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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 晶圓代工

晶圓代工成熟制程芯片“不香”了?

  • 在物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等領(lǐng)域的推動(dòng)下,晶圓代工先進(jìn)制程勢(shì)頭正盛,臺(tái)積電、三星及英特爾等半導(dǎo)體廠商紛紛加速布局,但成熟制程芯片的競(jìng)爭(zhēng)并未停止...近日,荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥新任CEO克里斯托夫·富凱(Christophe Fouquet)表示,世界需要中國(guó)生產(chǎn)的傳統(tǒng)制程芯片。報(bào)道稱,富凱表示,目前汽車行業(yè),尤其是德國(guó)汽車產(chǎn)業(yè),都需要中國(guó)芯片制造商目前正在投資的傳統(tǒng)制程芯片。成為阿斯麥全球第二大市場(chǎng)高管看好中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展作為全球最大的光刻機(jī)廠商,自1988年進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)以來(lái),阿斯麥便一直與中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)
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英飛凌發(fā)布采用8英寸晶圓代工工藝制造的新一代CoolGaN晶體管系列

  • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代高壓(HV)和中壓(MV)CoolGaNTM半導(dǎo)體器件系列。這使客戶能夠?qū)⒌墸℅aN)的應(yīng)用范圍擴(kuò)大到40 V至700 V電壓,進(jìn)一步推動(dòng)數(shù)字化和低碳化進(jìn)程。在馬來(lái)西亞居林和奧地利菲拉赫,這兩個(gè)產(chǎn)品系列采用英飛凌自主研發(fā)的高性能?8?英寸晶圓工藝制造。英飛凌將據(jù)此擴(kuò)大CoolGaNTM的優(yōu)勢(shì)和產(chǎn)能,確保其在GaN器件市場(chǎng)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。據(jù)Yole Group預(yù)測(cè),未來(lái)五年GaN器件市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)將達(dá)到46%。英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事
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目標(biāo) 2026 年量產(chǎn),初探臺(tái)積電背面供電半導(dǎo)體技術(shù):最直接高效,但生產(chǎn)難度、成本高

  • IT之家 7 月 4 日消息,根據(jù)工商時(shí)報(bào)報(bào)道,臺(tái)積電提出了更完善的背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)解決方案,所采用方式最直接、高效,但代價(jià)是生產(chǎn)復(fù)雜且昂貴。為什么要背面供電網(wǎng)絡(luò)?由于晶體管越來(lái)越小,密度越來(lái)越高,堆疊層數(shù)也越來(lái)越多,因此想要為晶體管供電和傳輸數(shù)據(jù)信號(hào),需要穿過(guò) 10-20 層堆棧,大大提高了線路設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。背面供電技術(shù)(BSPDN)將原先和晶體管一同排布的供電網(wǎng)絡(luò)直接轉(zhuǎn)移到晶體管的背面重新排布,也是晶體管三維結(jié)構(gòu)上的一種創(chuàng)新。該技術(shù)可以在增加單位面積內(nèi)晶體管密度的同時(shí),避免晶體管
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純晶圓代工廠格芯收獲一家GaN研發(fā)商

  • 7月1日,純晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)宣布已收購(gòu)Tagore專有且經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證的功率氮化鎵(GaN)技術(shù)及IP產(chǎn)品組合,以突破汽車、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心等廣泛電源應(yīng)用的效率和性能界限。資料顯示,無(wú)晶圓廠公司Tagore成立于2011年1月,旨在開拓用于射頻和電源管理應(yīng)用的GaN-on-Si半導(dǎo)體技術(shù),在美國(guó)伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設(shè)有設(shè)計(jì)中心。格芯表示,此次收購(gòu)進(jìn)一步鞏固公司對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心,該技術(shù)提供多種優(yōu)勢(shì),可幫助數(shù)據(jù)中心滿足不斷增長(zhǎng)的電力需求,
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消息稱臺(tái)積電 3/5 nm 制程明年漲價(jià):AI 產(chǎn)品漲 5~10% ,非 AI 產(chǎn)品 0~5%

  • IT之家 7 月 2 日消息,中國(guó)臺(tái)灣消息人士 @手機(jī)晶片達(dá)人 爆料稱,臺(tái)積電正準(zhǔn)備從明年 1 月 1 日起宣布漲價(jià),主要針對(duì) 3/5 nm,其他制程維持原價(jià)。據(jù)稱,臺(tái)積電計(jì)劃將其 3/5 nm 制程的 AI 產(chǎn)品報(bào)價(jià)提高 5%-10% ,非 AI 產(chǎn)品提高 0-5% 。實(shí)際上,上個(gè)月臺(tái)灣工商時(shí)報(bào)也表示臺(tái)積電已經(jīng)開始傳出漲價(jià)消息。全球七大科技巨頭(英偉達(dá)、AMD、英特爾、高通、聯(lián)發(fā)科、蘋果及谷歌)將陸續(xù)導(dǎo)入臺(tái)積電 3nm 制程,例如高通驍龍 8 Gen 4、聯(lián)發(fā)科天璣 9400 及蘋果
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3nm 晶圓量產(chǎn)缺陷導(dǎo)致 1 萬(wàn)億韓元損失?三星回應(yīng):毫無(wú)根據(jù)

  • IT之家 6 月 27 日消息,三星昨日(6 月 26 日)發(fā)布聲明,否認(rèn)“三星代工業(yè)務(wù) 3nm 晶圓缺陷”的報(bào)道,認(rèn)為這則傳聞“毫無(wú)根據(jù)”。此前有消息稱三星代工廠在量產(chǎn)第二代 3nm 工藝過(guò)程中發(fā)現(xiàn)缺陷,導(dǎo)致 2500 個(gè)批次(lots)被報(bào)廢,按照 12 英寸晶圓計(jì)算,相當(dāng)于每月 65000 片晶圓,損失超過(guò) 1 萬(wàn)億韓元(IT之家備注:當(dāng)前約 52.34 億元人民幣)。三星駁斥了這一傳言,稱其“毫無(wú)根據(jù)”,仍在評(píng)估受影響生產(chǎn)線的產(chǎn)品現(xiàn)狀。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,報(bào)道中的數(shù)字可能被夸大了,并指出三星的
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晶圓代工市場(chǎng)冷熱分明,部分特定制程價(jià)格補(bǔ)漲、先進(jìn)制程正醞釀漲價(jià)

  • 根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,中國(guó)大陸6.18促銷節(jié)、下半年智能手機(jī)新機(jī)發(fā)表及年底銷售旺季的預(yù)期,帶動(dòng)供應(yīng)鏈啟動(dòng)庫(kù)存回補(bǔ),對(duì)Foundry產(chǎn)能利用率亦帶來(lái)正面影響,運(yùn)營(yíng)正式度過(guò)低谷。觀察中國(guó)大陸Foundry動(dòng)態(tài),受惠于IC國(guó)產(chǎn)替代,中國(guó)大陸Foundry產(chǎn)能利用復(fù)蘇進(jìn)度較其他同業(yè)更快,甚至部分制程產(chǎn)能無(wú)法滿足客戶需求,已呈滿載情況。另一方面,因應(yīng)下半年進(jìn)入傳統(tǒng)備貨旺季,加上美國(guó)設(shè)備出口管制,產(chǎn)能吃緊情境可能延續(xù)至年底,使得中國(guó)大陸Foundry有望止跌回升,甚至進(jìn)一步醞釀特定
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三星公布新工藝節(jié)點(diǎn),2nm工藝SF2Z將于2027年大規(guī)模生產(chǎn)

  • 據(jù)韓媒報(bào)道,當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月12日,三星電子在美國(guó)硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇2024(Samsung Foundry Forum,SFF)”,并公布了其晶圓代工技術(shù)戰(zhàn)略?;顒?dòng)中,三星公布了兩個(gè)新工藝節(jié)點(diǎn),包括SF2Z和SF4U。其中,SF2Z是2nm工藝,采用背面電源輸送網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)技術(shù),通過(guò)將電源軌置于晶圓背面,以消除與電源線和信號(hào)線有關(guān)的互聯(lián)瓶頸,計(jì)劃在2027年大規(guī)模生產(chǎn)。與第一代2nm技術(shù)相比,SF2Z不僅提高了PPA,還顯著降低了電壓降(IR drop),從而提高了高性能計(jì)算(HPC)的性能。
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鄭州合晶:實(shí)現(xiàn)高純度單晶硅量產(chǎn),12 英寸大硅片訂單排到 2026 年

  • IT之家 6 月 14 日消息,IT之家從河南鄭州航空港官方公眾號(hào)獲悉,鄭州合晶硅材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鄭州合晶”)已實(shí)現(xiàn)高純度單晶硅的量產(chǎn)。鄭州合晶相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹,硅片生產(chǎn)主要分兩個(gè)流程,一是將原材料融解,種入籽晶,拉出圓柱狀的單晶硅晶棒;二是把硅晶棒切成厚薄均勻的硅片,然后再經(jīng)過(guò)打磨、拋光等 20 多道工序,最終做成芯片的載體 —— 單晶硅拋光片。該負(fù)責(zé)人表示,生產(chǎn)的硅片質(zhì)量已躋身國(guó)際先進(jìn)行列,產(chǎn)品得到中芯國(guó)際、臺(tái)積電、華潤(rùn)微電子等全球硅晶圓頭部供應(yīng)商的認(rèn)可。鄭州合晶正推進(jìn) 12 英寸大硅
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三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn),計(jì)劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

  • IT之家 6 月 13 日消息,三星電子在當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場(chǎng)上重申,其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn),回?fù)袅舜饲暗拿襟w傳聞。三星表示其 1.4nm 級(jí)工藝準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利,預(yù)計(jì)可于 2027 年在性能和良率兩方面達(dá)到量產(chǎn)里程碑。此外,三星電子正在通過(guò)材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新,積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù),實(shí)現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認(rèn),其仍計(jì)劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
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半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)六項(xiàng)合作案!

  • 自半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇信號(hào)釋出后,業(yè)界布局不斷,其中不乏出現(xiàn)聯(lián)電、英特爾、Soitec、神盾集團(tuán)等企業(yè)身影,涉及晶圓代工、第三代半導(dǎo)體、芯片設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體材料等領(lǐng)域。針對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)頻繁動(dòng)態(tài),業(yè)界認(rèn)為,這是一個(gè)積極的現(xiàn)象,有利于行業(yè)發(fā)展。近期,半導(dǎo)體企業(yè)合作傳來(lái)新的進(jìn)展。晶圓代工:聯(lián)電x英特爾曝進(jìn)展,12nm預(yù)計(jì)2026年“收官”5月30日,晶圓代工大廠聯(lián)電召開年度股東會(huì),共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰表示,與英特爾合作開發(fā)12nm制程平臺(tái)將是聯(lián)電未來(lái)技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵點(diǎn),預(yù)計(jì)2026年開發(fā)完成,2027年進(jìn)入量產(chǎn)。2024年1月,
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晶圓代工業(yè),Q1戰(zhàn)況如何?

  • 2023 年受供應(yīng)鏈庫(kù)存高企、全球經(jīng)濟(jì)疲弱,以及市場(chǎng)復(fù)蘇緩慢影響,晶圓代工產(chǎn)業(yè)處于下行周期。不過(guò),自 2023 年 Q4 以來(lái),受益于智能手機(jī)市場(chǎng)需求回暖所帶動(dòng)的相關(guān)芯片需求的增長(zhǎng),包括中低端智能手機(jī) AP 與周邊 PMIC,以及蘋果 iPhone 15 系列出貨旺季帶動(dòng) A17 芯片、OLED DDI、CIS、PMIC 等芯片需求增長(zhǎng),晶圓代工市場(chǎng)也隨之開始出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)。在經(jīng)歷 Q4 的逐步回暖后,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)正變得更加活躍。具體看看,今年 Q1 晶圓代工市場(chǎng)都有哪些好跡象發(fā)生。晶圓代工市場(chǎng),開始復(fù)蘇AI
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2024年Q1全球晶圓代工復(fù)蘇緩慢 AI需求持續(xù)強(qiáng)勁

  • 2024年第一季全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)營(yíng)收和上一季相比小幅下跌5%,主因?yàn)榻K端市場(chǎng)復(fù)蘇疲軟。根據(jù) Counterpoint Research 的「晶圓代工每季追蹤報(bào)告」,盡管年增長(zhǎng)率達(dá)到12%,2024年第一季的晶圓代工業(yè)者營(yíng)收下滑并非僅因季節(jié)性效應(yīng),同時(shí)也受到非AI半導(dǎo)體需求恢復(fù)緩慢的影響,涵蓋智能型手機(jī)、消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)、汽車和工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域。這與臺(tái)積電管理層對(duì)非AI需求恢復(fù)速度緩慢的觀察相呼應(yīng)。因此,臺(tái)積電將2024年邏輯半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的預(yù)期增長(zhǎng)從超過(guò)10%修正為10%。 2024年第一季全球晶圓代
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聯(lián)電新加坡Fab12i首批機(jī)臺(tái)設(shè)備進(jìn)廠

  • 5月21日,晶圓代工大廠聯(lián)電宣布在新加坡Fab 12i舉行第三期擴(kuò)建新廠的上機(jī)典禮,首批機(jī)臺(tái)設(shè)備進(jìn)廠,象征公司擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃建立新廠的重要里程碑。聯(lián)電表示,聯(lián)電新加坡投入12英寸晶圓制造廠營(yíng)運(yùn)超過(guò)20年,新加坡Fab12i P3廠也是聯(lián)電先進(jìn)特殊制程研發(fā)中心。2022年2月份,聯(lián)電宣布在新加坡Fab12i廠區(qū)擴(kuò)建一座新先進(jìn)晶圓廠的計(jì)劃。新廠第一期月產(chǎn)能規(guī)劃30,000片晶圓,2024年底開始量產(chǎn)。聯(lián)電當(dāng)時(shí)指出,新加坡Fab12i P3是新加坡最先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓代工廠之一,提供22/28nm制程,總投資金額為50億
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晶圓代工大廠前線再傳新消息

  • 近日,晶圓代工大廠臺(tái)積電和英特爾建廠計(jì)劃相繼傳來(lái)新的消息:英特爾就愛(ài)爾蘭工廠與阿波羅進(jìn)行談判,或達(dá)成110億美元融資協(xié)議;日本全力爭(zhēng)取臺(tái)積電設(shè)立第3座晶圓廠。日本熊本力邀臺(tái)積電建晶圓三廠 據(jù)彭博社報(bào)道,于今年4月上任的日本熊本縣新任知事木村敬表示,將全力爭(zhēng)取臺(tái)積電在當(dāng)?shù)亟ㄔO(shè)第三座晶圓廠,并提議今年夏天到臺(tái)積電總部拜會(huì),商討相關(guān)事宜,致力將熊本打造為半導(dǎo)體聚落。木村敬表示,“我們準(zhǔn)備全力支持”,同時(shí)希望將熊本縣打造成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚落?!拔覀兿M鼙境蔀槿斯ぶ悄堋?shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛等源于半導(dǎo)體的無(wú)數(shù)產(chǎn)
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晶圓代工介紹

晶圓代工或晶圓專工(Foundry),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一種營(yíng)運(yùn)模式,專門從事半導(dǎo)體晶圓制造生產(chǎn),接受其他IC設(shè)計(jì)公司委托制造,而不自己從事設(shè)計(jì)的公司。有些擁有晶圓廠的半導(dǎo)體公司,如英特爾(Intel)、AMD等,會(huì)因產(chǎn)能或成本等因素,也會(huì)將部份產(chǎn)品委由晶圓代工公司生產(chǎn)制造。臺(tái)積電、聯(lián)電為世界排名第一與第二的晶圓代工公司。反之,專門從事IC電路設(shè)計(jì)而不從事生產(chǎn)且無(wú)半導(dǎo)體廠房的公司稱為無(wú)廠半導(dǎo)體公司(Fa [ 查看詳細(xì) ]

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