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22納米設(shè)備傳難產(chǎn) 延后進駐臺積電

作者: 時間:2009-05-19 來源:DigiTimes 收藏

  22制程微顯影曝光設(shè)備業(yè)者Mapper傳出設(shè)備進度遞延,Mapper目前是與在新世代曝光設(shè)備合作最密切的業(yè)者之一,Mapper的進度遞延已經(jīng)讓原本預期進駐的22多重電子束(Multiple E-beam)設(shè)備向后延期。目前積極在深紫外光(EUV)與多重電子束方面尋求更具成本競爭的曝光技術(shù),Mapper技術(shù)出現(xiàn)瓶頸,將為臺積電技術(shù)進程埋下未知數(shù)。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/94459.htm

  據(jù)了解,受到景氣沖擊,投資者資本支出保守,新興設(shè)備業(yè)者Mapper在22制程之后的曝光技術(shù)投資也受到影響,因而對于先進曝光技術(shù)的進展有所減緩,原本預期2009年第1季原型機臺將正式進駐臺積電,不過目前已經(jīng)遞延了1季左右。臺積電內(nèi)部目前仍與Mapper維持緊密的合作關(guān)系,不過也憂心未來的發(fā)展。

  制程世代進入22納米以后,深紫外光與多重電子束何者將成為下一世代的曝光主流技術(shù),半導體圈內(nèi)目前仍莫衷一是。深紫外光由于光源能(Power Source)目前仍未達到可以大量生產(chǎn)的標準,成本過高,已經(jīng)遇到技術(shù)瓶頸;而多重電子束則為外界懷疑電子束直接書寫效率仍過慢,同樣也未能符合量產(chǎn)效率。

  在此情況下,深紫外光、多重電子束技術(shù)都未臻于成熟,半導體設(shè)備業(yè)者認為,較可行的方向是將目前過渡性45納米浸潤式微顯影(Immersion Lithography)持續(xù)延續(xù)壽命,不是朝向雙重曝光演進,就是未來將浸潤式介質(zhì)從純水轉(zhuǎn)換到高曝光的另類液體。但不論是深紫外光、多重電子束技術(shù)都已經(jīng)遇到技術(shù)障礙。

  Mapper目前的主要股東包括創(chuàng)投業(yè)者Capital-C Ventures,以及包括設(shè)備大廠科磊(KLA-Tencor)的旗下創(chuàng)投KT Venture Group以及KBC Private Equity N.V.、Quest for Growth等,其余還包括私人投資者與學術(shù)單位。



關(guān)鍵詞: 臺積電 半導體 納米

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