22納米制程微顯影曝光設(shè)備業(yè)者Mapper傳出設(shè)備進度遞延，Mapper目前是與臺積電在新世代半導體曝光設(shè)備合作最密切的業(yè)者之一，Mapper的進度遞延已經(jīng)讓原本預期進駐臺積電的22納米多重電子束(Multiple E-beam)設(shè)備向后延期。臺積電目前積極在深紫外光(EUV)與多重電子束方面尋求更具成本競爭的曝光技術(shù)，Mapper技術(shù)出現(xiàn)瓶頸，將為臺積電技術(shù)進程埋下未知數(shù)。

　　據(jù)了解，受到景氣沖擊，投資者資本支出保守，新興設(shè)備業(yè)者Mapper在22納米制程之后的曝光技術(shù)投資也受到影響，因而對于先進半導體曝光技術(shù)的進展有所減緩，原本預期2009年第1季原型機臺將正式進駐臺積電，不過目前已經(jīng)遞延了1季左右。臺積電內(nèi)部目前仍與Mapper維持緊密的合作關(guān)系，不過也憂心未來的發(fā)展。

　　半導體制程世代進入22納米以后，深紫外光與多重電子束何者將成為下一世代的曝光主流技術(shù)，半導體圈內(nèi)目前仍莫衷一是。深紫外光由于光源能(Power Source)目前仍未達到可以大量生產(chǎn)的標準，成本過高，已經(jīng)遇到技術(shù)瓶頸;而多重電子束則為外界懷疑電子束直接書寫效率仍過慢，同樣也未能符合量產(chǎn)效率。

　　在此情況下，深紫外光、多重電子束技術(shù)都未臻于成熟，半導體設(shè)備業(yè)者認為，較可行的方向是將目前過渡性45納米浸潤式微顯影(Immersion Lithography)持續(xù)延續(xù)壽命，不是朝向雙重曝光演進，就是未來將浸潤式介質(zhì)從純水轉(zhuǎn)換到高曝光的另類液體。但不論是深紫外光、多重電子束技術(shù)都已經(jīng)遇到技術(shù)障礙。

　　Mapper目前的主要股東包括創(chuàng)投業(yè)者Capital-C Ventures，以及包括設(shè)備大廠科磊(KLA-Tencor)的旗下創(chuàng)投KT Venture Group以及KBC Private Equity N.V.、Quest for Growth等，其余還包括私人投資者與學術(shù)單位。