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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導(dǎo)體

全球功率半導(dǎo)體TOP10，各有千秋

  • 近日，Yole 集團(tuán)旗下半導(dǎo)體市場研究公司 YoleIntelligence 發(fā)布的功率半導(dǎo)體市場研究報(bào)告《StatusofthePowerElectronics2023》包含了 2020 年至 2022 年功率半導(dǎo)體供應(yīng)商（分立+模塊）的銷售排名。細(xì)看榜單，全球功率半導(dǎo)體十強(qiáng)中有一半為日本企業(yè)，包括三菱電機(jī)、富士電機(jī)、東芝、瑞薩、羅姆。歐洲企業(yè)有英飛凌和意法半導(dǎo)體，美國企業(yè)有安森美、威世，中國僅有一家企業(yè)入選——聞泰科技旗下的安世半導(dǎo)體。以下為 2020 年至 2022 年功率半導(dǎo)體供應(yīng)商前 20 榜單
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儲(chǔ)能市場的光，國產(chǎn)半導(dǎo)體公司能借到嗎？

  • 儲(chǔ)能市場被視作下一個(gè)萬億投資機(jī)遇的風(fēng)口。截至 2022 年底，全國已投運(yùn)新型儲(chǔ)能項(xiàng)目裝機(jī)規(guī)模達(dá) 870 萬千瓦，平均儲(chǔ)能時(shí)長約 2.1 小時(shí)，比 2021 年底增長 110% 以上。分省域來看，截至 2022 年底，累計(jì)裝機(jī)規(guī)模排名前 5 的省份分別為：山東 155 萬千瓦、寧夏 90 萬千瓦、廣東 71 萬千瓦、湖南 63 萬千瓦、內(nèi)蒙古 59 萬千瓦。今年上半年，工商業(yè)儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)融資金額已超過 30 億元，有 200 多家企業(yè)布局。在整個(gè)儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)鏈中，半導(dǎo)體企業(yè)是不可或缺的一環(huán)。起飛的儲(chǔ)能賽道，對
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汽車芯片，有兩大好賽道

  • 汽車的智能化和電動(dòng)化趨勢，勢必帶動(dòng)車用半導(dǎo)體的價(jià)值量提升，其中功率半導(dǎo)體和模擬芯片便迎來了發(fā)展良機(jī)。先看功率半導(dǎo)體，車規(guī)功率半導(dǎo)體是新能源汽車的重要組件，無論整車企業(yè)還是功率半導(dǎo)體企業(yè)都在瞄準(zhǔn)這一賽道。新能源汽車電池動(dòng)力模塊都需要功率半導(dǎo)體，混合動(dòng)力汽車的功率器件占比增至 40%，純電動(dòng)汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規(guī)模擬芯片，模擬芯片在汽車各個(gè)部分均有應(yīng)用，包括車身、儀表、底盤、動(dòng)力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動(dòng)力系統(tǒng)
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重大突破！中國功率半導(dǎo)體封測再添“利器”

  • IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，俗稱電力電子裝置的“心臟”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在高鐵、新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。近日，由中科院高能物理研究所濟(jì)南研究部（濟(jì)南中科核技術(shù)研究院）自主研發(fā)的全自動(dòng)IGBT缺陷X射線三維檢測設(shè)備已經(jīng)正式亮相。該設(shè)備基于X射線計(jì)算機(jī)層析成像技術(shù)，并將人工智能（AI）算法引入檢測系統(tǒng)，可對不合格產(chǎn)品進(jìn)行自動(dòng)識別及分揀。據(jù)濟(jì)南中科核技術(shù)研究院介紹，這一重大成果實(shí)現(xiàn)了IGBT模塊的全自動(dòng)在線無損檢測，數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)反饋存儲(chǔ)，有效解決了雙層焊
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功率半導(dǎo)體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考

  • 4月24日，東芝電子元器件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導(dǎo)體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一階段的生產(chǎn)計(jì)劃在2024財(cái)年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應(yīng)對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報(bào)道，東芝計(jì)劃到2024年將碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié)，布局完成后將形成：外延設(shè)備+外
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汽車結(jié)構(gòu)性缺芯 國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體有望四季度“上車”

  • 4月7日，中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)在長沙成立，將加快汽車功率芯片的國產(chǎn)化。在成立大會(huì)暨汽車功率芯片發(fā)展研討會(huì)期間，第一財(cái)經(jīng)記者獲悉，汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機(jī)會(huì)，降本提質(zhì)是國產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵；三安光電用于電動(dòng)車主驅(qū)的碳化硅功率半導(dǎo)體有望今年四季度正式“上車”。　　汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機(jī)會(huì)　　有行業(yè)專家向第一財(cái)經(jīng)記者表示，一輛電動(dòng)車如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導(dǎo)體，功率半導(dǎo)體約占電機(jī)控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財(cái)經(jīng)記者
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強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作，中國汽車芯片創(chuàng)新聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)成立

  • 4月7日，由中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡稱：中國汽車芯片創(chuàng)新聯(lián)盟）主辦，湖南三安承辦的“汽車功率半導(dǎo)體分會(huì)成立大會(huì)暨汽車功率芯片發(fā)展研討會(huì)”在長沙舉辦。近80位政府嘉賓、企業(yè)高管、行業(yè)專家、新聞媒體齊聚一堂，共謀中國新能源汽車及功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展之道，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈跨界合作和多元融合生態(tài)的形成，攜手共創(chuàng)汽車功率半導(dǎo)體行業(yè)的新局面。成立分會(huì) 推進(jìn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展當(dāng)前，汽車行業(yè)正處在從傳統(tǒng)化石能源驅(qū)動(dòng)逐步向全電驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換的巨大歷史變革當(dāng)中。新能源汽車進(jìn)入發(fā)展快車道，汽車功率芯片是新能源汽車的重要器
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功率半導(dǎo)體市場需求攀升，盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設(shè)備采購訂單

  • 今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設(shè)備的采購訂單。盛美上海指出，該訂單來自中國領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商，預(yù)計(jì)將在2023年第三季度末發(fā)貨。當(dāng)前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導(dǎo)體迅速發(fā)揮發(fā)展，其中整體產(chǎn)值又以碳化硅占80%為重。據(jù)悉，碳化硅襯底用于功率半導(dǎo)體制造，而功率半導(dǎo)體被廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車和可再生能源等領(lǐng)域。碳化硅技術(shù)的主要優(yōu)勢包括更少的開關(guān)能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強(qiáng)的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業(yè)對功率半導(dǎo)體需求的增加
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SiC功率半導(dǎo)體市場分析；廠商談IGBT大缺貨

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報(bào)告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場分析報(bào)告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長41.4%。與此同時(shí)，受惠于下游應(yīng)用市場的強(qiáng)勁需求，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規(guī)模預(yù)估2022年全球車用MCU市場規(guī)模達(dá)82
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一文讀懂功率半導(dǎo)體

  • 功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會(huì)用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設(shè)備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉(zhuǎn)換調(diào)制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀(jì)60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世紀(jì)70年代
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日本電子巨頭羅姆將量產(chǎn)下一代半導(dǎo)體：提高用電效率、增加電動(dòng)車?yán)m(xù)航里程

  • 據(jù)日本共同社日前報(bào)道， 日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體，以碳化硅（SiC）為原材料。據(jù)悉，羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體可讓可提高機(jī)器運(yùn)轉(zhuǎn)的用電效率， 若裝在純電動(dòng)汽車上，續(xù)航里程可提升一成，電池體積也可更小。據(jù)悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設(shè)的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實(shí)施量產(chǎn)，還計(jì)劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。公開資料顯示， 碳化硅具備
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株洲中車時(shí)代功率半導(dǎo)體器件核心制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目開工

  • 據(jù)石峰發(fā)布消息顯示，10月28日，株洲市中車時(shí)代功率半導(dǎo)體器件核心制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目開工。據(jù)悉，該項(xiàng)目位于株洲市石峰區(qū)軌道交通雙創(chuàng)園內(nèi)，占地約266畝，計(jì)劃總投資逾52億元，項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，可新增年產(chǎn)36萬片8英寸中低壓組件基材的生產(chǎn)能力，產(chǎn)品主要面向新能源發(fā)電及工控家電領(lǐng)域。時(shí)代電氣9月公告稱，控股子公司株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司，擬投資中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目，包括中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）一期建設(shè)項(xiàng)目和中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項(xiàng)目（以下簡稱“株洲子項(xiàng)目”），項(xiàng)目投資總額約1,111,869
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英飛凌在匈牙利設(shè)立新廠 擴(kuò)充大功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)能

  • 英飛凌科技（Infineon）于匈牙利采格萊德設(shè)立新廠，用于大功率半導(dǎo)體模塊的組裝和測試，以推動(dòng)作為全球碳減排關(guān)鍵的汽車電動(dòng)化進(jìn)程。此外，英飛凌還進(jìn)一步擴(kuò)大了投資，提高大功率半導(dǎo)體模塊的產(chǎn)能，廣泛用于風(fēng)力發(fā)電機(jī)、太陽能模塊以及高能效馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用，推動(dòng)綠色能源的發(fā)展。英飛凌營運(yùn)長Rutger Wijburg表示，英飛凌遵循的是長期可持續(xù)增長的發(fā)展道路。在低碳化和數(shù)字化趨勢的推動(dòng)下，英飛凌半導(dǎo)體解決方案的市場需求不斷增長。采格萊德工廠為推動(dòng)綠色能源的發(fā)展作出了重要貢獻(xiàn)，新工廠的建設(shè)將進(jìn)一步助力英飛凌滿足日益
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功率半導(dǎo)體組件的主流爭霸戰(zhàn)

  • 功率半導(dǎo)體組件與電源、電力控制應(yīng)用有關(guān)，特點(diǎn)是功率大、速度快，有助提高能源轉(zhuǎn)換效率，多年來，功率半導(dǎo)體以硅（Si）為基礎(chǔ)的芯片設(shè)計(jì)架構(gòu)成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導(dǎo)體材料出現(xiàn)，讓功率半導(dǎo)體組件的應(yīng)用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點(diǎn)高功率組件應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟秘書長林若蓁博士（現(xiàn)職為臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)研究院研究一所副所長）指出，功率半導(dǎo)體組件是電源及電力控制應(yīng)用的核心，具有降低導(dǎo)通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管）與IGBT（絕緣
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功率半導(dǎo)體冷知識之二：IGBT短路時(shí)的損耗

  • IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實(shí)現(xiàn)。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數(shù)據(jù)手冊是這樣描述短路能力的，在驅(qū)動(dòng)電壓不超過15V時(shí)，短路電流典型值是2400A，只要在10us內(nèi)成功關(guān)斷短路電流，器件不會(huì)損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護(hù)贏得時(shí)間，驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路可以從容安全地關(guān)斷短路電流。短路能力不是免費(fèi)的器
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功率半導(dǎo)體介紹

　　《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]

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