美國(guó)北卡羅來(lái)納大學(xué)與賴斯大學(xué)的科學(xué)家最近發(fā)明了一種新的半導(dǎo)體制作工藝，研究人員稱這種發(fā)明能讓Intel這樣的芯片公司“突破摩爾定律的禁錮”，并造出更小更強(qiáng)的處理器。該項(xiàng)發(fā)明研究了一種新的硅半導(dǎo)體雜質(zhì)摻雜方法，科學(xué)家們稱之為“單分子層嫁接”。過(guò)去，半導(dǎo)體是通過(guò)向硅晶體內(nèi)部摻雜雜質(zhì)而制成的，但隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，晶體管的尺寸也越來(lái)越小，這樣就很容易出現(xiàn)不同器件之間摻雜度存在差異的情況，造成器件間的性能差異。

　　為了解決這個(gè)問(wèn)題，這項(xiàng)新發(fā)明改變了向半導(dǎo)體中摻雜雜質(zhì)的方法，改將雜質(zhì)分子附著在硅晶體的表面，而不是將其注入晶體內(nèi)部。使用這種方法可以得到與傳統(tǒng)制作方法相似的效果，但對(duì)納米級(jí)器件則更為適用。

　　研究人員并稱：“對(duì)Intel，鎂光，三星等半導(dǎo)體廠商來(lái)說(shuō)，我們的發(fā)明意義重大，我保證他們已經(jīng)在嘗試使用我們的方案了。”