碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)
碳化硅，跨入高速軌道
- 正如業(yè)界預期的那樣，目前碳化硅正邁入高速增長階段。觀察市場情況，碳化硅產(chǎn)業(yè)熱鬧不斷：英飛凌、意法半導體、天岳先進、三安光電、羅姆等大廠加速擴充碳化硅產(chǎn)能；英國Alan Anderson公司和印度大陸器件公司CDIL簽署合作協(xié)議，安森美與Entegris已開展合作，PVA TePle已與Scientific Visual建立合作伙伴關(guān)系；印度首家半導體芯片制造商Polymatech Electronics收購美國碳化硅相關(guān)公司Nisene；長飛先進與懷柔實驗室簽署碳化硅功率器件成果合作轉(zhuǎn)化意向協(xié)
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新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期
- 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設(shè)、設(shè)備采購及人員安排等相關(guān)工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內(nèi)完成。據(jù)悉，此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設(shè)完成。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
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8英寸碳化硅，如火如荼
- 近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動。功率半導體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠，預計2025年開始量產(chǎn)。碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型升級是技術(shù)發(fā)展的必然趨勢。業(yè)界人士稱，預計從2026年至2027年開始，現(xiàn)在的6英寸碳化硅產(chǎn)品都將被8英寸產(chǎn)品替代。當前來看，第三代半導體碳化硅加速邁進8英寸時代，并引得“天下群雄”踴躍進軍。據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，英
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英飛凌馬來西亞居林第三廠區(qū)啟用，未來將成世界最大碳化硅功率半導體晶圓廠
- IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來西亞的居林第三廠區(qū)（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產(chǎn)，也將關(guān)注氮化鎵（GaN）外圍晶圓?！?英飛凌居林第三廠區(qū)英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設(shè)計劃，投資額達 20 億美元（IT之家備注：當前約 143.43 億元人民幣），可創(chuàng)造 900 個高價值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價值 50 億美元（當前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計劃
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碳化硅半導體--電動汽車和光伏逆變器的下一項關(guān)鍵技術(shù)
- 毋庸置疑，從社會發(fā)展的角度，我們必須轉(zhuǎn)向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術(shù)的轉(zhuǎn)變也帶來了一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。無論是生產(chǎn)要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對于電動汽車（EV）和太陽能電池板等應(yīng)用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續(xù)可靠地運行。為了進一步推動這些可持續(xù)解決方案，
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羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
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第三代半導體，距離頂流差了什么
- 潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過去了一年，這個市場非但沒有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發(fā)展備受關(guān)注：Yole 數(shù)據(jù)顯示，2026 年 GaN 市場規(guī)模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場規(guī)模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來覆去了，市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導體應(yīng)用的重要驅(qū)動力。新能源車的最大
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悉智科技首顆DCM封裝8并SiC產(chǎn)品量產(chǎn)下線
- 7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡稱“悉智科技”）宣布，其首批車規(guī)級功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線投產(chǎn)。悉智科技表示，此次下線的首批量產(chǎn)模塊，是悉智科技自研的高端電驅(qū)SiC塑封功率模塊產(chǎn)品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開發(fā)上，悉智科技取得了顯著進展，目前該產(chǎn)品已獲取到客戶的量產(chǎn)訂單，并會在今年四季度實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。資料顯示，悉智科技自2022年1月1日正式運營以來，始終專注于車規(guī)級功率與電源模塊的研發(fā)與生產(chǎn)，致力于為智能電動汽車、光儲新能源等客戶提供深度定制化的解決方案。目前，該公司已在蘇州建成具
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碳化硅廠商，忙得不亦樂乎
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電動汽車和光伏逆變器的下一項關(guān)鍵技術(shù)
- 圖1 半導體對許多新興綠色科技至關(guān)重要毋庸置疑，從社會發(fā)展的角度，我們必須轉(zhuǎn)向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術(shù)的轉(zhuǎn)變也帶來了一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。無論是生產(chǎn)要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對于電動汽車（EV）和太陽能電池板等應(yīng)用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續(xù)可靠地運
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安森美加速碳化硅創(chuàng)新，助力推進電氣化轉(zhuǎn)型
- 新聞要點●? ?最新一代EliteSiC M3e MOSFET能將電氣化應(yīng)用的關(guān)斷損耗降低多達 50%●? ?該平臺采用經(jīng)過實際驗證的平面架構(gòu)，以獨特方式降低了導通損耗和開關(guān)損耗●? ?與安森美(onsemi) 智能電源產(chǎn)品組合搭配使用時，EliteSiC M3e 可以提供更優(yōu)化的系統(tǒng)方案并縮短產(chǎn)品上市時間●? ?安森美宣布計劃在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅產(chǎn)品 ? ? ?面對不斷升級
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環(huán)球晶圓40億美元建廠，獲美國至多4億美元補助
- 當?shù)貢r間7月17日，美國商務(wù)部宣布與全球第三大半導體晶圓供應(yīng)商環(huán)球晶圓（GlobalWafers）簽署了不具約束力的初步備忘錄（PMT）。環(huán)球晶圓承諾在美國投資約40億美元（約合人民幣290億元）建設(shè)兩座12英寸晶圓制造工廠。美國政府將向環(huán)球晶圓提供至多4億美元（約合人民幣29億元）的《芯片法案》直接補助，以加強半導體元件供應(yīng)鏈。據(jù)悉，環(huán)球晶圓將在德克薩斯州謝爾曼建立第一家用于先進芯片的300mm硅晶圓制造廠，在密蘇里州圣彼得斯建立生產(chǎn)300mm絕緣體上硅（“SOI”）晶圓的新工廠。環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭表
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基本半導體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用
- 引言：隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車載功率芯片的理想選擇。同時，高溫、高壓、高頻、大電流的工作環(huán)境對碳化硅模塊內(nèi)部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求，開發(fā)與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進。傳統(tǒng)互連材料的局限傳統(tǒng)的高溫錫基焊料和銀燒結(jié)技術(shù)已在功率模塊行業(yè)中活躍多年，但它們各自存在一定短板。例如，錫基焊料耐高溫性能不足，熱導率、電導率偏低，在高溫下存在蠕變失效的風險，在
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