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國(guó)產(chǎn)3nm芯片刻蝕機(jī)取得突破 美企多次竊取中微專利

  • 近日，國(guó)產(chǎn)芯片行業(yè)傳來好消息。據(jù)媒體報(bào)道，中微公司成功研制出3nm蝕刻機(jī)，且完成了原型機(jī)的設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試及初步的工藝開發(fā)和評(píng)估，并已進(jìn)入量產(chǎn)階段。之前，中微的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國(guó)際一線客戶先進(jìn)集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。此次3nm刻蝕機(jī)誕生，使得中國(guó)芯片企業(yè)以后能夠參與到更先進(jìn)的高端芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈中。眾所周知，半導(dǎo)體工藝流程主要包括晶圓制造、設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)幾個(gè)環(huán)節(jié)。每個(gè)環(huán)節(jié)不但需要高尖端技術(shù)，還需要大量的軟件和硬件設(shè)備。單晶硅片制造需要單晶爐等設(shè)備，IC制造需要光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜設(shè)
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中微在VLSIresearch客戶滿意度調(diào)查中蟬聯(lián)上榜

  • 中微在全球晶圓制造設(shè)備供應(yīng)商（THE BEST Suppliers of Fab Equipment）中排名第三，在客戶合作方面獲得了客戶的高度評(píng)價(jià)。中微在十大芯片制造設(shè)備專業(yè)型供應(yīng)商（10 BEST Focused Suppliers of Chip Making Equipment）和專用芯片制造設(shè)備供應(yīng)商（THE BEST Suppliers of Fab Equipment to Specialty Chip Makers）中均位列第二。
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中芯、中微和華力等齊心協(xié)力，將IC打造成“上海制造”代表

  • 　　目前在國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域，上海市無疑已成為國(guó)內(nèi)“產(chǎn)業(yè)最集中、產(chǎn)業(yè)鏈最完整、綜合技術(shù)水平最高”的地區(qū)。據(jù)上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布的《2018年上海集成電路產(chǎn)業(yè)白皮書》顯示，2017年上海集成電路產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模達(dá)到1180.62 億元，同比增長(zhǎng)12.2%。這是繼2014年以來上海集成電路產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模連續(xù)4年實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)?！　橥苿?dòng)上海集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2016年1月，上海成立了一只500億元的上海集成電路產(chǎn)業(yè)基金，主要分為100億元的裝備材料基金、100億元的設(shè)計(jì)基金、300億元的制造基金。據(jù)了解，該產(chǎn)業(yè)
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中微在VLSIresearch客戶滿意度調(diào)查中榮登上榜

  • 　　中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微”)宣布，中微在VLSIresearch(美國(guó)領(lǐng)先的半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)研究公司，以下簡(jiǎn)稱“VLSI”)舉辦的2018年度客戶滿意度調(diào)查(簡(jiǎn)稱“CSS”)中榮登上榜，在多項(xiàng)排名中位居前列。VLSI從1988年開始每年都會(huì)舉辦這項(xiàng)客戶滿意度調(diào)查，這是業(yè)內(nèi)唯一一項(xiàng)能讓不同地區(qū)的客戶對(duì)它們?nèi)虻陌雽?dǎo)體設(shè)備和子系統(tǒng)的供應(yīng)商進(jìn)行匿名反饋的調(diào)查。上榜企業(yè)名單中有來自美國(guó)、歐洲、亞洲和以色列的企業(yè)，中微是其中唯一一家中國(guó)本土的半導(dǎo)體設(shè)備公司?！　≈形⒃谛酒圃煸O(shè)備專業(yè)型供應(yīng)商
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中微發(fā)布第一代電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo nanova?

  • 中國(guó)上海，2018年3月13日電——中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微”）在本周舉辦的SEMICON China期間正式發(fā)布了第一代電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo nanova?，用于大批量生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片和邏輯芯片的前道工序。該設(shè)備采用了中微具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)和許多創(chuàng)新的功能，以幫助客戶達(dá)到芯片制造工藝的關(guān)鍵指標(biāo)，例如關(guān)鍵尺寸（CD）刻蝕的精準(zhǔn)度、均勻性和重復(fù)性等。其創(chuàng)新的設(shè)計(jì)包括：完全對(duì)稱的反應(yīng)腔，超高的分子泵抽速；獨(dú)特的低電容耦合線圈設(shè)計(jì)和多區(qū)細(xì)分溫控靜電吸盤（E
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中微贏得針對(duì)Veeco上海的專利禁令申請(qǐng)

  • 　　中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微”)今日宣布，中國(guó)福建省高級(jí)人民法院同意了中微針對(duì)維易科精密儀器國(guó)際貿(mào)易(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“Veeco上?！?的禁令申請(qǐng)，該禁令禁止Veeco上海進(jìn)口、制造、向任何第三方銷售或許諾銷售侵犯中微第CN 202492576號(hào)專利的任何化學(xué)氣相沉積裝置和用于該等裝置的基片托盤。該禁令涵蓋TurboDisk EPIK 700、EPIK 700 C2 和EPIK 700 C4機(jī)型
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中微贏得起訴Veeco專利侵權(quán)的關(guān)鍵專利有效性審決

  • 中國(guó)上海，2017年11月24日電——中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微”）迎來了階段性的關(guān)鍵勝利：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利復(fù)審委（以下簡(jiǎn)稱“專利復(fù)審委”）于今天作出審查決定書，否決了維易科精密儀器國(guó)際貿(mào)易（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“Veeco上?！保╆P(guān)于中微專利無效的申請(qǐng)，確認(rèn)中微起訴Veeco上海專利侵權(quán)的涉案專利為有效專利。
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中微半導(dǎo)體成唯一進(jìn)入臺(tái)積電 7nm 制程的大陸本土設(shè)備商

  • 　　因10nm制程遭遇前所未有的挑戰(zhàn)，故全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)紛紛將重要資源投入在7nm制程上，臺(tái)積電、三星、GlobalFoundries、英特爾均已開始布局。據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，目前臺(tái)積電的7nm布局最積極，近期臺(tái)積電更是轉(zhuǎn)變了7nm制程設(shè)備的采購(gòu)策略，將應(yīng)用材料(AppliedMaterials)、科林研發(fā)(LAM)、東京威力科創(chuàng)(TEL)、日立先端(Hitach)、中微半導(dǎo)體5大設(shè)備商均納入采購(gòu)名單，致力平衡7nm制程設(shè)備商生態(tài)價(jià)格。 　　值得注意的是，中微半導(dǎo)體是唯一進(jìn)入臺(tái)積電7nm制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備
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中微半導(dǎo)體堅(jiān)持自主創(chuàng)新 8年申請(qǐng)超過800件相關(guān)專利

  • 　　筆者從5月23日在北京舉行的02重大專項(xiàng)成果發(fā)布會(huì)上了解到，過去九年中，中微半導(dǎo)體通過先后承擔(dān)并圓滿完成65-45納米、32-22納米、22-14納米等三項(xiàng)等離子介質(zhì)刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制和產(chǎn)業(yè)化的02專項(xiàng)任務(wù)，使我國(guó)在該項(xiàng)設(shè)備領(lǐng)域中的技術(shù)基本保持了與國(guó)際先進(jìn)水平同步。 　　中微半導(dǎo)體率先開發(fā)了包括甚高頻去耦合反應(yīng)離子刻蝕的等離子體源和雙反應(yīng)臺(tái)的反應(yīng)腔等一系列完全自主創(chuàng)新的設(shè)計(jì)，使之與國(guó)外同類設(shè)備相比，在產(chǎn)能、潔凈室面積占用和設(shè)備擁有成本等重要指標(biāo)上都具有約30%的優(yōu)勢(shì)。中微半導(dǎo)體高效、好用的介質(zhì)刻蝕設(shè)備
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國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金首單落浦東 中微半導(dǎo)體獲投4.8億元

  • 集成電路產(chǎn)業(yè)可視為“國(guó)家戰(zhàn)略”，產(chǎn)業(yè)基金是進(jìn)一步布局的具體舉措。國(guó)內(nèi)首家加工亞微米及納米級(jí)大規(guī)模集成線路關(guān)鍵設(shè)備的公司“中微半導(dǎo)體”，已于2014年底成為國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資基金第一個(gè)完成投資的項(xiàng)目，投資總額達(dá)到4.8億元。
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中微發(fā)布業(yè)界首創(chuàng)介質(zhì)刻蝕及除膠一體機(jī)

  • 　　中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(簡(jiǎn)稱“中微”)今日發(fā)布 Primo iDEA(TM) (“雙反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)刻蝕除膠一體機(jī)”)-- 這是業(yè)界首次將雙反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)等離子體刻蝕和光刻膠除膠反應(yīng)腔整合在同一個(gè)平臺(tái)上。Primo iDEA(TM) 主要針對(duì)2X納米及更先進(jìn)的刻蝕工藝，運(yùn)用中微已被業(yè)界認(rèn)可的 D-RIE 刻蝕技術(shù)和 Primo 平臺(tái)，避免了因等離子體直接接觸芯片引發(fā)的器件損傷(PID)，提高了工藝的靈活性，減少了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率并使占用生產(chǎn)空間更優(yōu)化。
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中微公司首次進(jìn)入半導(dǎo)體照明市場(chǎng)

  • 在下周即將舉行的 SEMICON China 展會(huì)期間，中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微”)將正式發(fā)布多反應(yīng)器金屬有機(jī)化合物氣相沉積設(shè)備(MOCVD)，并首次進(jìn)入半導(dǎo)體照明市場(chǎng)。Prismo D-Blue(TM) MOCVD 設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的氮化鎵、銦鎵氮、鋁鎵氮超薄層結(jié)構(gòu)的大批量生產(chǎn)，這些超薄層結(jié)構(gòu)對(duì)于高亮度 LED 是必需的。
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中微公司任命陳偉文先生為副總裁兼首席財(cái)務(wù)官

  • 　　中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微公司”)新任命陳偉文先生為副總裁兼首席財(cái)務(wù)官。作為一名資深的國(guó)際化金融和財(cái)務(wù)職業(yè)管理人，陳先生曾在多家跨國(guó)公司任首席財(cái)務(wù)官，擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。他將在中微公司主要負(fù)責(zé)預(yù)算管理、財(cái)務(wù)管理、風(fēng)險(xiǎn)控制、內(nèi)審及投資者關(guān)系等，并直接向首席執(zhí)行官匯報(bào)。 　　中微公司新任命前阿特斯太陽能有限公司高管陳偉文先生出任副總裁兼首席財(cái)務(wù)官，陳偉文先生將在中微公司主要負(fù)責(zé)預(yù)算管理、財(cái)務(wù)管理、風(fēng)險(xiǎn)控制、內(nèi)審及投資者關(guān)系等，并直接向首席執(zhí)行官匯報(bào)。 　　在
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中微公司發(fā)布新一代等離子刻蝕設(shè)備

  • 　　近日，中微半導(dǎo)體發(fā)布了兩款新一代刻蝕設(shè)備。 　　新設(shè)備中的第一款是Primo SSC AD-RIE(“單反應(yīng)器甚高頻去耦合反應(yīng)離子介質(zhì)刻蝕機(jī)”)，可應(yīng)用于最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片和邏輯芯片的加工生產(chǎn)，包括2x納米及1x納米代高深寬比接觸孔刻蝕、溝槽及接觸孔刻蝕、串行刻蝕(在單反應(yīng)器中實(shí)現(xiàn)多步操作)。Primo SSC AD-RIE擁有獨(dú)特的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，能夠在工藝控制方面實(shí)現(xiàn)前所未有的靈活性，并能幫助芯片生產(chǎn)商在確保芯片加工質(zhì)量的同時(shí)達(dá)到更高的產(chǎn)出效率。 　　另一款，12英寸硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV3
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中微推出硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200E

  • 中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微”)推出了8英寸硅通孔(TSV)刻蝕設(shè)備Primo TSV200E(TM) -- 該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊且具有極高的生產(chǎn)率，可應(yīng)用于8英寸晶圓微電子器件、微機(jī)電系統(tǒng)、微電光器件等的封裝。繼中微第一代和第二代甚高頻去耦合等離子刻蝕設(shè)備Primo D-RIE(TM) 和Primo AD-RIE(TM)之后，中微的這一TSV刻蝕設(shè)備將被用于生產(chǎn)芯片的3D封裝、CMOS圖像感測(cè)器、發(fā)光二極管、微機(jī)電系統(tǒng)等。中微的8英寸硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200E(TM)已經(jīng)進(jìn)入昆山西鈦微
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