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納米 文章 進(jìn)入納米技術(shù)社區(qū)
日本將投資42億日元建MEMS項(xiàng)目研發(fā)基地
- 新聞事件: 日本擬設(shè)立名為“JMEC”的MEMS研發(fā)機(jī)構(gòu) 事件影響: 在尖端研發(fā)方面,將致力于由企業(yè)單獨(dú)從事高風(fēng)險(xiǎn)較大的研究課題 將提供民間MEMS代工無(wú)法滿(mǎn)足的少量試制服務(wù),以消除有設(shè)計(jì)思路卻因無(wú)法試制而無(wú)法發(fā)展成業(yè)務(wù)的現(xiàn)象 日本擬在經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的主導(dǎo)下設(shè)立名為“JMEC”(暫稱(chēng))的MEMS研發(fā)機(jī)構(gòu)。與歐洲研發(fā)機(jī)構(gòu)比利時(shí)IMEC (Interuniversity Microelectr
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美稱(chēng)20年后人類(lèi)或改造成半機(jī)械人 獲長(zhǎng)生不老
- 美科學(xué)家認(rèn)為,人類(lèi)在20年之后將改造成為半機(jī)械人,從而獲得長(zhǎng)生不老 美國(guó)科學(xué)家雷·庫(kù)茲韋爾(Ray Kurzweil)日前聲稱(chēng),由于對(duì)人體機(jī)能理解的加深,以及納米技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)的不斷發(fā)展,人類(lèi)在20年之后將改造成為半機(jī)械人,從而獲得長(zhǎng)生不老。 庫(kù)茲韋爾現(xiàn)年61歲,他之前以曾經(jīng)多次成功預(yù)測(cè)多項(xiàng)發(fā)明的誕生而出名。他表示,人類(lèi)對(duì)基因和電腦技術(shù)的理解正在以難以置信 的速度往前推進(jìn)。 庫(kù)茲韋爾表示,盡管他的理論似乎看起來(lái)顯得牽強(qiáng),但并不是沒(méi)有根據(jù)。僅僅在目前,人類(lèi)就具備了人工胰腺和神
- 關(guān)鍵字: 納米 醫(yī)療電子
澳大利亞研制納米電子束曝光系統(tǒng)
- 據(jù)澳大利亞莫納什大學(xué)網(wǎng)站報(bào)道,澳大利亞研究人員正在研制世界最強(qiáng)大的納米設(shè)備之一——電子束曝光系統(tǒng)(EBL).該系統(tǒng)可標(biāo)記納米級(jí)的物體,還可在比人發(fā)直徑小1萬(wàn)倍的粒子上進(jìn)行書(shū)寫(xiě)或者蝕刻. 電子束曝光技術(shù)可直接刻畫(huà)精細(xì)的圖案,是實(shí)驗(yàn)室制作微小納米電子元件的最佳選擇.這款耗資數(shù)百萬(wàn)美元的曝光系統(tǒng)將在澳大利亞亮相,并有能力以很高的速度和 定位精度制出超高分辨率的納米圖形.該系統(tǒng)將被放置在即將完工的墨爾本納米制造中心(MCN)內(nèi),并將于明年3月正式揭幕. MCN的臨時(shí)負(fù)責(zé)人阿
- 關(guān)鍵字: 納米 EBL 蝕刻.
鋰離子電池的又一次“瘦身”

- 擁有每年270億美元的銷(xiāo)售額,鋰離子電池毫無(wú)疑問(wèn)是充電電池市場(chǎng)的主導(dǎo)者。不過(guò),人們總是希望能做到更好。現(xiàn)在,科學(xué)家報(bào)告說(shuō)他們運(yùn)用納米技術(shù)可以大大 增強(qiáng)鋰離子電池的儲(chǔ)電能力,或者在保持現(xiàn)有儲(chǔ)能水平的條件下大大減輕電池重量。這項(xiàng)新的成果可以帶來(lái)更小型的筆記本電腦、更遠(yuǎn)行程的電動(dòng)汽車(chē)等大量的應(yīng)用。 在傳統(tǒng)的充電電池中,帶正電的鋰離子儲(chǔ)存在碳基的陽(yáng)極上,隨著電池放電流動(dòng)到陰極。這項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是碳在多次充放電之后仍能保持輕量和耐用,而缺點(diǎn)是6個(gè)碳原子才能支持1個(gè)鋰離子。最近,研究人員嘗試用晶體硅制作陽(yáng)
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美國(guó)開(kāi)發(fā)生物納米電子裝置 改善診斷工具性能
- 美國(guó)研究人員在最新一期美國(guó)《國(guó)家科學(xué)院學(xué)報(bào)》上發(fā)表報(bào)告說(shuō),他們利用脂膜納米導(dǎo)線(xiàn)開(kāi)發(fā)出一種融入生物成分的納米電子裝置,這種生物納米電子裝置不但可以 改善診斷工具的性能,而且可以提高神經(jīng)修復(fù)技術(shù)的水平.現(xiàn)代通訊設(shè)備依靠電場(chǎng)及電流傳遞信息,而生物系統(tǒng)則利用膜受體控制信號(hào)傳遞,其速度可以遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)世 界上最強(qiáng)大的計(jì)算機(jī).例如,將聲波轉(zhuǎn)換成神經(jīng)脈沖是一個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程,但人耳卻可以毫不費(fèi)力地完成這一過(guò)程.如果將生物系統(tǒng)與電子裝置相結(jié)合,無(wú)疑將有 助于提高計(jì)算機(jī)等電子設(shè)備的性能. 據(jù)此,研究人員將目光轉(zhuǎn)向脂膜
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美大學(xué)研究人員發(fā)明半導(dǎo)體制作新工藝

- 美國(guó)北卡羅來(lái)納大學(xué)與賴(lài)斯大學(xué)的科學(xué)家最近發(fā)明了一種新的半導(dǎo)體制作工藝,研究人員稱(chēng)這種發(fā)明能讓Intel這樣的芯片公司“突破摩爾定律的禁錮”,并造出更小更強(qiáng)的處理器。該項(xiàng)發(fā)明研究了一種新的硅半導(dǎo)體雜質(zhì)摻雜方法,科學(xué)家們稱(chēng)之為“單分子層嫁接”。過(guò)去,半導(dǎo)體是通過(guò)向硅晶體內(nèi)部摻雜雜質(zhì)而制成的,但隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展,晶體管的尺寸也越來(lái)越小,這樣就很容易出現(xiàn)不同器件之間摻雜度存在差異的情況,造成器件間的性能差異。 為了解決這個(gè)問(wèn)題,這項(xiàng)新發(fā)明改變了向半
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6月北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比獲得改善 設(shè)備商處境依然艱難
- SEMI日前公布了2009年6月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單出貨比報(bào)告。按三個(gè)月移動(dòng)平均額統(tǒng)計(jì),6月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單額為3.234億美元,訂單出貨比為0.77。訂單出貨比為0.77意味著該月每出貨價(jià)值100美元的產(chǎn)品可獲得價(jià)值77美元的訂單。 報(bào)告顯示,6月份3.234億美元的訂單額較5月份2.878億美元最終額增長(zhǎng)12%,較2008年6月份的9.342億美元最終額減少69%。 與此同時(shí),2009年6月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨額為4.196億美元,較5月份3.92
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Micron量產(chǎn)34nm NAND閃存芯片
- Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術(shù)的NAND閃存芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。Micron還稱(chēng)其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤(pán)。 Micron和其伙伴Intel近期宣布通過(guò)合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術(shù)做準(zhǔn)備,計(jì)劃于第四季度推出樣品。
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MIPS32 處理器強(qiáng)化 NXP 的創(chuàng)新 DTV 平臺(tái)
- 為家庭娛樂(lè)、通信、網(wǎng)絡(luò)和便攜式多媒體市場(chǎng)提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)處理器架構(gòu)與內(nèi)核的領(lǐng)導(dǎo)廠商 MIPS Technologies, Inc 今天宣布,恩智浦半導(dǎo)體公司 (NXP Semiconductor) 已采用 MIPS32™ 24KEf 內(nèi)核進(jìn)行全球首款 45 納米數(shù)字電視處理器開(kāi)發(fā)。這款型號(hào)為 PNX85500 的處理器是 NXP TV550 全球單芯片數(shù)字電視平臺(tái)背后的重要推動(dòng)力量,可協(xié)助制造商提供許多先進(jìn)的 HDTV 功能,并以無(wú)與倫比的圖像質(zhì)量獲取互聯(lián)網(wǎng)內(nèi)容。 市場(chǎng)研究公司 In-S
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NVIDIA部署微捷碼Talus 1.1版本到其生產(chǎn)環(huán)境中
- 芯片設(shè)計(jì)解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma®)設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司日前宣布,NVIDIA公司已部署微捷碼的Talus® 1.1 IC實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)到其全面生產(chǎn)環(huán)境中。Talus 1.1版本提供了布線(xiàn)、優(yōu)化和運(yùn)行時(shí)間方面的顯著改善以及增強(qiáng)的可用性特征。NVIDIA是在參加這一最新Talus版本的beta測(cè)試后,基于肯定的測(cè)試結(jié)果以及改善的流程性能才決定開(kāi)始使用Talus 1.1進(jìn)行其生產(chǎn)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。 “基于核心算法、流程融合和整體可用性方面的顯著改善,我們近期已在我們的生產(chǎn)環(huán)境升級(jí)
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22納米設(shè)備傳難產(chǎn) 延后進(jìn)駐臺(tái)積電
- 22納米制程微顯影曝光設(shè)備業(yè)者M(jìn)apper傳出設(shè)備進(jìn)度遞延,Mapper目前是與臺(tái)積電在新世代半導(dǎo)體曝光設(shè)備合作最密切的業(yè)者之一,Mapper的進(jìn)度遞延已經(jīng)讓原本預(yù)期進(jìn)駐臺(tái)積電的22納米多重電子束(Multiple E-beam)設(shè)備向后延期。臺(tái)積電目前積極在深紫外光(EUV)與多重電子束方面尋求更具成本競(jìng)爭(zhēng)的曝光技術(shù),Mapper技術(shù)出現(xiàn)瓶頸,將為臺(tái)積電技術(shù)進(jìn)程埋下未知數(shù)。 據(jù)了解,受到景氣沖擊,投資者資本支出保守,新興設(shè)備業(yè)者M(jìn)apper在22納米制程之后的曝光技術(shù)投資也受到影響,因而對(duì)于先
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科學(xué)家發(fā)明可用于制造超薄顯示器的新型納米晶體材料
- 羅切斯特大學(xué)與柯達(dá)公司的研究人員近日宣稱(chēng)他們研發(fā)出了一種新的納米發(fā)光晶體材料,這種材料能在吸收能量后持續(xù)保持發(fā)光狀態(tài),而不是像以前那樣將能量通過(guò)發(fā)熱方式耗散掉。該材料有望應(yīng)用于高亮度LED照明,廉價(jià)激光器制造等應(yīng)用場(chǎng)合,還可以被用來(lái)開(kāi)發(fā)更薄的電視,顯示器產(chǎn)品。 羅切斯特大學(xué)教授Todd Krauss說(shuō):“納米晶體從光子吸收能量后,將通過(guò)發(fā)光或發(fā)熱兩種方式來(lái)耗散能量。”通過(guò)第一種方式耗散能量的晶體類(lèi)型被稱(chēng)為非閃爍型納米晶體(non-blinking nanocrystal)
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臺(tái)積電承認(rèn)40納米工藝遭遇障礙
- 在公布最新季度財(cái)報(bào)的同時(shí),臺(tái)積電也第一次公開(kāi)承認(rèn),其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。 臺(tái)積電在去年底基本準(zhǔn)時(shí)地上馬了40nm生產(chǎn)線(xiàn),并在今年第一季度貢獻(xiàn)了大約1%的收入,高于預(yù)期水準(zhǔn),預(yù)計(jì)今年第二季度會(huì)達(dá)到2%左右。 臺(tái)積電CEO蔡力行在回答分析師的提問(wèn)時(shí)說(shuō):“良品率是有些問(wèn)題。對(duì)制造商而言40nm是一項(xiàng)非常困難的技術(shù)。(不過(guò))我們已經(jīng)找到了問(wèn)題的根源,并且已經(jīng)或正在解決。” 結(jié)合此前消息,臺(tái)積電40nm工藝可能無(wú)法很好地控制漏電率,難以制造高性能GPU芯片,
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東芝推出32納米工藝閃存芯片 7月批量生產(chǎn)
- 東芝日前展示了基于32納米制造工藝的單芯片32Gb NAND Flash閃存芯片。首批32Gb芯片將主要被應(yīng)用于記憶卡和USB存儲(chǔ)設(shè)備,未來(lái)會(huì)擴(kuò)展到嵌入式產(chǎn)品領(lǐng)域。 隨著越來(lái)越多的移動(dòng)設(shè)備在聲音和影像方面的逐步數(shù)字化,高容量、更小巧的內(nèi)存產(chǎn)品在市場(chǎng)上的需求也越來(lái)越強(qiáng)勁。 新的芯片產(chǎn)品將在東芝位于日本三重縣四日市的工廠內(nèi)制造。東芝公司將比原計(jì)劃提前2個(gè)月,從2009年7月起,大批量生產(chǎn)32Gb NAND Flash閃存芯片。16Gb產(chǎn)品則會(huì)從2009財(cái)年第三季度(2009年10月到12月)開(kāi)
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納米介紹
納米是長(zhǎng)度單位,原稱(chēng)毫微米,就是10^-9米(10億分之一米),即10^-6毫米(100萬(wàn)分之一毫米)。納米科學(xué)與技術(shù),有時(shí)簡(jiǎn)稱(chēng)為納米技術(shù),是研究結(jié)構(gòu)尺寸在1至100納米范圍內(nèi)材料的性質(zhì)和應(yīng)用。納米效應(yīng)就是指納米材料具有傳統(tǒng)材料所不具備的奇異或反常的物理、化學(xué)特性,如原本導(dǎo)電的銅到某一納米級(jí)界限就不導(dǎo)電,原來(lái)絕緣的二氧化硅、晶體等,在某一納米級(jí)界限時(shí)開(kāi)始導(dǎo)電。這是由于納米材料具有顆粒尺寸小、比表面 [ 查看詳細(xì) ]
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