納米文章進(jìn)入納米技術(shù)社區(qū)

Hynix成功研發(fā)世界最高性能移動(dòng)DRAM

　　韓聯(lián)社4月27日電稱(chēng)，Hynix(海力士)半導(dǎo)體成功研發(fā)采用54納米技術(shù)的世界最高性能的1Gb移動(dòng)低電雙倍速率(LPDDR2)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)產(chǎn)品。Hynix表示，該產(chǎn)品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實(shí)現(xiàn)1066Mbps超高速數(shù)據(jù)傳輸速度的移動(dòng)DRAM，在工藝技術(shù)、電壓、速度方面具備世界最高性能。　　據(jù)介紹，該產(chǎn)品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作，接近于現(xiàn)有的1.8伏移動(dòng)DRAM的50%，并且僅為PC DDR2產(chǎn)品的30%。這意味著，1秒內(nèi)下載5、6部普通長(zhǎng)度的
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賽普拉斯推出采用 65 納米工藝技術(shù)的 SRAM

　　賽普拉斯-SRAM 領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先公司，日前宣布，該公司在業(yè)界率先推出采用 65 納米線寬的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲(chǔ)器采用了賽普拉斯合作伙伴制造商 UMC 開(kāi)發(fā)的工藝技術(shù)。新型 SRAM 實(shí)現(xiàn)了目前市場(chǎng)上最快的 550 MHz時(shí)鐘速度，在 36 位 I/O 寬度的 QDRII+ 器件中可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 80
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SpringSoft與UMC成功合作完成65nm制程設(shè)計(jì)套件

　　思源科技(SpringSoft)與聯(lián)華電子(UMC) 4月28日共同宣布，將提供已通過(guò)晶圓專(zhuān)業(yè)驗(yàn)證的LakerTM制程設(shè)計(jì)套件(PDK)予聯(lián)華電子65nm制程技術(shù)使用，從而滿(mǎn)足了雙方共同客戶(hù)在特殊設(shè)計(jì)與尖端制程上的需求。　　Laker-UMC PDK能支持聯(lián)華電子的65nm CMOS(互補(bǔ)金氧半導(dǎo)體制程)標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程及混合模式技術(shù)與低介電值絕緣層。聯(lián)華電子65奈米標(biāo)準(zhǔn)效能制程能讓設(shè)計(jì)公司為各種不同的應(yīng)用產(chǎn)品提供動(dòng)力，包括消費(fèi)產(chǎn)品與繪圖芯片。可以執(zhí)行的技術(shù)選項(xiàng)包括混合信號(hào)/RFCMOS(射頻互補(bǔ)金氧
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東芝全球首家出貨32nm工藝閃存

　　東芝昨天宣布，于業(yè)界首家開(kāi)始出貨32nm工藝NAND閃存顆粒。其中，全球首顆32nm工藝32Gb(4GB)NAND單芯片樣品即日起出貨，主流容量16Gb(2GB)顆粒樣品將于今年7月推出。東芝表示，首批32nm NAND閃存將主要用于存儲(chǔ)卡和USB存儲(chǔ)設(shè)備，未來(lái)會(huì)擴(kuò)展到嵌入式產(chǎn)品領(lǐng)域。　　目前，東芝是全球領(lǐng)先的32GB閃存供應(yīng)商，使用8顆43nm工藝32Gb顆粒堆疊而成。而32nm工藝的應(yīng)用將進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率，減小芯片體積，適應(yīng)更高容量，更小巧的掌上產(chǎn)品需求。　　東芝的32nm工藝32Gb
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Toppan宣布28nm光刻掩膜準(zhǔn)備就緒通過(guò)IBM認(rèn)證

　　Toppan Printing公司在同IBM的合作下，開(kāi)發(fā)出新的光刻掩膜制造技術(shù)，可用于制造32nm和28nm掩膜。　　該公司稱(chēng)，這些掩膜在日本Asaka工廠制成，通過(guò)了IBM的認(rèn)證。　　Toppan從45nm節(jié)點(diǎn)就開(kāi)始和IBM合作，去年雙方簽署了32nm掩膜技術(shù)的最后階段的合作協(xié)議，以及22nm掩膜的合作開(kāi)發(fā)協(xié)議。
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Cadence與TSMC推出65納米混合信號(hào)/射頻參考設(shè)計(jì)

　　全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(Nasdaq: CDNS)與全球最大的專(zhuān)業(yè)積體電路制造服務(wù)公司-臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(TWSE: 2330 , NYSE: TSM) (以下簡(jiǎn)稱(chēng)臺(tái)積公司)今日共同宣布推出業(yè)界第一款的混合信號(hào)/射頻參考設(shè)計(jì)”錦囊”(MS/RF RDK)。這款錦囊采用Cadence? Virtuoso?混合信號(hào)技術(shù)研發(fā)完成，可提供矽芯片特性行為模型(silicon-characterized behavioral mode
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ARM與臺(tái)積電合作40納米實(shí)體IP

　　全球硅IP龍頭安謀(ARM)宣布與臺(tái)積電40納米泛用型制程合作實(shí)體IP。未來(lái)將鎖定磁碟機(jī)、機(jī)上盒、行動(dòng)運(yùn)算裝置、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用、高傳真電視和繪圖處理器等芯片市場(chǎng)提供臺(tái)積電制程、安謀IP庫(kù)的制造服務(wù)。　　安謀表示，與臺(tái)積電40納米泛用型制程合作的技術(shù)平臺(tái)包括高效能和高密度標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)(Standard Cell libraries)、電源管理工具組和工具組元件庫(kù)，可以解決芯片設(shè)計(jì)所產(chǎn)生的漏電問(wèn)題，進(jìn)階電源管理是安謀存儲(chǔ)器架構(gòu)不可或缺的一部分，有助于大幅降低系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)功耗與漏電功耗，在多處理器架構(gòu)下發(fā)
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ARM發(fā)布業(yè)界最廣泛的40納米G物理IP平臺(tái)

　　ARM公司近日宣布，開(kāi)始向臺(tái)積電的40納米G制造工藝提供業(yè)界最完善的IP平臺(tái)。這一ARM® 最新的、已通過(guò)流片驗(yàn)證的物理IP能夠滿(mǎn)足性能驅(qū)動(dòng)消費(fèi)產(chǎn)品的高成本效率開(kāi)發(fā);這些產(chǎn)品要求在不提高功耗的前提下提供先進(jìn)的功能。這一平臺(tái)是為那些期望使用40納米工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)者設(shè)計(jì)的，能夠促進(jìn)更高水平的技術(shù)創(chuàng)新，同時(shí)保持性能驅(qū)動(dòng)消費(fèi)產(chǎn)品的功耗水平。這些消費(fèi)產(chǎn)品包括：磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、機(jī)頂盒、移動(dòng)計(jì)算設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用、高清電視以及圖形處理器。　　通過(guò)多通道的邏輯庫(kù)，ARM平臺(tái)提供了非常高的靈活性。這些庫(kù)包括高性
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復(fù)合型納米發(fā)電機(jī)問(wèn)世太陽(yáng)能和機(jī)械能同時(shí)收集

　　人類(lèi)一直試圖讓設(shè)備自動(dòng)從周?chē)h(huán)境中獲取能量。早在20世紀(jì)初，研究人員就通過(guò)不同的途徑研究此類(lèi)設(shè)備。如今，美國(guó)佐治亞理工學(xué)院教授王中林的研究小組開(kāi)發(fā)出能同時(shí)收集太陽(yáng)能和機(jī)械能的復(fù)合型納米發(fā)電機(jī)，并首次實(shí)現(xiàn)了能同時(shí)收集多種能源的單一集成器件。這一最新的研究成果發(fā)表在《美國(guó)化學(xué)會(huì)志》網(wǎng)絡(luò)版上。　　王中林、王旭東博士和博士生許晨等在他們2006年發(fā)明的直流納米發(fā)電機(jī)的基礎(chǔ)上，集成了染料敏化太陽(yáng)能電池的功能。兩個(gè)發(fā)電單元都基于氧化鋅納米陣列，共用同一個(gè)金屬電極。此外，通過(guò)不同的設(shè)計(jì)及組裝步驟，太陽(yáng)能電池
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美研制出納米級(jí)憶阻器芯片

　　本報(bào)訊美國(guó)密歇根大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種由納米級(jí)憶阻器構(gòu)成的芯片，該芯片能存儲(chǔ)1千比特的信息。發(fā)表在《納米通訊》上的此項(xiàng)研究成果將有可能改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。　　憶阻器是一種電腦元件，可在一簡(jiǎn)單封裝中提供內(nèi)存與邏輯功能。此前，由于可靠性和重復(fù)性問(wèn)題，所展示的都是只有少數(shù)憶阻器的電路，而研究人員此次展示的則是基于硅憶阻系統(tǒng)并能與CMOS兼容的超高密度內(nèi)存陣列。CMOS指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，是一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料。　　雖然1千比特的信息
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中微蝕刻機(jī)與臺(tái)積電合作攜手45納米前進(jìn)32納米

據(jù)DigiTimes網(wǎng)站報(bào)道，大陸本土半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者中微半導(dǎo)體盡管在與國(guó)際大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)及科林研發(fā)(Lam Research)官司纏訟之中，但開(kāi)拓市場(chǎng)腳步未停歇，目前45納米蝕刻機(jī)臺(tái)已經(jīng)打入臺(tái)積電12寸廠，正在進(jìn)行設(shè)備驗(yàn)證，同時(shí)也與韓國(guó)存儲(chǔ)器業(yè)者合作當(dāng)中。中微亞太區(qū)總經(jīng)理朱新武表示，中微完全是走自主研發(fā)路線，目前不僅65/45納米機(jī)臺(tái)已打入一線半導(dǎo)體業(yè)者供應(yīng)商行列，也已著手下1世代32
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納米技術(shù)、微小化、醫(yī)療儀器未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

未來(lái)的醫(yī)療世界，是靠人體內(nèi)納米級(jí)的醫(yī)療機(jī)械組件實(shí)現(xiàn)。納米機(jī)械人約有0.5~3微米的長(zhǎng)度，并由數(shù)個(gè)范圍自1-100納米等不同直徑的組件所構(gòu)成，主要的成份是以納米級(jí)的碳原子構(gòu)成的鉆石成份所組成。這些納米機(jī)械人可以爬行、轉(zhuǎn)圈甚至在人體內(nèi)擷取影像并診斷出使用傳統(tǒng)掃描技術(shù)未能診斷的疾病。更可以傳輸藥品治療腫瘤而不必開(kāi)刀。其功能包括一、治療皮膚?。欢?、清潔口腔；三、增加免疫系統(tǒng)；四、強(qiáng)化心血管系統(tǒng)；五、植入人體。目前納米科技已成為各
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美國(guó)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出納米級(jí)磁共振成像儀

美國(guó)IBM公司研究中心和斯坦福大學(xué)納米探索中心的科學(xué)家們共同開(kāi)發(fā)出一種磁共振成像儀（MRI），其分辨率要比常...
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2009年將實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)的五個(gè)市場(chǎng)

　　也許是厭倦了一直以來(lái)的壞消息？Information Network編制了一份2009年實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)的市場(chǎng)名單，這也許會(huì)減緩一下低迷的趨勢(shì)。　　太陽(yáng)能電池　　該公司表示，“太陽(yáng)能電池的市場(chǎng)將會(huì)在2009年達(dá)到7.1G瓦，實(shí)現(xiàn)全球26%的增長(zhǎng)率，而2008年的增長(zhǎng)率為48%。面板的價(jià)格也可能會(huì)下調(diào)20%到30%之間，考慮到2009年的全球多晶硅供應(yīng)量會(huì)翻番。” 　　硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器　　“硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)市場(chǎng)將在2008年實(shí)現(xiàn)12.5%的年增長(zhǎng)，
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納米壓電材料有望使未來(lái)手機(jī)不充電

想象一下吧，你每天使用的手機(jī)將不再使用電池了，你也不用費(fèi)神為手機(jī)電池充電了，只需你發(fā)出一點(diǎn)點(diǎn)聲音，所產(chǎn)生的聲波就會(huì)轉(zhuǎn)變成手機(jī)運(yùn)行的電能?，F(xiàn)在這個(gè)想象似乎離我們?cè)絹?lái)越近了。近日，美國(guó)物理學(xué)協(xié)會(huì)出版的《物理評(píng)論》雜志刊登了德克薩斯大學(xué)化學(xué)工程系教授卡金的最新成果，他和他的研究團(tuán)隊(duì)研制出納米級(jí)壓電材料，這種材料可以用在低能耗電子產(chǎn)品中代替電池，將聲波變成驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品運(yùn)行的能量。　　壓電材料及其運(yùn)用　　壓電體是指這樣一類(lèi)材料，當(dāng)它們受到外
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納米介紹

納米是長(zhǎng)度單位，原稱(chēng)毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬(wàn)分之一毫米）。納米科學(xué)與技術(shù)，有時(shí)簡(jiǎn)稱(chēng)為納米技術(shù)，是研究結(jié)構(gòu)尺寸在1至100納米范圍內(nèi)材料的性質(zhì)和應(yīng)用。納米效應(yīng)就是指納米材料具有傳統(tǒng)材料所不具備的奇異或反常的物理、化學(xué)特性，如原本導(dǎo)電的銅到某一納米級(jí)界限就不導(dǎo)電，原來(lái)絕緣的二氧化硅、晶體等，在某一納米級(jí)界限時(shí)開(kāi)始導(dǎo)電。這是由于納米材料具有顆粒尺寸小、比表面 [ 查看詳細(xì) ]