定。