- 英飛凌科技股份有限公司與聯(lián)華電子近日宣布，雙方就汽車微控制器（MCU) 簽署長期合作協(xié)議，擴大英飛凌在MCU的產能，以服務正迅速擴展的汽車市場。該高性能微控制器產品采用英飛凌專有的嵌入式非易失性存儲器（eNVM) 技術，于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠以40納米制程技術制造。MCU是控制汽車各項功能的關鍵零部件，隨著汽車向更環(huán)保、更安全和更智能的方向發(fā)展，市場對MCU的需求也日益增加。今年，英飛凌汽車微控制器的銷售量已攀升至每日近百萬顆。英飛凌科技首席運營官Rutger Wijburg表示：“面對快速增長的汽
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英飛凌 聯(lián)華電子 40納米 eNVM微控制器制造
- 昨日，中國首顆40納米級系統(tǒng)芯片在滬問世。上海北伽導航科技有限公司27日正式發(fā)布40納米級射頻基帶一體化芯片“航芯一號”。上海北伽導航科
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40納米 系統(tǒng)芯片
- 據(jù)新華社上海11月28日電28日，一批具有市場前景的民技軍用、軍轉民用的創(chuàng)新產品和技術，在上海舉行的“2014第三屆上海軍民兩用技術促進大會暨項目對接會”上集中展示。一枚僅5毫米見方的北斗射頻芯片“航芯一號”備受關注，這一最新研發(fā)成功的40納米級“中國芯”，將裝入國產手機等設備，為百姓日常生活精準導航。
據(jù)悉，2015年裝有這款芯片的國產手機將量產，宣告我國自主建設、獨立運行的北斗導航系統(tǒng)的關鍵設備，全面進入消費電子領域。
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北斗導航 40納米
- 中國首顆40納米級系統(tǒng)芯片在滬問世。上海北伽導航科技有限公司27日正式發(fā)布40納米級射頻基帶一體化芯片“航芯一號”。 上海北伽導航科技有限公司總經理王永平表示，目前，該芯片正在和中國手機廠商進行聯(lián)合測試，已完成50臺樣機，明年將在國產品牌手機上展開百萬級示范應用，“預計2016年，這款芯片將實現(xiàn)超過千萬級的大規(guī)模應用”。
未來，這枚只有5毫米見方的芯片將被廣泛應用于平板電腦、可穿戴設備、車載導航等各個領域，全面進入大眾消費電子市場。 此前，導航設備
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40納米 可穿戴設備 車載導航
- 臺灣大型半導體代工生產企業(yè)聯(lián)華電子(UMC)日前宣布，將出資13.5億美元，于2016年第4季度在福建省廈門市啟動半導體合資生產。將攜手福建省電子信息集團和廈門市政府組建合資公司，建立總投資額62億美元的新工廠。將向合資公司提供生產技術，以滿足中國大陸急劇擴大的智能手機和汽車用半導體市場需求。
將采用直徑300毫米的硅晶圓代工生產半導體。月產能最多5萬枚。計劃從2015年起分階段向合資公司出資，到2016年持股30%。聯(lián)華電子2013年的半導體代工生產占全球的約9%份額，位居第三。
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聯(lián)電 40納米
- 據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會預計，2014年國內集成電路產業(yè)銷售額增幅將達到20%，規(guī)模將超過3000億元。據(jù)科技部網站消息稱，我國極大規(guī)模集成電路制造工藝獲突破，一批65-28納米高端設備通過量產驗證，而部分實現(xiàn)批量采購，40納米成套工藝成功量產。
此前，科技部曹健林副部長在“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”專項2014年工作務虛會上指出，專項自實施以來，我國已經在集成電路高端裝備、成套工藝、關鍵材料、封裝測試等領域取得了部分突破。除了上述制造工藝突破，光刻機整機集成及
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集成電路 40納米
- 中芯國際總部6月3日發(fā)布消息稱，與中芯北京、北京工業(yè)發(fā)展投資管理及中關村發(fā)展集團成立合資公司，加快二期項目建設。
中芯國際二期項目于去年9月在開發(fā)區(qū)奠基，將建設2條產能各為3.5萬片的生產線，技術水平為45-40納米、32-28納米的12英寸集成電路生產線，第一階段將建設兩個廠房和一條生產線。項目總建設期約6年，投資35.9億美元。
據(jù)業(yè)內人士介紹，作為芯片代工廠來說，45納米已屬相對先進的生產技術，更高端的28納米、20納米芯片只有英特爾等巨頭才能量產。
中芯國際眼下能提供0.35
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中芯國際 40納米
- 英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司宣布，雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝，簽訂一份合作技術開發(fā)與生產協(xié)議。雙方合作的重點是立足于英飛凌的嵌入式閃存單元設計以及采用40納米工藝制造汽車單片機和安全微控制器(MCU)的經驗，進行相關技術的開發(fā)。GLOBALFOUNDRIES 公司旗下的多家晶圓廠將生產新一代40納米嵌入式閃存MCU，其中新加坡的晶圓廠將成為第一個生產該類器件的晶圓廠，緊隨其后的是公司位于德國德累斯頓的晶圓廠。
英飛凌科技管理委員會成員Arunjai
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英飛凌 40納米
- 當“交鑰匙”戰(zhàn)略不再是獨家秘技，面對高通咄咄逼人的價格競爭，聯(lián)發(fā)科如何保持增長?
“這是我們熟悉的戰(zhàn)場。”聯(lián)發(fā)科總經理謝清江在接受《第一財經日報》專訪時表示，聯(lián)發(fā)科很高興看到這種競爭，從財務數(shù)據(jù)來看，聯(lián)發(fā)科的毛利率不僅沒有受價格戰(zhàn)的影響走低，反而逆勢攀升，這與聯(lián)發(fā)科的產品組合，以及成本毛利率有很大的關系。如果競爭對手選擇“價格戰(zhàn)”來搶入市場，聯(lián)發(fā)科是歡迎的。
如今，聯(lián)發(fā)科已不再是山寨功能機的標簽。有數(shù)據(jù)顯示，2012年
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聯(lián)發(fā)科技 40納米
- 燦芯半導體宣布與客戶合作開發(fā)的40納米芯片設計項目數(shù)量累計達到十個，這些項目均基于中芯國際的40納米制造工藝。
燦芯半導體開發(fā)的先進技術芯片廣泛應用于高成長的移動設備領域，如智能手機。燦芯半導體的40納米項目大多采用了先進的ARMCortex?系列內核，包括A5、A7、A9,以確保芯片高性能和低功耗的要求。
燦芯半導體致力于先進技術的芯片設計開發(fā)，截止到2012年第三季度，線寬小于65納米的項目累計數(shù)量已占到總數(shù)的一半。燦芯半導體還積極投入研發(fā)28納米的芯片設計技術，以滿足客戶將來的需求。
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- 雙方將共同開發(fā)整合邏輯與閃存技術，以推動高效能低功耗電子產品的問世
聯(lián)華電子與閃存解決方案領導廠商Spansion 4日共同宣布，將展開40納米工藝研發(fā)合作，整合聯(lián)華電子40納米LP邏輯工藝，以及Spansion eCTTM (embedded Charge Trap, eCT)嵌入式電荷擷取閃存技術。此份非專屬授權協(xié)議包含了授權聯(lián)華電子采用此技術為Spansion制造產品。
Spansion嵌入式電荷擷取技術是兼具高效能、低功耗及成本效益的NOR閃存技術，且此項新技術可與先進邏輯工藝相整
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- 上海，2013年1月9日-- 國際領先的ASIC設計公司及一站式服務供應商，燦芯半導體(上海)有限公司(以下簡稱“燦芯半導體”)今日宣布與客戶合作開發(fā)的40納米芯片設計項目數(shù)量累計達到十個，這些項目均基于中芯國際(紐約證交所代碼：SMI，香港聯(lián)交所代碼：981)的40納米制造工藝。
燦芯半導體開發(fā)的先進技術芯片廣泛應用于高成長的移動設備領域，如智能手機。燦芯半導體的40納米項目大多采用了先進的ARM® Cortex™系列內核，包括A5、A7
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- 臺積電宣布，獲得甲骨文超級處理器T4的獨家代工權，T4處理器將采用40納米工藝，預計年底前開始投入量產。Sun在被甲骨文收購前，就已經推出了代號為RainbowFalls的SPARC架構T3處理器，由德州儀器獨家代工。2007年德儀宣布停止開發(fā)45納米以下工藝，轉向與晶圓代工廠合作，Sun就將SPARC處理器移轉到臺積電及富士通生產。
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- TSMC今(28)日公布2011年第二季財務報告，合并營收為新臺幣1,105.1億元，稅后純益為新臺幣359.5億元，每股盈余為新臺幣1.39元（換算成美國存托憑證每單位為0.24美元）。
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- 2003年由一群硅谷和日本工程師創(chuàng)立的世芯電子(Alchip)，2011年7月6日于內湖科技園區(qū)舉行營運總部喬遷開幕茶會，世芯的后端供應商、客戶和合作伙伴都齊聚共襄盛舉。
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