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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 40納米

內(nèi)存瘋閃存噴 存儲業(yè)界漲勢深度分析

  • 　　9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4% 　　最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。 　　9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。
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中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米

  • 　　中芯國際今天宣布其45納米的互補型金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 技術(shù)將延伸至40納米以及55納米。 　　這些新工藝技術(shù)進一步豐富了中芯國際現(xiàn)有的技術(shù)能力，更好地滿足全球客戶的需求，包括快速增長的中國市場在內(nèi)。其應(yīng)用產(chǎn)品包括多媒體產(chǎn)品、圖形芯片、芯片組以及手機設(shè)備(如3G/4G 手機)。 　　“中芯國際上海的12英寸廠已提前達標(biāo)完成了45納米的技術(shù)工藝。我們也同樣期盼著這些附加的延伸技術(shù)能取得佳績。”張汝京博士 -- 中芯國際總裁兼首席執(zhí)行長表示，“這些新技術(shù)為
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晶圓代工砸銀彈 聯(lián)電2010年資本支出倍增

  • 　　因應(yīng)景氣翻揚，晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電紛紛備妥銀彈展開資本支出競賽，其中45/40納米產(chǎn)能擴充將是2009~2010年重點，而臺積電則于40納米制程世代起一并提供客戶全套式的前、后段制程代工服務(wù)，加上太陽能產(chǎn)廠將動工，預(yù)料2010年資本支出上看30億美元，不過同業(yè)聯(lián)電的資本支出增幅更為驚人，2010年資本支出可望翻一倍達到10億美元。 　　2008 年臺積電、聯(lián)電受到金融風(fēng)暴影響，緊急在資本支出踩煞車，讓半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者陷入寒冬，如今景氣狀況回穩(wěn)，2009年上半起資本支出逐漸解凍，到了下半年臺積電、聯(lián)電
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爾必達擬投資4.52億美元提高40納米芯片產(chǎn)量

  • 　　日本最大閃存芯片制造商爾必達表示，可能投資至多400億日元(約合4.52億美元)提高40納米芯片的產(chǎn)量，達到公司芯片總產(chǎn)量的一半。 　　爾必達發(fā)言人表示，公司計劃今年開始大規(guī)模生產(chǎn)這一產(chǎn)品。他說，為了反映市場狀況，爾必達決定加快投資步伐。 　　爾必達、三星電子、海力士半導(dǎo)體等芯片制造商正在降低芯片尺寸，以增加一片晶圓所能切割出的芯片數(shù)量，以此降低成本，應(yīng)對產(chǎn)品價格不斷下滑的局面。爾必達說，從當(dāng)前的50納米技術(shù)轉(zhuǎn)向較小的芯片尺寸，公司可以將每片晶圓的芯片產(chǎn)量提高44%。 　　亞洲最大半導(dǎo)體現(xiàn)貨市場
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臺積電老將再出山 蔣尚義領(lǐng)命戰(zhàn)研發(fā)

  • 　　不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔(dān)任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理，他將直接對張忠謀董事長負(fù)責(zé)。 　　這是繼張忠謀6月重新執(zhí)政臺積電以來，又一次重大的人事調(diào)整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔(dān)任研究發(fā)展副總經(jīng)理，帶領(lǐng)研發(fā)團隊一路順利開發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個世代的先進工藝技術(shù)，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時離開，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
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制程差距擴大 臺灣DRAM廠隱憂

  • 　　臺灣DRAM大廠南科宣布8億股現(xiàn)金增資計劃，預(yù)計籌措100億元以上資金，全數(shù)投入50納米制程，以及償還公司債，盡管DRAM現(xiàn)貨價格已站上每顆2美元，時間點來得比預(yù)期早，國內(nèi)DRAM廠暫時度過最艱困的時刻，但三星半導(dǎo)體將在明年把40納米推升為生產(chǎn)線主力，成本大幅降低的優(yōu)勢，勢必更加顯著，臺廠與國外一線大廠的苦戰(zhàn)還是難免。 　　由于DDR2過渡至DDR3面臨產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的瓶頸期，導(dǎo)致DDR3產(chǎn)能不足，進一步拉抬DDR2價格，原本內(nèi)存模塊廠預(yù)測，今年第四季底，DDR2現(xiàn)貨價才有機會達到2美元，但根據(jù)集邦科技報
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LSI 推出業(yè)界首款 40nm 串行 PHY

  • 　　日前，LSI 公司宣布其開始提供業(yè)界首款專為筆記本電腦、臺式機以及企業(yè)級硬盤驅(qū)動器(HDD) 市場領(lǐng)域設(shè)計的 40 納米多接口物理層(PHY) IP 樣片。 　　所有主要 HDD 和固態(tài)驅(qū)動器(SSD) 制造商均可在其片上系統(tǒng)(SoC)設(shè)計方案中集成 LSI TrueStore® PHY9500 這一統(tǒng)一解決方案，也可支持 6Gb/s SAS、6Gb/s SATA 及 4.25Gb/s 光纖通道接口標(biāo)準(zhǔn)。驅(qū)動器制造商通過在其 SoC中集成 PHY9500，不僅可大幅降低驗證及開發(fā)成本，而且還
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中芯45納米搭上IBM快車　4Q投產(chǎn)

  • 　　臺積電40/45納米制程傳出好消息，對岸的晶圓代工廠中芯國際也緊跟在后!中芯國際表示，45納米搭上IBM技術(shù)陣營的共通平臺 (Common Platform)，進展也將愈追愈快，預(yù)計2009年底將正式投產(chǎn)(Tape-out)，2010年放量生產(chǎn)。中芯國際認(rèn)為在機器設(shè)備折舊攤提持續(xù)下降與高階制程加入雙重效果下，2010年期待實現(xiàn)獲利。 　　IBM陣營愈來愈壯大，除了三星電子(Samsung Electronics)、新加坡特許(Chartered)與全球晶圓(Global Foundries)以外，中
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臺積電40納米良率偏低 傳給予客戶代工折扣

  • 　　原先預(yù)期繪圖晶片雙雄40納米大戰(zhàn)將會在2009年第2季正式開打，其中超微(AMD)所推出ATI Radeon HD 4770備受市場關(guān)注，稍后NVIDIA也會跟進發(fā)布40納米產(chǎn)品，但出乎預(yù)料的是，由于臺積電40納米制程良率偏低，傳出僅達2成左右，令超微受傷遭受重創(chuàng)。 　　超微5月初準(zhǔn)備大舉登場的ATI Radeon HD 4770繪圖芯片，首度導(dǎo)入臺積電40納米制程，由于功耗降低、效能提升，備受市場期待，然在6月時因?qū)嶋H出貨量相當(dāng)稀少，僅少數(shù)一線業(yè)者有貨可賣，使得超微錯失逆轉(zhuǎn)契機，外界開始質(zhì)疑40納
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ARM開發(fā)出2GHz 雙核Cortex A9芯片

  • 　　ARM當(dāng)?shù)貢r間17早上宣稱開發(fā)出2GHz的雙核版Cortex-A9架構(gòu)處理器,它基于40納米制程構(gòu)建,在沒有提升功耗的前提下提高了速度,每個處理單元功耗最低可達0.25W. 　　這款芯片主要用于高速家庭設(shè)備以及空間應(yīng)用等需要低功耗、小空間的計算環(huán)境. 　　ARM將制造40納米芯片的任務(wù)交給了臺積電,實際交貨要等到今年秋天. 　　2GHz芯片不大可能這么早裝載在手機上,但有可能會在MID上出現(xiàn),目前蘋果iPhone正在使用其上一代產(chǎn)品Cortex A8,這款芯片由三星設(shè)計,頻率達到600MHz.
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全球DRAM業(yè)僅韓廠賺錢

  • 　　盡管近期DRAM價格大幅反彈，但估計2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢，2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(Elpida)轉(zhuǎn)虧為盈，至于臺廠方面，由于 2010年三星制程技術(shù)將晉級到40納米，以目前臺廠腳步，未來恐將會有多家大廠被迫淡出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場。 　　DRAM價格雖已開始反彈，然復(fù)原最快廠商仍是三星，第2季已開始賺錢，預(yù)計第3季三星和海力士兩大韓廠都可望進入獲利，隨著DRAM產(chǎn)業(yè)逐步復(fù)蘇，美光和爾必達2
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臺積電打入CPU代工市場 獲Sun高端處理器訂單

  • 　　經(jīng)過一年半的合作，臺積電終于拿下首顆高階服務(wù)器處理器代工訂單，正式進入CPU代工市場!美國Sun Microsystems最近在美國Hot Chips大會中，發(fā)表新款16核心Rainbow Falls系統(tǒng)處理器，該款處理器主要委由臺積電40納米制程代工，明年可望順利量產(chǎn)投片，成為臺積電明年營收成長的主要動力來源之一。 　　臺積電與Sun在去年2月底宣布合作，Sun將把先前的服務(wù)器用UltraSPARC處理器，委由臺積電以45/40納米代工，未來世代的處理器也將交由臺積電生產(chǎn)。另外，臺積電也與Sun合
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NVIDIA部署Quartz作為40納米及40納米以下設(shè)計規(guī)則檢查器

  • 　　芯片設(shè)計解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma®)設(shè)計自動化有限公司日前宣布，NVIDIA公司已部署Quartz™ DRC作為40納米及40納米以下工藝節(jié)點IC的主要設(shè)計規(guī)則檢查器。NVIDIA打算將微捷碼物理驗證工具用于從定制單元開發(fā)到全芯片驗證的各種應(yīng)用。NVIDIA是在多項65納米設(shè)計上使用了Quartz DRC并發(fā)現(xiàn)其提供了較現(xiàn)有物理驗證工具顯著縮短的驗證周期后才選擇Quartz DRC進行40納米和40納米以下設(shè)計。 　　“自從向65納米工藝節(jié)點發(fā)展以來，我們一直
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Magma客戶通過采用Talus 設(shè)計實現(xiàn)系統(tǒng)

  • 　　芯片設(shè)計解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma)設(shè)計自動化有限公司日前宣布，微捷碼客戶們通過采用微捷碼的Talus® netlist-to-GDSII設(shè)計實現(xiàn)系統(tǒng)，已完成超過50次的45納米及45納米以下工藝節(jié)點的芯片投片，次數(shù)遠(yuǎn)超過任何其它EDA供應(yīng)商的實現(xiàn)系統(tǒng)。作為微捷碼專為45/40納米及更小工藝節(jié)點芯片而設(shè)計的下一代實現(xiàn)平臺，Talus現(xiàn)已在廣大微捷碼客戶中得到廣泛使用，其最新版本Talus 1.1對于45/40納米工藝節(jié)點設(shè)計更是展現(xiàn)出特殊的優(yōu)勢。 　　就應(yīng)用類型而言，現(xiàn)已完成的45/4
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富士通微電子與臺積電合作發(fā)展28納米工藝技術(shù)

  • 　　日本富士通微電子株式會社與臺灣積體電路制造股份有限公司27日宣布，雙方同意以臺積電先進的技術(shù)平臺為基礎(chǔ)，針對富士通微電子的28納米邏輯IC產(chǎn)品進行生產(chǎn)、共同開發(fā)并強化28納米高效能工藝。在這之前，富士通微電子與臺積電已經(jīng)就40納米工藝進行合作。這項協(xié)定代表富士通微電子將延伸已經(jīng)在臺積電生產(chǎn)的40納米產(chǎn)品，雙方將共同發(fā)展最佳化的28納米高效能工藝，而首批28納米工程樣品預(yù)計于2010年年底出貨。 　　這項先進技術(shù)的合作將富士通微電子在先進高速工藝與低耗電設(shè)計技術(shù)的專長及優(yōu)勢，以及臺積電節(jié)能的高效能邏輯
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40納米介紹

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