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碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

中國小型 SiC 廠商，難過 2023

  • 2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊，成為第一家在量產汽車中使用 SiC 芯片的電動汽車公司。特斯拉的使用結果表明，在相同功率等級下，SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開關損耗降低了 75％。換算下來，采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊，其系統(tǒng)效率可以提高 5％左右。一場特斯拉的大風，引燃了 SiC。然而，就在剛剛過去的 3 月份，特斯拉卻突然宣布，下一代的電動車傳動系統(tǒng) SiC 用量大減 75%，因借創(chuàng)新技術找到下一代電動車動力系統(tǒng)減少使用 S
  • 關鍵字： SiC  

第三代半導體高歌猛進，誰將受益？

  • “現(xiàn)在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導體大廠意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當下，在全球半導體行業(yè)的逆流中，第三代半導體正閃爍著獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關于第三代半導體的爭奪劇集已經開始上演。一、三代半方興未艾產業(yè)進入高速成長期近日，科學技術部黨組成員、副部長相里斌在2023中關村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產業(yè)進入下行周
  • 關鍵字： 第三代半導體  SiC  GaN  

如何通過實時可變柵極驅動強度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率

  • 牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構建下一代牽引逆變器系統(tǒng)，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 來實現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅動器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓（輸入到輸出）的電隔離，驅動逆變器每相的高邊和低邊功率模塊，并監(jiān)測和保護逆變器免受各種故障的影響。根據汽車安全完整性等級 (ASIL) 功能安全要求，柵極驅
  • 關鍵字： SiC  牽引逆變器  

緯湃科技和安森美簽署碳化硅（SiC）長期供應協(xié)議

  • ?·?????? 緯湃科技正在鎖定價值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅（SiC）產能·?????? 緯湃科技通過向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的產能投資，獲得這一關鍵的半導體技術，以實現(xiàn)電氣化的強勁增長·?????? 除了產能投資外，兩家公司還將在進一步優(yōu)化主驅逆變器系統(tǒng)方面達成合作?2023年
  • 關鍵字： 緯湃  安森美  碳化硅  SiC  

泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案， 加快SiC和GaN技術驗證速度

  • 中國北京，2023年5月31日—— 全球領先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無縫集成到示波器測量系統(tǒng)
  • 關鍵字： 泰克  示波器  雙脈沖測試  SiC  GaN  

三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds？

  • MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定，即不能采用飽和Rc
  • 關鍵字： 三極管  MOSFET  

投身車電領域的入門課：IGBT和SiC功率模塊

  • 2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里，電動車領導品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展，將推動整個亞太地區(qū)的電動汽車市場實現(xiàn)穩(wěn)步擴張。同時，不斷加碼的政府激勵措施和持續(xù)擴張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區(qū)電動汽車市場的快速增長。因此，根據MarketsandMarkets 市調數(shù)據估計，全球電動汽車市場規(guī)模將從 2
  • 關鍵字： 車用  電能轉換  車電領域  IGBT  SiC  功率模塊  

如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊，打造充電更快的車載充電器？

  • 要能快速高效地為電動車更大的電池充電，電動車才能在市場普及并發(fā)展。2021 年，市場上排名前 12 位的電動汽車的平均電池容量為 80 kW-hr。消費者主要在家中使用車輛的車載充電器(OBC) 進行充電。為確保合理的車輛充電時間，OEM 還將 OBC 的功率容量從 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高達 22 kW。使用 6.6 kW OBC 時，這些電動汽車需要 12.1 小時才能充滿電。而將 OBC 功率增加到 11 kW 后，充電時間縮短至 7.3 小時，而使用 22 kW OBC 時，只需
  • 關鍵字： MOSFET  車載充電器  

中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過技術鑒定

  • 近日，中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術及應用”成功通過技術鑒定。鑒定委員會認為，該項目技術難度大，創(chuàng)新性顯著，總體技術達到國際先進水平。該項目聚焦新能源汽車、光伏儲能、智能電網等領域對高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主創(chuàng)新的迫切需求，突破多項關鍵工藝技術，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產業(yè)鏈量產平臺，國內率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實現(xiàn)新能源汽車、光伏、智能電網等領域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
  • 關鍵字： 中國電科  55所  碳化硅  MOSFET  

采用增強互連封裝技術的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機

  • “引言”近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產品，因此，關于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。?逆變焊機通常是通過功率模塊解決方案設計來實現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續(xù)發(fā)展的推動力。譬如，多
  • 關鍵字： 增強互連封裝技術  SiC MOSFET單管  焊機  

碳化硅擴產、量產消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進

  • 近期，一眾國內廠商擴產、量產碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導體代工廠TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產品組合；安森美半導體考慮投資20億美元擴產碳化硅芯片；SK集團宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠結束試運行，將正式量產碳化硅，產能將擴大近3倍。除此之外，據外媒報道，日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴產碳化硅的計劃。其中，瑞薩電子將于2025年開始生產使用碳化硅 (SiC）來降低損耗的下一代功率半導體產品。報道指出，按照計劃，瑞薩電子擬在目
  • 關鍵字： 碳化硅  瑞薩  X-FAB  

英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割

  • 近兩年新能源汽車和光伏儲能市場的火熱，讓半導體供應上升到了很多公司戰(zhàn)略層面的考慮因素。特別是SiC的供應更加緊俏。最近幾年用戶對SiC的使用更有經驗，逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個市場的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端” ，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴重的材料。面對這種問題，作為功率半導體的領頭羊英飛凌又有哪些舉措呢？一方面，英飛凌與多家晶圓廠簽訂長期供貨協(xié)議推動其碳化硅（SiC）供應商體系多元化，保
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  

目標 2027 年占領 40% 的汽車 SiC 芯片市場，安森美半導體投資 20 億美元擴建工廠

  • IT之家 5 月 18 日消息，安森美半導體表示將投資 20 億美元，用于擴展現(xiàn)有工廠，目標在全球汽車碳化硅（SiC）芯片市場中，占據 40% 的份額。安森美半導體目前在安森美半導體美國、捷克共和國和韓國都設有工廠，其中韓國工廠已經在生產 SiC 芯片了。報道中并未提及安森美半導體具體會擴建哪家工廠，安森美半導體計劃構建完整產業(yè)鏈，實現(xiàn)從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導體預估到 2027 年占領全球碳化硅汽車芯片市場 40% 的份額。專家還表示到 2027 年，安森美半導體的銷售
  • 關鍵字： 汽車電子  安森美  SiC  

2023年，SiC襯底出貨量將勁增22%

  • 2023 年 SiC 襯底市場將持續(xù)強勁增長。
  • 關鍵字： SiC  

碳化硅功率器件的應用機會及未來

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碳化硅(sic)mosfet介紹

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