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碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構

  • 自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時間可能會成為
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  車載充電器  

安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車載充電器升級到800V電池架構

  • 自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時間可能會成為
  • 關鍵字： 安森美  onsemi  MOSFET  車載充電器  800V電池架構  

用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動器使用指南

  • SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP517
  • 關鍵字： 安森美  SiC  MOSFET  隔離柵極驅動器  

具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術

  • 碳化硅（SiC）技術具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統(tǒng)（ESS）上的應用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。大幅降低儲能系統(tǒng)成本與提升效率的SiC技術當前的SiC技術已經相當成熟，可以適用在從千瓦到兆瓦功率的工業(yè)應用范圍中，影響了能源、工業(yè)和汽車等眾多領域。由于SiC器件運作時的溫度較低，及較小的
  • 關鍵字： 艾睿電子  碳化硅  

國內8英寸SiC傳來新進展

  • 近年來，汽車、太陽能和電動汽車充電應用及儲能系統(tǒng)等領域對碳化硅半導體產品需求不斷增長，并推動新興半導體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上，國內廠商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現8英寸拋光片的開發(fā)，晶片性能參數與6英寸晶片相當，今年二季度將實現小批量生產；天科合達計劃在2023年實現8英寸襯底產品的小規(guī)模量產，同時該公司在5月與半導體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應協議。近期，科友半導體傳來了新消息。6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產關鍵技術，在晶體尺寸、厚度
  • 關鍵字： 8英寸  SiC  科友半導體  

使用SiC的關鍵在于了解事實

  • 最近，碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領域的潛在應用受到了廣泛關注，但同時也引發(fā)了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解，讓工程師們在未來放心地使用 SiC器件。應用圍繞SiC 產生的一些疑慮與其應用范圍相關。例如，一些設計人員認為SiC MOSFET 應該用來替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品應該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而，額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品質因數很有競爭力，反向恢復電荷也非常小。因此，在圖騰柱功率因數校正 (TPPFC) 或同
  • 關鍵字： 202306  SiC  

Nexperia擴充NextPower 80/100 V MOSFET產品組合的封裝系列

  • 奈梅亨，2023年6月21日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務器、工業(yè)、開關電源、快充、USB-PD和電機控制應用。  長期以來，品質因數Qg*RDSon一直是半導體制造商提高MOSFET開關效率的重點。然而，一味地降低該品質因數導致產生了意外后果
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  

羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協議

  • SiC（碳化硅）功率元器件領域的先進企業(yè)ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署了SiC功率元器件的長期供貨合作協議。根據該合作協議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元。?之所以能達成此次合作，是因為雙方已于2020年建立了“電動汽車電力電子技術開發(fā)合作伙伴關系”，并基于合作伙伴關系進行了密切的技術合作，開展了適用于電動汽車的SiC功率元器件和采用SiC芯
  • 關鍵字： 羅姆  緯湃  SiC  

為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

  • 在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進的器件結構與創(chuàng)新工藝技術結合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體
  • 關鍵字： SiC  肖特基二極管  

SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

  • 如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物聯網技術等要求苛刻領域的進步，但高質量 SiC 基板的生產給晶圓制造商帶來了多重挑戰(zhàn)。如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物
  • 關鍵字： SiC  

228億涌入國內碳化硅賽道

采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點

  • 近年來，為了更好地實現自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產品，因此，關于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設計來實現更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續(xù)發(fā)展的推動力。譬如，多個標準法規(guī)已經或即將強制規(guī)
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

干貨 | MOSFET結構及其工作原理詳解

  • 01?概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。功率場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管（Sta
  • 關鍵字： MOSFET  

意法半導體、三安光電將成立碳化硅合資制造廠

  • ·? ?意法半導體和三安光電將成立一家合資制造廠，進行8英寸碳化硅 (SiC)器件大規(guī)模量產·? ?該合資廠將有助于滿足中國汽車電氣化、工業(yè)電力和能源等應用對意法半導體 SiC器件日益增長的需求·? ?三安光電還將單獨建造一個8英寸 SiC襯底制造廠，以滿足該合資廠的襯底需求?2023年6月7日，中國 -- 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：ST
  • 關鍵字： 意法半導體  三安光電  碳化硅  

用于車載充電器應用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南

  • 隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關頻率發(fā)展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢設計 OBC 系統(tǒng)。要注意的是，PFC 拓撲結構的變化非常顯著。設計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓撲，因為它有著卓越的開關性能和較小的反向恢復特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術的汽
  • 關鍵字： 安森美  車載充電器  MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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