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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

使用集成MOSFET限制電流的簡單方法

  • 電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會導致電池的壓降太大和下游設備的供電電壓不足。因此，通常需要將電流限制在一個特定值。大多數(shù)功率轉(zhuǎn)換器都有過流限制器，以保護其免受額外電流造成的損壞。在一些DC-DC轉(zhuǎn)換器中，甚至可以調(diào)整閾值。圖1. 每個端口輸出電流為1 A的充電寶中的電流限制。在圖1中，還可以使用具有內(nèi)置甚至可調(diào)節(jié)限流器的DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。在這種情況下，無需額外的限流器模塊。不過，也有許多應
  • 關鍵字： ADI  MOSFET  

Ameya360：平面MOSFET與超級結(jié)MOSFET區(qū)別

  • 今天,Ameya360給大家介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來的幾篇將談超級結(jié)MOSFET相關的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上，根據(jù)其特征和特性對使用區(qū)分有個初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍?？梢钥闯觯琒i-MOSFET在這個比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件
  • 關鍵字： MOSFET  超級結(jié)MOSFET  

新能源汽車時代的半導體材料寵兒——SiC（碳化硅）

  •   前  言  1824年，一種全新的材料被瑞典科學家，貝采里烏斯合成出來，這是一種名為碳化硅的黑色粉末，平平無奇的樣子，仿佛是隨處可見的灰燼，也許誰也沒能想到，就是這一小撮雜質(zhì)般的黑色顆粒，將會在近200年后，在其之上長出絢爛的花朵，幫助人類突破半導體的瓶頸。在人類半導體產(chǎn)業(yè)的起步初期，基于硅（Si）芯片的技術(shù)發(fā)展速度卓越，無論是成本還是性能都達到了完美的平衡，自然對于碳化硅（SiC）沒有過多的注意。直到20世紀90年代，Si基電力電子裝置出現(xiàn)了性能瓶頸，再次激發(fā)
  • 關鍵字： SiC  新能源汽車  汽車電子  

GaN 時代來了？

  • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場狀況將發(fā)生變化，GaN 被認為會產(chǎn)生后續(xù)替代效應。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進半導體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進行了早期部署，并繼續(xù)擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
  • 關鍵字： GaN  SiC  

FPGA 和功率 MOSFET 缺貨現(xiàn)象下半年將持續(xù)

  • 2023 年，半導體和電子元件價格正在穩(wěn)定，但仍有部分產(chǎn)品短缺。
  • 關鍵字： FPGA  MOSFET  

碳化硅快充時代來臨，800V高壓超充開始普及！

  • 一直以來，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關鍵問題，是車企和車主共同的焦慮；但隨著高壓電氣技術(shù)的不斷進步和快充時代的到來，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場的風口浪尖。繼2019年4月保時捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后，800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V，800V帶來了更高的功效，大幅提升功率，實現(xiàn)了15分鐘的快充補能。而構(gòu)建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領著這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺Si（硅）早已
  • 關鍵字： 碳化硅  SiC  

安森美的碳化硅技術(shù)將整合到寶馬集團的下一代電動汽車中

  • 領先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi）近日宣布與寶馬集團（BMW）簽署長期供貨協(xié)議（LTSA），將安森美的EliteSiC技術(shù)用于這家德國高端汽車制造商的400?V直流母線電動動力傳動系統(tǒng)。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一個全橋功率模塊中，可提供幾百千瓦的功率。兩家公司的戰(zhàn)略合作針對電動動力傳動系統(tǒng)的開發(fā)和整合，使安森美能為特定應用提供差異化的芯片方案，包括優(yōu)化尺寸和布局以及高性能和可靠性。優(yōu)化的電氣和機械特性實現(xiàn)高效率和更低的整體損耗，同時提供極高的系
  • 關鍵字： 安森美  碳化硅  寶馬集團  電動汽車  

詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝

  • 電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時尺寸較小，從而有助于實現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時散熱效果并不理想。由于器件的引線框架（包括裸露漏極焊盤）直接焊接到覆銅區(qū)，這導致熱量主要通過PCB進行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過空氣對流來散熱。因此，熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性：覆銅的面積大小、層數(shù)、厚度和布局。無論電路板是
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  

特斯拉要削減碳化硅使用量，相關芯片制造商股價應聲下跌

  • 3 月 3 日消息，美國電動汽車制造商特斯拉在首次投資者日活動上表示，計劃減少下一代電動汽車動力系統(tǒng)中碳化硅晶體管的使用量，當?shù)貢r間周四相關芯片制造商的股價紛紛下跌。本周三舉行的特斯拉投資者日活動討論的一個主要內(nèi)容是效率提升和成本控制。特斯拉動力系統(tǒng)工程負責人科林?坎貝爾（Colin Campbell）登臺展示了公司計劃如何在保持高性能和轉(zhuǎn)化效率的同時降低汽車動力系統(tǒng)的成本?？藏悹柾嘎?，“在我們的下一代動力系統(tǒng)中，作為關鍵部件的碳化硅晶體管價格昂貴，但我們找到了一種方法，可以在不影響汽車性能或效率的情況下
  • 關鍵字： 特斯拉  碳化硅  

銀河微電：功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術(shù)量產(chǎn)

  • 銀河微電12月20日在互動平臺表示，功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術(shù)的量產(chǎn)；IPM模塊已完成一款封裝的量產(chǎn)，未來將根據(jù)市場情況逐步系列化；DFN0603無框架封裝已完成工藝驗證，性能指標符合開發(fā)目標要求；CSP0603封裝已完成技術(shù)開發(fā)，未來芯片線改擴建時將進行成果轉(zhuǎn)化。
  • 關鍵字： 銀河微電  MOSFET  

5大重要技巧讓您利用 SiC 實現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品！

  • 當您設計新電力電子產(chǎn)品時，您的目標任務一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導體的開關電源，其應用領域包括光伏系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關模式設計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
  • 關鍵字： 安森美  SiC  

碳化硅如何革新電氣化趨勢

  • 在相當長的一段時間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體：將電子激發(fā)到導帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標準硅基器件的多種優(yōu)勢。由于漏電流更小且?guī)陡?，器件可以在更寬的溫度范圍?nèi)工作，而不會發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學惰性，所有這些優(yōu)點進一步鞏固了 SiC 在電力電子領域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應用，例如電源、純
  • 關鍵字： 安森美  碳化硅  

英飛凌與Resonac擴大合作范圍，簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應協(xié)議

  • 日前，英飛凌科技繼續(xù)擴大了與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協(xié)議顯示，英飛凌未來十年用于生產(chǎn)SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC材料，協(xié)議后期則會助力英飛凌向8英寸晶圓的過渡。合作過
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  

英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應協(xié)議

  • 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續(xù)擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協(xié)議顯示，英飛凌未來十年用于生產(chǎn)SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC
  • 關鍵字： 英飛凌  Resonac  碳化硅  SiC  

是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

  • 與硅技術(shù)相比，SiC MOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優(yōu)勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關鍵特征之一。如果只需要兩個工人來搬運和安裝該系統(tǒng)，將會非常利于運維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源，而且使設備更小、更輕，相關的資本、安裝和維護成本更低。關鍵的應用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲能系統(tǒng)中，1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低，同時要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
  • 關鍵字： 英飛凌  SiC  逆變器  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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