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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導(dǎo)體

英飛凌為麥田能源提供功率半導(dǎo)體，助力提升儲能應(yīng)用效率

  • 英飛凌科技股份公司為快速成長的綠色能源行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、逆變器及儲能系統(tǒng)制造商——麥田能源提供功率半導(dǎo)體器件，共同推動綠色能源發(fā)展。英飛凌將為麥田能源提供?CoolSiCTM?MOSFET 1200 V功率半導(dǎo)體器件，?配合EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器用于工業(yè)儲能應(yīng)用。?同時，麥田能源的組串式光伏逆變器將使用英飛凌的?IGBT7 H7 1200 V功率半導(dǎo)體器件。全球光儲系統(tǒng)（PV-ES）市場近年來高速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為制勝關(guān)鍵；儲能應(yīng)
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三菱電機投資氧化鎵功率半導(dǎo)體

  • 3月26日，在三菱電機舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會議上，三菱電機宣布將對有望成為下一代半導(dǎo)體的氧化鎵（Ga2O3）進行投資研發(fā)。與主要用于電動汽車（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體相比，三菱電機稱這一布局是“為擴大更高電壓的市場”。三菱電機表示，2024年~2030年，公司將投入約9000億日元（折合人民幣約430億元）用于碳化硅、氧化鎵等下一代功率半導(dǎo)體、材料和產(chǎn)品的回收利用、可再生能源等綠色領(lǐng)域的研發(fā)。據(jù)了解，2023年7月，該公司宣布已投資Novel Crystal Technology（N
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廠商“瘋狂”發(fā)力碳化硅

  • 3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據(jù)其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示，工廠已開始安裝長晶設(shè)備，預(yù)估今年12月份或者明年1月，這座工廠將會有產(chǎn)出。該工廠將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求
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Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠封頂

  • 2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來自公共部門和私營機構(gòu)的支持，將助力從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，提升對于能源轉(zhuǎn)型至關(guān)重要的材料的供應(yīng)。該中心占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的
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基礎(chǔ)知識之IGBT

  • 什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是　“Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類為功率半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。 根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度，BIPOLAR適用于中速開關(guān)，MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。IGBT是輸入部為MOSFET結(jié)構(gòu)、輸出部為BIPOLAR結(jié)構(gòu)的元器件，通過
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國創(chuàng)中心車規(guī)功率半導(dǎo)體測試實驗室在北京亦莊啟用

  • 據(jù)國創(chuàng)中心公眾號消息，近日，國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心車規(guī)功率半導(dǎo)體測試實驗室正式投入運營，為汽車半導(dǎo)體的技術(shù)進步和質(zhì)量提升提供支撐。由于車規(guī)功率半導(dǎo)體具有高可靠性、高效率、高功率密度、快速開關(guān)能力、耐高溫特性等特點，因此需要通過嚴(yán)格的質(zhì)量認(rèn)證和測試來確保其質(zhì)量和可靠性。據(jù)悉，目前，該實驗室測試能力已涵蓋AECQ101、AQG324等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，并持續(xù)完善車規(guī)級碳化硅（SiC）、板級及系統(tǒng)級測試，確保滿足最嚴(yán)苛的汽車電子質(zhì)量要求。其中，面向行業(yè)研究熱點之一的SiC，該實驗室能對Si基和SiC基的DIODE、
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漲價函紛飛，功率半導(dǎo)體乘勢而起？

  • 2019至2022年間新能源汽車、光伏、半導(dǎo)體等下游需求持續(xù)旺盛，全球范圍內(nèi)晶圓產(chǎn)能不足，功率半導(dǎo)體行業(yè)供不應(yīng)求，曾出現(xiàn)多次漲價，其中IGBT、SiC MOSFET等十分緊俏。自2022年以來，全球范圍內(nèi)產(chǎn)能逐步釋放，功率半導(dǎo)體市場行情回落，從二三極管、晶體管、中低壓 MOS到高壓MOS都出現(xiàn)供需反轉(zhuǎn)并大幅降價；加之消費電子市場疲軟大背景下，庫存去化成為功率半導(dǎo)體市場近兩年主旋律。然而，自2023年12月至今年1月，媒體報道包括捷捷微電、三聯(lián)盛、藍(lán)彩電子、揚州晶新、深微公司在內(nèi)的五家本土功率半導(dǎo)體
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2024年，功率半導(dǎo)體怎么走？

  • 功率半導(dǎo)體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的器件之一。中國作為全球最大的功率半導(dǎo)體消費國，貢獻了約 40% 的功率半導(dǎo)體市場。MOSFET 和 IGBT 為功率半導(dǎo)體產(chǎn)品主力。2023 年，半導(dǎo)體正式步入下行周期。在下行的背景下，整個行業(yè)都面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。功率半導(dǎo)體在瑟瑟的寒風(fēng)中，卻顯得與眾不同。本文中，我們將一起看看功率半導(dǎo)體的 2023 以及 2024 的變化情況。MOSFET 的 2023先來看看 MOSFET 的情況。MOSFET 器件具有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定
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把握功率半導(dǎo)體三大演變趨勢 漢高創(chuàng)新材料引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展

  • 新年伊始，越來越多的外資企業(yè)開始展望2024年在中國的發(fā)展，并持續(xù)加大在中國市場的投入。一直秉持著“在中國，為中國”的漢高，通過不斷探索創(chuàng)新，引領(lǐng)綠色低碳新發(fā)展模式，并以實際行動踐行持續(xù)加碼中國的承諾。隨著科技的飛速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著愈發(fā)重要的作用。它們不僅應(yīng)用于手機、電腦和其他電子設(shè)備，還涉及到汽車、工業(yè)、通訊、AI等多個領(lǐng)域。為了更好地適應(yīng)市場需求，半導(dǎo)體器件的開發(fā)和生產(chǎn)正朝著更高效、更可靠和更本地化的方向發(fā)展。作為半導(dǎo)體封裝材料專家，漢高也在不斷地為行業(yè)帶來眾多的創(chuàng)新技
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英飛凌：車企與半導(dǎo)體廠商直接簽訂長期合同的情況在增加

  • 12月5日消息，據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)消息，英飛凌汽車部門總裁Peter Schiefer日前受訪時表示，車企與半導(dǎo)體廠商直接談判、簽訂長期合同的情況在增加。經(jīng)歷疫情之后，與汽車廠商的關(guān)系確實發(fā)生了變化。汽車廠商開始希望從設(shè)計階段細(xì)致了解并管理自家使用的運算用MCU。在新能源車用半導(dǎo)體方面，為了能夠長期采購到半導(dǎo)體，汽車廠商提出意見稱，希望與半導(dǎo)體廠商直接談判，簽訂長期供應(yīng)合同。跳過1級供應(yīng)商（Tier1）進行對話的機會增加。Peter Schiefer表示，汽車廠商會指定半導(dǎo)體供應(yīng)商，由其自身或者1級供應(yīng)商在一定
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三菱電機將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

  • 11月，日本三菱電機、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。雙方將聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長的需求。目前芯片供應(yīng)量尚未確認(rèn)，預(yù)計最早將于2023年內(nèi)開始供應(yīng)。公開消息顯示，安世半導(dǎo)體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導(dǎo)體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導(dǎo)體公司，三菱電機與安世半導(dǎo)體的側(cè)重點不同，前者以“多個離散元件組合
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功率半導(dǎo)體介紹及分類,功率半導(dǎo)體技術(shù)挑戰(zhàn)和解決方案

  • 功率半導(dǎo)體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護、逆變（直流轉(zhuǎn)交流）和整流（交流轉(zhuǎn)直流）等作用。 圖表 1：半導(dǎo)體分類數(shù)據(jù)來源：功率半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化白皮書，華福證券研究所 功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。 圖表 2：各功率半導(dǎo)體市場份額占比數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院，華福證券研究所 據(jù)中商產(chǎn)業(yè)
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現(xiàn)代汽車、起亞與英飛凌簽署功率半導(dǎo)體長期供貨協(xié)議

  • 【2023 年 11 月 7日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與現(xiàn)代汽車和起亞簽署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導(dǎo)體長期供貨協(xié)議。英飛凌將建設(shè)并保留向現(xiàn)代/起亞供應(yīng)碳化硅及硅功率模塊和芯片的產(chǎn)能直至 2030 年?，F(xiàn)代/起亞將出資支持這一產(chǎn)能建設(shè)和產(chǎn)能儲備。  英飛凌與現(xiàn)代汽車和起亞簽署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導(dǎo)體長期供貨協(xié)議 現(xiàn)代汽車集團執(zhí)行副總裁兼全球戰(zhàn)略辦公室（GSO）負(fù)責(zé)人
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半導(dǎo)體和功率半導(dǎo)體有什么區(qū)別？

  • 盡管半導(dǎo)體和功率半導(dǎo)體都是電子元件并且有相似之處，但它們在幾個方面存在一些差異。以下是兩者的區(qū)別。首先，半導(dǎo)體和功率半導(dǎo)體之間的主要區(qū)別在于它們處理電壓和電流水平的能力。半導(dǎo)體通常在低電壓和低電流水平下工作，用于許多電子設(shè)備，例如存儲芯片、微處理器和傳感器。然而，功率半導(dǎo)體用于處理需要高功率控制和轉(zhuǎn)換的應(yīng)用的高電壓和電流水平。其次，功率半導(dǎo)體在工作過程中會產(chǎn)生大量熱量，因此通常需要額外的散熱器、冷卻機制等。另一方面，半導(dǎo)體通常產(chǎn)生較少的熱量，并且通常不需要冷卻措施。最后，功率半導(dǎo)體可最大限度地減少開關(guān)損耗
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在馬來西亞，半導(dǎo)體投資正在變得活躍

  • 隨著供應(yīng)鏈積極尋求中國以外的生產(chǎn)基地，加上各國政府出臺本地化供應(yīng)的激勵計劃和政策限制，東南亞各國已成為不同行業(yè)的關(guān)鍵樞紐。越南已成為筆記本電腦、手表和耳機等消費電子產(chǎn)品制造的焦點，而泰國已成為汽車相關(guān)供應(yīng)鏈的首選。泰國和馬來西亞擁有服務(wù)器組裝基地，印度將成為手機生產(chǎn)的重要中心。除了終端產(chǎn)品組裝的變化之外，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的轉(zhuǎn)變也引起了人們的關(guān)注。隨著臺積電、三星和英特爾將晶圓制造工廠遷往美國、歐洲和其他地區(qū)，馬來西亞已形成一個重要的半導(dǎo)體后端測試和封裝集群。功率半導(dǎo)體 TOP10 排名1972 年，英特爾在馬
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功率半導(dǎo)體介紹

　　《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]

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