- 近期全球二線晶圓廠紛搶進0.13微米以下先進工藝，包括馬來西亞晶圓代工廠Silterra、以色列晶圓廠寶塔半導體(Tower Semiconductor)分別宣布 ，計劃以募資、借貸方式來擴充先進工藝產能，未來隨著二線晶圓廠紛跳脫成熟工藝藩籬、邁入先進工藝，不僅恐造成先進工藝價格雪上加霜，并將讓0.13微米、90納米工藝不再是一線晶圓廠獨霸天下，甚至得重新改寫“先進工藝”定義。
目前90納米、0.13微米工藝由臺灣晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電稱霸，其中，臺積電90納米、0.13微米工藝各占營收比重達2
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晶圓廠 工藝 其他IC 制程
- VirtexTM-5系列產品的推出，使得Xilinx公司再一次成為向FPGA客戶提供新技術和能力的主導力量。...
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工藝 納米 散熱 泄漏
- 101 LATCH UP 栓鎖效應 當VLSI線路密度增加，Latch-Up之故障模式于MOS VLSI中將愈來愈嚴重，且僅發(fā)生于 CMOS電路，所有COMS電路西寄生晶體管所引起的LATCH-UP問題稱之為SCR (SILICON-CONYROLLED RECTIFIER）LATCH-UP，在S1基體內CMOS中形成兩個雙截子晶體管P-N-P-N形式的路徑，有如一個垂直的P+-N-P與一個水平N+-P-N晶體管組合形成于CMOS反向器，如果電壓降過大或受到外界電壓、電流或光的觸發(fā)時，將造成兩個晶體管互相
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工藝 微電子
- 151 RESOLUTION 解析力 1. 定義：解析力在IC制程的對準及印刷（Align & Print）過程中站著相當重要的地位，尤其演進到VLSI后，解析力的要求就更高了。它是對光學系統(tǒng)（如對準機、顯微鏡、望遠鏡等）好壞的評估標準之一，現(xiàn)今多以法國人雷萊（Rayleigh）所制定的標準遵循之。物面上兩光點經光學系統(tǒng)頭于成像面上不會模糊到只被看成一點時，物面上兩點間之最短距離。若此距離越小，則解析力越大。（通常鏡面大者，即NA大者，其解析力也越大）解析力不佳時，例如對準機對焦不清時，就會造成C
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工藝 微電子
- 1 Active Area 主動區(qū)（工作區(qū)） 主動晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區(qū)域即所謂的主動區(qū)（ACTIVE AREA）。在標準之MOS制造過程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會受到鳥嘴（BIRD’S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來的小，以長0.6UM之場區(qū)氧化而言，大概會有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是說ACTIVE AREA比原在之
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工藝 微電子
- 51 DRAM , SRAM 動態(tài),靜態(tài)隨機存取內存 隨機存取記憶器可分動態(tài)及靜態(tài)兩種，主要之差異在于動態(tài)隨機存取內存（DRAM），在一段時間（一般是0.5ms～5ms）后，資料會消失，故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫（refresh），此為其最大缺點，此外速度較慢也是其缺點，而DRAM之最大好處為，其每一記憶單元（bit）指需一個Transistor（晶體管）加一個Capacitor（電容器），故最省面積，而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫、速度快之優(yōu)點，但是密度低，每一記憶單元（bit）有兩類
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- 據臺灣媒體報道，針對英特爾公司在中國的芯片工廠獲得批準的傳言，全球第一大芯片代工巨頭臺積電公司的董事長張忠謀日前對媒體表示，臺灣地區(qū)行政機構應該加速對大陸地區(qū)開放半導體先進工藝，否則臺灣廠商在內地將處于落后境地。
去年年底，臺灣行政機構剛剛批準了島內半導體企業(yè)向大陸地區(qū)輸出0.18微米線寬的8英寸芯片生產工藝。
英特爾公司目前沒有對在中國的芯片工廠進行證實，根據傳言，這座芯片廠將采用90納米工藝，位于中國北方的大連。90納米工藝已經比臺灣廠商獲準在大陸使用的180納米工藝(即0.18微
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- ARM發(fā)布首款可即量產的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP Velocity DDR存儲器接口獲得TSMC IP質量認證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是第一個通過TSMC IP質量安全測試的9
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90 ARM DDR1 DDR2 IP TSMC 存儲器 單片機 工藝 接口 納米 嵌入式系統(tǒng) 存儲器
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