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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率半導(dǎo)體

瑞薩將上市SiC功率半導(dǎo)體

  • 　　瑞薩電子計劃上市SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體。耐壓600V的SiC肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開始樣品供貨。除了空調(diào)等白色家電外，預(yù)計還可用于通信基站和服務(wù)器等配備的PFC(功率因數(shù)校正)電路以及逆變器電路。瑞薩計劃從2011年10月開始少量量產(chǎn)，2012年3月以后以10萬個/月的規(guī)模量產(chǎn)。該公司還打算在2011年度內(nèi)，樣品供貨耐壓提高至1200V的SiC-SBD。 　　
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功率器件：風(fēng)力發(fā)電技術(shù)與功率半導(dǎo)體器件及控制系統(tǒng)

  • 通過風(fēng)能獲得太陽的能量并非新鮮事物，但當(dāng)今的功率半導(dǎo)體器件與控制系統(tǒng)卻使這種能源更加適用。在現(xiàn)...
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英飛凌逆境下依然保持高增長

  • 　　英飛凌科技股份公司連續(xù)七年高居全球功率半導(dǎo)體和模塊市場榜首。盡管面臨困難的經(jīng)濟環(huán)境，英飛凌在2009年仍然提高了市場份額。據(jù)IMS Research*最新報告，全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)?？s減21.5%，由2008年的140億美元降至2009年的110億美元。盡管市場規(guī)?？s減，但英飛凌的市場份額卻提高至10.7%。英飛凌在EMEA地區(qū)(歐洲、中東和非洲)繼續(xù)保持著領(lǐng)先地位，市場份額上升1.3個百分點，達到24.3%;在北美和南美地區(qū)，其市場份額上升0.4個百分點，達到11.5%。
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英飛凌穩(wěn)坐功率半導(dǎo)體市場龍頭位置

  • 　　根據(jù)市調(diào)機構(gòu)IMSResearch的最新報告顯示，盡管2009年遭遇全球景氣低潮，英飛凌(Infineon)仍全力達成鞏固市場地位，并提升市占率之目標(biāo)，亦即2009年全球功率半導(dǎo)體市場出現(xiàn)萎縮--從140億美元縮減為110億美元，降幅達21.5%，但英飛凌的市占率仍逆勢成長10.7%。 　　
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英飛凌在節(jié)能應(yīng)用和可再生能源領(lǐng)域增長強勁

  • 　　英飛凌科技股份公司連續(xù)七年高居全球功率半導(dǎo)體和模塊市場榜首。盡管面臨困難的經(jīng)濟環(huán)境，英飛凌在2009年仍然提高了市場份額。據(jù)IMS Research*最新報告，全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模縮減21.5%，由2008年的140億美元降至2009年的110億美元。盡管市場規(guī)模縮減，但英飛凌的市場份額卻提高至10.7%。英飛凌在EMEA地區(qū)(歐洲、中東和非洲)繼續(xù)保持著領(lǐng)先地位，市場份額上升1.3個百分點，達到24.3%;在北美和南美地區(qū)，其市場份額上升0.4個百分點，達到11.5%。
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力挺新能源應(yīng)用 中國IGBT企業(yè)可另辟蹊徑

  • 　　【 導(dǎo)讀：在新能源領(lǐng)域的大多數(shù)功率變換裝置中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是最為重要的器件，與歐洲、日本和美國相比，中國在該領(lǐng)域還相對落后，盡管國內(nèi)也有一些企業(yè)和科研機構(gòu)在進行研發(fā)，但產(chǎn)業(yè)化進程緩慢，技術(shù)上也落后于國外。】 　　今年6月，功率半導(dǎo)體業(yè)界的盛會“PCIMChina2010”在上海光大會展中心舉行，國內(nèi)外知名功率半導(dǎo)體廠商向與會觀眾展示了各自推出的新產(chǎn)品和眾多高能效解決方案。記者觀察到，功率半導(dǎo)體在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用成為本屆展會的熱點，而中國功率器件產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展
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電源管理詮釋節(jié)能

功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

  • 　　功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復(fù)蘇勢頭增強，iSuppli公司預(yù)測2010年半導(dǎo)體市場營業(yè)收入為2833億美元，增長率達到23.2%. 　　MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。 　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
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瑞薩和NEC電子合并 新航母瑞薩電子揚帆起航

  • 　　兩家半導(dǎo)體大鱷且MCU全球市場排名前兩位的瑞薩科技和NEC電子的合并，一直受到業(yè)內(nèi)的重點關(guān)注。其合并的原因?合并后形成的航母級企業(yè)的整合效果?將對業(yè)界產(chǎn)生怎樣的影響? 　　問：瑞薩與NEC電子合并后的新名稱?哪些因素促使瑞薩與NEC電子進行這次合并?屬于哪種類型的合并? 　　答：瑞薩與NEC電子合并后，于2010年4月1日，以瑞薩電子株式會社的新公司名稱正式開始商業(yè)運營，并且得到來自大股東NEC、日立制作所和三菱電機的總額約2000億日元(約合20億美元)的增資，財務(wù)實力大幅增強。 　　NEC電
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華潤上華與電子科技大學(xué)共建DMOS聯(lián)合實驗室

  • 　　華潤上華科技有限公司(簡稱“華潤上華”)與電子科技大學(xué)(簡稱“電子科大”)共建DMOS聯(lián)合實驗室的簽約儀式于2010年3月30日在電子科技大學(xué)舉行。華潤上華副總經(jīng)理蘇巍和電子科大副校長楊曉波分別代表雙方在協(xié)議上簽字，華潤上華董事長陳正宇博士、電子科大校長汪勁松教授出席了簽字儀式，并就合作的未來進行了深度交流和展望。 　　在華潤上華與電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院張波教授團隊多年的合作基礎(chǔ)上，雙方將充分利用該聯(lián)合實驗室平臺，發(fā)揮各自的優(yōu)勢展開深入密切的
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瑞薩推出8款800V三端雙向可控硅開關(guān)產(chǎn)品

  • 　　2010年2月25日，株式會社瑞薩科技(以下簡稱瑞薩)宣布推出包括BCR16CM-16LH在內(nèi)的新型800V三端雙向可控硅產(chǎn)品，其所具有的業(yè)內(nèi)最佳高換向性*特點和150°C結(jié)溫(Tj)，使其成為洗衣機和真空吸塵器等家電內(nèi)AC電機驅(qū)動應(yīng)用的理想之選。該產(chǎn)品樣品將于2010年4月起在日本發(fā)售。 　　新型三端雙向可控硅是用于控制AC電路內(nèi)電源開關(guān)的功率半導(dǎo)體器件，具有如下主要特性： 　　(1) 提高換向性，減少元件總量 　　新型三端雙向可控硅具有800V的額定電壓，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的換向性。其臨
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Microsemi在APEC 2010展示它的全部功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品

  • 　　Microsemi公司今天宣布將于本周在加利福尼亞州棕櫚泉(Palm Springs)的棕櫚泉會議中心(Palm Springs Convention Center)所舉行的應(yīng)用功率電子學(xué)會議和展覽會 (APEC 2010)上展出它的一系列功率器件產(chǎn)品，并在2個技術(shù)交流會上進行演講。 　　Microsem所展示的主要產(chǎn)品(展臺 #122)： 　　· 應(yīng)用于太陽能逆變器的一組超薄功率模塊。 　　· 以太網(wǎng)驅(qū)動(PoE)芯片集和模塊，其中包括Microsem公司第四代的I
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全新功率半導(dǎo)體技術(shù)助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能

  • 世界各地計算機數(shù)量眾多，耗能量也相當(dāng)龐大，而支撐互聯(lián)網(wǎng)運作的數(shù)據(jù)中心就是一大耗能實例。在一個典型的數(shù)據(jù)中心設(shè)施中，其實只有不到一半的功耗是用在計算功能上的。所以數(shù)據(jù)中心運營商千方百計尋找機會來提高功率轉(zhuǎn)換效率和分配效率，例如通過高壓直流源的分配來減小轉(zhuǎn)換級的數(shù)目。

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功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐

  • 　　過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動相關(guān)電機進行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
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英飛凌擴大面向可再生能源和傳統(tǒng)電機驅(qū)動應(yīng)用的功率模塊生產(chǎn)

  • 　　英飛凌科技股份公司在其位于德國慕尼黑Neubiberg的總部宣布，該公司正在擴建其位于匈牙利Cegléd的生產(chǎn)工廠，以滿足日益增長的對于可再生能源和傳統(tǒng)系統(tǒng)的需求。從現(xiàn)在開始到2012年，公司將投資近1,700萬歐元用于建造廠房和購買制造設(shè)備。英飛凌今天與匈牙利經(jīng)濟部的代表簽訂了協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，匈牙利經(jīng)濟部將為該項目融資140萬歐元。 　　Cegléd工廠主要生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，這種功率模塊是風(fēng)輪機和光伏系統(tǒng)太陽能逆變器以及機車驅(qū)動裝置、有軌電車、制造工廠、扶梯和電梯使用
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功率半導(dǎo)體介紹

　　《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細 ]

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