- 近年來，電池行業(yè)絕對可說的上是爆發(fā)式的增長，一方面是因其剛性需求促使國家對新能源的大力推廣，另一方面是越來越多的投資機構(gòu)敏銳的嗅角察覺出該行業(yè)的巨大商機潛覺，雙向結(jié)合，直接引爆該行業(yè)。具有關(guān)方面統(tǒng)計，
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探討 方案 工藝 電池 動力
- 集成傳感器薄膜傳感器厚膜傳感器陶瓷傳感器集成傳感器是用標(biāo)準(zhǔn)的生產(chǎn)硅基半導(dǎo)體集成電路的工藝技術(shù)制造的。通常還將用于初步處理被測信號的部分電路也集成在同一芯片上。薄膜傳感器則是通過沉積在介質(zhì)襯底(基板)上的
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分類 工藝 制造 傳感器
- 敷銅作為PCB設(shè)計的一個重要環(huán)節(jié)，不管是國產(chǎn)的青越鋒PCB設(shè)計軟件，還國外的一些Protel,PowerPCB都提供了智能敷銅功能，那么怎樣才能敷好銅，我將自己一些想法與大家一起分享，希望能給同行帶來益處。所謂覆銅，就是將
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PCB 敷銅 分析 工藝
- 一. 引言
隨著人類對于居住環(huán)境要求的不斷提高，目前PCB生產(chǎn)過程中涉及到的環(huán)境問題顯得尤為突出。目前有關(guān)鉛和溴的話題是最熱門的；無鉛化和無鹵化將在很多方面影響著PCB的發(fā)展。雖然目前來看，PCB的表面處理工
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PCB 表面處理 工藝
- 美林證券分析師VivekArya近日指出：“下一代芯片制造已經(jīng)成為Intel、臺積電、三星之間的三雄爭霸，在我們看來Intel握有一到四年的領(lǐng)先優(yōu)勢。2012年上半年我們也看到了，代工廠普遍無法鋪開28nm的產(chǎn)能，導(dǎo)致很多產(chǎn)品推遲。不斷提高的成本和復(fù)雜度會進(jìn)一步拉大這種差距。我們認(rèn)為，Int
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ARM 工藝
- 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)旗下華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)于上海舉辦技術(shù)論壇，主題為“BCD系列工藝技術(shù)為綠色節(jié)能IC產(chǎn)品增值”。本次論壇由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會協(xié)辦，是該協(xié)會首次與企業(yè)合作舉辦論壇，也是華潤上華舉辦的第一場針對某個工藝的小型專題技術(shù)論壇。論壇吸引了共計100余位來自模擬IC設(shè)計公司的聽眾。
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華潤上華 IC設(shè)計 工藝 BCD
- 傳感器的發(fā)展和傳感器制造的工藝有著密切的聯(lián)系，在近現(xiàn)代的科技發(fā)展中，制造工藝的進(jìn)步也促進(jìn)了傳感器制造業(yè)的進(jìn)步。傳感器在近現(xiàn)代主要的制造工藝有四種，分別是集成傳感器、薄膜傳感器、厚膜傳感器和陶瓷傳感器。
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介紹 分類 工藝 制造 傳感器
- 刻蝕即通過物理或化學(xué)的方法去除非光刻膠或硬掩膜覆蓋區(qū)域的材料。通常有兩種方法，分別為干法刻蝕和濕法刻蝕，它們各有優(yōu)缺點。但對于工藝靈活性、刻蝕精確度和可重復(fù)性等方面來說，干法刻蝕居主導(dǎo)地位。對于SOl波導(dǎo)
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特點 工藝 SOl 波導(dǎo)
- 對于SOl波導(dǎo)來說，CVD技術(shù)一般用來淀積其上包層，通常為二氧化硅或氮化硅。對于調(diào)制器等有源器件來說，這一層還起著隔離金屬電極減小電極對波導(dǎo)造成損耗的作用，所以厚度一定要選擇合適，不能太薄，如果薄了就不能起
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工藝 特點 沉積 氣相 SOl 化學(xué) 波導(dǎo)
- 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上 GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個熱點。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)了國
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分析 工藝 制造 芯片 LED
- 標(biāo)簽：變壓器變壓器 bian ya qi利用電磁感應(yīng)的原理來改變交流電壓的裝置，主要構(gòu)件是初級線圈、次級線圈和鐵心(磁芯)。在電器設(shè)備和無線電路中，常用作升降電壓、匹配阻抗，安全隔離等。變壓器的最基本型式，包括兩組
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工藝 變壓器 解析
- 隨著液晶面板的興起以及越來越大的尺寸，高壓LCD驅(qū)動日漸受到市場的關(guān)注，但高電壓(40V以上)工藝在中國基本還處于空白。本文著重介紹40V高壓工藝平臺所面臨的主要問題和關(guān)鍵工藝：銻注入，外延生長之后的光刻對準(zhǔn)和非
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工藝 開發(fā) 芯片 驅(qū)動 高壓 液晶顯示 40V
- 本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術(shù)，設(shè)計了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對其各單元組成電路的設(shè)計進(jìn)行了闡述。同時利用Cadence Hspice仿真工具對電路進(jìn)行了仿真模擬，結(jié)果表明，鋸齒波
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CMOS 1.0 工藝 鋸齒波
- 1 概述TLC5510是美國TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC)，它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝，因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
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CMOS 5510 TLC 工藝
工藝介紹
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