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0．6μm CMOS工藝全差分運算 放大器的設計

  • 0 引言
    運算放大器是數(shù)據采樣電路中的關鍵部分，如流水線模數(shù)轉換器等。在此類設計中，速度和精度是兩個重要因素，而這兩方面的因素都是由運放的各種性能來決定的。
    本文設計的帶共模反饋的兩級高增益運
  • 關鍵字： CMOS  工藝  放大器  全差分    

基于0．5 μm BCD工藝的欠壓鎖存電路設計

  • 針對DC－DC電源管理系統(tǒng)中所必須的欠壓鎖存(UVLO)功能，提出一種改進的欠壓鎖存電路。所設計的電路在不使用額外的帶隙基準電壓源作為比較基準的情況下，實現(xiàn)了閾值點電位、比較器的滯回區(qū)間等參量的穩(wěn)定。整個電路采用CSMC0．5 μm BCD工藝設計，使用HSpice軟件仿真，結果表明所設計的UVLO電路具有結構簡單、反應靈敏、溫度漂移小、功耗低等特點。
  • 關鍵字： 電路設計  工藝  BCD  基于  

國產設備必須走自主創(chuàng)新之路

  • 　　半導體設備和材料企業(yè)的技術提升及創(chuàng)新要從研究材料入手，從源頭上達到國際先進水平。在工業(yè)制備方面要加強新型工藝的開發(fā)和應用。我國半導體設備性能、控制已達到國際高端水平，但穩(wěn)定性還待提升。另外，需要做高端設備工藝方面的提升和研究。 　　蘭州瑞德自主開發(fā)的產品涉及多行業(yè)、多領域，在國際金融危機期間，遇到的問題主要在工藝應用和需求行業(yè)比例發(fā)生變化方面，公司根據各行業(yè)特點，公司采取新品上市、設備改制、設備派生等手段，使研、切、拋電子專用設備進入各行業(yè)的速度加快了，尤其是視窗、光學等行業(yè)。半導體行業(yè)仍主打高端設
  • 關鍵字： 半導體設備  工藝  

基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescop

  • 近年來，軟件無線電(Software Radio)的技術受到廣泛的關注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經過放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高，技術上所限難以實現(xiàn)，而多采用中頻采樣的方法。而對
  • 關鍵字： Telescopic  0.13  CMOS  工藝    

采用SiGe工藝的GPS接收機設計(一)

  • 基于美國聯(lián)邦通訊委員會(FCC)的E911定向和定位業(yè)務(LBS)，期望緊跟這一標準的全球定位系統(tǒng)(GPS)接收機隨時準備在無線通信中扮演一個至關重要的角色。成功的E911/LBS產品與業(yè)務將會需要具有以下特征的解決方案：能在移
  • 關鍵字： SiGe  GPS  工藝  接收機    

多晶硅企業(yè)命系裝備和技術

  • 　　從現(xiàn)有市場行情來看，國內多晶硅價格下跌的趨勢將難以改變。國內可將生產成本壓低到50美元/公斤以下的多晶硅企業(yè)，幾乎是鳳毛麟角。 　　森松集團(中國)(下稱“森松”)董事總經理薛絳穎接受記者專訪時表示，目前中國的多晶硅設備制造已較為成熟。而國內多晶硅生產商的管理、技術及工藝都有待提高，這樣才能有效控制成本。 　　裝備技術尤為關鍵。以森松集團為例，作為國內最大的多晶硅工藝成套設備供應商，約有80%的國內多晶硅廠，都使用其成套設備如還原爐以及相關技術。 　　該公司生產的還原爐要
  • 關鍵字： 工藝  多晶硅  

我國大規(guī)模集成電路制造重大專項進入實施階段

  • 　　新華網北京3月27日電記者 27日從科技部獲悉,我國“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專項進入全面實施階段? 　　據介紹,“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”重大專項旨在開發(fā)集成電路關鍵制造裝備,掌握具有自主知識產權的成套先進工藝及相關新材料技術,打破我國高端集成電路制造裝備與工藝完全依賴進口的狀況,帶動相關產業(yè)的技術提升和結構調整? 　　重大專項是實現(xiàn)我國中長期科技發(fā)展規(guī)劃的一項重要內容,黨中央?國務院高度重視重大專項的實施工作,多次召開
  • 關鍵字： 集成電路  工藝  

怎樣可以降低RFID應答器設計中的功耗

  • 應答器設計的成本依賴于幾個因素，而不僅僅是硅的成本。事實上，芯片制造工藝的成本(就其復雜性和成熟程度...
  • 關鍵字： 功耗  低功耗  驅動  工藝  溫度  電壓  

基于0.18μm RF CMOS工藝的低相噪寬帶LC VCO設計

  • 壓控振蕩器(VCO)是射頻集成電路(RF-ICs)中的關鍵模塊之一。近年來隨著無線通信技術的快速發(fā)展，射頻收發(fā)機也有了新的發(fā)展趨勢，即單個收發(fā)機要實現(xiàn)寬頻率多標準的覆蓋，例如用于移動數(shù)字電視接收的調諧器一般要實現(xiàn)T-DMB、DMB-T等多個標準，并能覆蓋VHF、UHF和LBAND等多個頻段。本文所介紹的VCO設計采用如圖1(a)所示的交叉耦合電感電容結構，相對于其他結構的VCO來說該結構更加易于片上集成和實現(xiàn)低功耗設計，并且利用LC諧振回路的帶通濾波特性，能獲得更好的相位噪聲性能。

  • 關鍵字： 寬帶  LC  VCO  設計  相噪  工藝  0.18  RF  CMOS  基于  

基于CMOS工藝的數(shù)字步進衰減器的設計

  • 本文基于Peregrine(派更)半導體公司的單片數(shù)字步進衰減器(DSA，Digital Step Attenuator)產品系列，闡述了DSA通用設計方法、RF CMOS工藝以及這些器件的性能。
  • 關鍵字： CMOS  工藝  步進  數(shù)字    

制程工藝技術發(fā)展探討

  • IBM聯(lián)盟開發(fā)出可在32納米芯片中加速實現(xiàn)一種被稱為“high-k/metal gate(高電介質金屬柵極)”的突破性材料。這種新方法是基于被稱為“high-k gate-first(高電介質先加工柵極)”加工工藝的方法，為客戶轉向高電介質金屬柵極技術提供了一種更加簡單和更省時間的途徑，由此而能夠帶來的益處包括性能的提高和功耗的降低。通過使用高電介質金屬柵極，IBM與聯(lián)盟合作伙伴成功地開發(fā)出比上一代技術體積小50%的芯片，同時提高了眾多性能。使用這種新技術的
  • 關鍵字： 制程 工藝  

評中芯國際與IBM簽訂45納米技術轉讓協(xié)議

  •     資深評論人 莫大康     按國際工藝路線圖指引,全球半導體07年才進入45納米制程。其中英特爾首先采用高k及金屬柵工藝,將CMOS工藝推向一個新的里程碑。連戈登摩爾也坦誠,由此將定律可延伸又一個10年。     此次中芯國際能成功與國際最先進的技術輸出者,IBM達成45納米的技術轉讓協(xié)議意義十分深遠。     首先表征中芯國際愿意繼續(xù)追趕國際最先進工藝水平,加入全球最先進
  • 關鍵字： 45納米  中芯國際  IBM  工藝  

嵌入式實時系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件考慮和關鍵工藝

  • 嵌入式實時系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件考慮和關鍵工藝,本文將描述嵌入式系統(tǒng)和實時系統(tǒng)的關鍵特性，并探討在選擇或開發(fā)硬件和軟件組件的基礎上開發(fā)高效嵌入式系統(tǒng)的解決方案，同時詳細說明嵌入式系統(tǒng)和實時系統(tǒng)開發(fā)所特有的關鍵工藝技術。
  • 關鍵字： 考慮  關鍵  工藝  軟硬件  開發(fā)  實時  系統(tǒng)  嵌入式  

45nm用或不用都是個問題

  • 　　與其說45nm剛剛走到我們面前，不如說我們已經可以準備迎接32nm工藝時代，因為據三星存儲合作伙伴透露，今年底或明年初三星將開始試產30nm工藝半導體存儲芯片，其閃存芯片更是早于Intel邁向了50nm量產階段。無疑，我們只不過在Intel強大的宣傳攻勢下，認為似乎CPU才是所有半導體的制程工藝的領先者，但也許再向下Intel也會感到有些力不從心。 　　當然，我們今天討論的重點不是誰的制程工藝更先進，而是要討論45nm究竟該不該采用，亦或準確的說是要不要采用的問題。 　　從技術的角度來說，45
  • 關鍵字： 半導體  制程  45nm  工藝  晶圓  成本  芯片  
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