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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 功率半導(dǎo)體

啟方半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體用0.18微米高壓BCD工藝開(kāi)始量產(chǎn)

  • 韓國(guó)唯一一家純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體（Key Foundry）今天宣布其0.18微米高壓BCD（雙極-CMOS-DMOS）工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)。  BCD是一種單片集成工藝技術(shù)，它將用于模擬信號(hào)控制的雙極器件、用于數(shù)字信號(hào)控制的CMOS和用于高壓處理的DMOS同時(shí)制作在同一個(gè)芯片上。這種工藝適用于各種功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有高電壓、高可靠性、低電子干擾等優(yōu)點(diǎn)。近年來(lái)，隨著電子設(shè)備系統(tǒng)尺寸的縮小和功率效率的提高變得越來(lái)越重要，對(duì)合適的功率半導(dǎo)體的需求也越來(lái)越大，因此對(duì)BCD的需求也在增加。啟方半導(dǎo)體為工作電
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東芝新建12吋晶圓廠 擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能

  • 東芝(Toshiba)日前宣布，將在日本石川縣建造一個(gè)新的12吋(300mm)晶圓制造廠，主要用于生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。該廠預(yù)計(jì)于2024財(cái)年開(kāi)始量產(chǎn)，整體供應(yīng)的產(chǎn)能將會(huì)是目前的2.5倍。 東芝指出，新晶圓廠的建設(shè)將分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一階段的生產(chǎn)計(jì)劃在 2024 財(cái)年開(kāi)始。當(dāng)?shù)谝浑A段的生產(chǎn)滿載時(shí)，東芝的功率半導(dǎo)體產(chǎn)能將是之前的2.5 倍（2021財(cái)年）。東芝表示，功率半導(dǎo)體是管理和降低各種電子設(shè)備的功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和社會(huì)的重要組件。目前汽車電子和工業(yè)設(shè)備自動(dòng)化的需求正在擴(kuò)大，對(duì)低壓MOSFET（金屬氧
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功率半導(dǎo)體：新能源需求引領(lǐng)，行業(yè)快速發(fā)展

  • 功率半導(dǎo)體：市場(chǎng)空間大，細(xì)分品類多1.1. 簡(jiǎn)介：能源轉(zhuǎn)換的核心器件，細(xì)分品類眾多功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要指能夠耐 受高電壓或承受大電流的半導(dǎo)體分立器件，主要用于改變電子裝置中 電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導(dǎo)體主要起源于 1904 年第一個(gè)二極管的誕生，而 1957 年的美國(guó) 通用電氣公司發(fā)表的第一個(gè)晶閘管，標(biāo)志著電子電力技術(shù)的誕生； 1970 年代，功率半導(dǎo)體進(jìn)入快速發(fā)展時(shí)期，GTO、BJT 和 MOSFET 的 快速發(fā)展，標(biāo)志著第二代電子電力器件的誕生。之后 1980
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碳化硅在新能源汽車中的應(yīng)用現(xiàn)狀與導(dǎo)入路徑

  • 碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可以很好地滿足新能源汽車電動(dòng)化發(fā)展趨勢(shì)，引領(lǐng)和加速了汽車電動(dòng)化進(jìn)程，對(duì)新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國(guó)新能源汽車正處于市場(chǎng)導(dǎo)入期到產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)期過(guò)渡的關(guān)鍵階段，汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位，在全球產(chǎn)業(yè)體系當(dāng)中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動(dòng)了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新，為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗(yàn)證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
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英飛凌高層談發(fā)展策略及經(jīng)營(yíng)理念

  • 2021年9月，英飛凌科技宣布位于奧地利菲拉赫的300 mm薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片工廠正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)。這座以“面向未來(lái)”為座右銘的芯片工廠，總投資額為16億歐元（1歐元約為人民幣7.5元），是歐洲微電子領(lǐng)域同類中最大規(guī)模的項(xiàng)目之一，也是現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體器件工廠之一。英飛凌為何非常重視功率半導(dǎo)體的發(fā)展？其整體發(fā)展思路是什么？
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英飛凌奧地利12 吋功率半導(dǎo)體廠啟用

  • 英飛凌科技（Infineon）今日宣布，正式啟用其位于奧地利菲拉赫的 12 吋薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片廠。這座12吋廠采用當(dāng)今最高的建筑工藝，大量的使用再生能源與節(jié)能設(shè)計(jì)，一落成就是座零碳排的現(xiàn)代化廠房，同時(shí)它也充分結(jié)合了自動(dòng)化與數(shù)字化控制的技術(shù)，并使用人工智能方案來(lái)進(jìn)行維護(hù)，以達(dá)成最高的營(yíng)運(yùn)效率。 英飛凌的資深員工，將第一片出廠的晶圓遞交給執(zhí)行長(zhǎng)為了實(shí)現(xiàn)這座高科技半導(dǎo)體廠房，英飛凌共募集了16 億歐元的投資額，是歐洲微電子領(lǐng)域中最大規(guī)模的投資項(xiàng)目之一，也是現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體組件工廠之一。英飛凌
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SiC大戰(zhàn)拉開(kāi)帷幕，中國(guó)勝算幾何

  • 近些年，隨著電動(dòng)汽車以及其他系統(tǒng)的增長(zhǎng)，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正在經(jīng)歷需求的突然激增，因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用進(jìn)一步成熟的趨勢(shì)下，SiC的爭(zhēng)奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%，封裝測(cè)試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴，生產(chǎn)工藝還復(fù)雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應(yīng)商購(gòu)買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
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功率半導(dǎo)體－馬達(dá)變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件

  • 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的馬達(dá)，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長(zhǎng)一倍。隨著對(duì)能源成本和資源有限的意識(shí)不斷提高，未來(lái)提升驅(qū)動(dòng)馬達(dá)用電效率的需求將會(huì)越來(lái)越顯著。
  • 關(guān)鍵字： IGBT7  SiC MOSFET  馬達(dá)變頻器  功率半導(dǎo)體  英飛凌  

東芝將增產(chǎn)純電動(dòng)車功率半導(dǎo)體，投資約250億日元

  • 日經(jīng)中文網(wǎng)3月10日消息，東芝將在位于日本石川縣的主力工廠引進(jìn)能大量生產(chǎn)純電動(dòng)汽車（EV）等使用的功率半導(dǎo)體的制造設(shè)備。在去碳化潮流下，純電動(dòng)車用半導(dǎo)體需求不斷擴(kuò)大。東芝將投資約250億日元，將石川工廠的產(chǎn)能提高2成。全球只有部分大型半導(dǎo)體廠商使用該設(shè)備來(lái)制造功率半導(dǎo)體。 將電力高效轉(zhuǎn)化成動(dòng)力的功率半導(dǎo)體可以降低純電動(dòng)車等的耗電量。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  純電動(dòng)車  功率半導(dǎo)體  

功率半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：新能源汽車重塑功率半導(dǎo)體價(jià)值

  • 汽車“四化”趨勢(shì)明確，對(duì)半導(dǎo)體需求價(jià)值量倍增汽車行業(yè)向電動(dòng)化、智能化、數(shù)字化及聯(lián)網(wǎng)化方向發(fā)展，直接帶動(dòng)汽車 含硅量提升。新能源電動(dòng)汽車的出現(xiàn)意味著傳統(tǒng)汽車的核心競(jìng)爭(zhēng)要素將 被取代，產(chǎn)品價(jià)值鏈被重塑。新能源車中對(duì)于電力控制的需求大幅增加，功率器件中特別是 IGBT 是 工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，其通過(guò)信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電路中的 電壓、電流等以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的，保障電子產(chǎn)品、電力設(shè)備正常運(yùn) 行，同時(shí)降低電壓損耗，使設(shè)備節(jié)能高效。汽車半導(dǎo)體作為汽車電動(dòng)化 關(guān)鍵載體之一，需求價(jià)值成倍增長(zhǎng)，據(jù)估算純電
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總投資60億，這個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目預(yù)計(jì)本月建成、年底投片生產(chǎn)

  • 據(jù)濟(jì)南日?qǐng)?bào)報(bào)道，總投資60億元的富能功率半導(dǎo)體項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年6月建成，年底實(shí)現(xiàn)投片生產(chǎn)。據(jù)濟(jì)南市人民政府辦公廳發(fā)布2020年度市級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目名單，富能功率半導(dǎo)體項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)月產(chǎn)10萬(wàn)片的兩座8英寸廠及一座月產(chǎn)5萬(wàn)片的12英寸廠，一期總投資金額約人民幣60億元，主要建設(shè)月產(chǎn)3萬(wàn)片的8英寸硅基功率元件產(chǎn)能和月產(chǎn)1000片的6英寸碳化硅（SiC）功率元件產(chǎn)能，應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)、工業(yè)、電網(wǎng)以及新能源車等。項(xiàng)目投產(chǎn)后預(yù)計(jì)年產(chǎn)量48萬(wàn)片，年產(chǎn)值可達(dá)36億元。據(jù)此前公開(kāi)消息，該項(xiàng)目計(jì)劃2020年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，2022年滿產(chǎn)。
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Littelfuse新的功率半導(dǎo)體裝配工廠破土動(dòng)工

  • 中國(guó)，北京，2019年7月16日訊 --全球領(lǐng)先的電路保護(hù)、電源控制和傳感技術(shù)制造商Littelfuse，Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：LFUS）今日宣布它最近在菲律賓利帕市的一家新的功率半導(dǎo)體組裝工廠破土動(dòng)工。 這將是該公司在菲律賓的第三家制造工廠，它將致力于功率半導(dǎo)體模塊的裝配和測(cè)試操作?！盎谑召?gòu)IXYS和加入到我們產(chǎn)品組合的高性能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，對(duì)菲律賓這家最先進(jìn)的新工廠的投資將進(jìn)一步擴(kuò)展我們的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的能力，這是Littelfuse增長(zhǎng)戰(zhàn)略的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！盠ittelfuse半導(dǎo)體
  • 關(guān)鍵字： Littelfuse  功率半導(dǎo)體  裝配工廠  

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析匯總，這一篇就夠了

  • 從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，由于決定核心競(jìng)爭(zhēng)力的前段制造能力和關(guān)乎企業(yè)發(fā)展 速度的設(shè)計(jì)能力對(duì)于一家功率半導(dǎo)體企業(yè)而言缺一不可，再加上掌握封測(cè)環(huán) 節(jié)一方面可以占據(jù)更廣闊的利潤(rùn)空間，另一方面可以增強(qiáng)對(duì)產(chǎn)品性能的把控、與設(shè)計(jì)制造環(huán)節(jié)形成協(xié)同效應(yīng)，因此我們判斷從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看IDM是功率半導(dǎo)體 廠商的必然選擇。
  • 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體  晶圓  

2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾人民幣2,900億元

  • TrendForce在最新《中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》指出，受益新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.76%至2,591億元人民幣，其中離散式元件市場(chǎng)規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年成長(zhǎng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模為717億元人民幣，較2017年增長(zhǎng)8%。
  • 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體  IGBT  

瞄準(zhǔn)市場(chǎng) 錯(cuò)位發(fā)展——中國(guó)需要提升模擬和功率半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)能

  • 　　近幾年，國(guó)內(nèi)各地陸續(xù)上馬的重大半導(dǎo)體代工項(xiàng)目大多在瞄著數(shù)字工藝。不僅僅臺(tái)積電和中芯國(guó)際等業(yè)內(nèi)傳統(tǒng)企業(yè)，甚至傳說(shuō)中的“武漢弘芯”，以及某個(gè)在山東簽約的12吋項(xiàng)目，動(dòng)輒12吋，起步14nm——似乎數(shù)字工藝更“高大上”，更是中國(guó)需要。但，對(duì)國(guó)內(nèi)項(xiàng)目深入調(diào)研和思考后，芯謀研究認(rèn)為，相比“市長(zhǎng)”需要先進(jìn)數(shù)字工藝，“市場(chǎng)”更需要模擬和功率的技術(shù)與產(chǎn)能?！　∫?、模擬晶圓生產(chǎn)線產(chǎn)能需求旺盛，國(guó)內(nèi)現(xiàn)有產(chǎn)能嚴(yán)重不足　　首先，中國(guó)的模擬芯片市場(chǎng)規(guī)模占全球40%以上，晶圓代工需求巨大?！　「鶕?jù)WSTS(全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織
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功率半導(dǎo)體介紹

　　《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]

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