国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt

“一芯難求”?IGBT 憑啥這么搶手?

  • 今天要聊的這個或許不僅是“供不應求”,在媒體報道中更被稱為是“一芯難求”!用報道的話來說,“不是價格多高的問題,而是根本買不到”。TA就是簡稱為“IGBT”的絕緣柵雙極型晶體管。聽到“一芯難求”,聰明的你應該就能get到其中的投資機會,IGBT究竟為啥這么搶手?咱們又能從中找到哪些投資良機呢?01 什么是IGBT?作為新能源領域的“新晉紅人”,IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,可以簡單理解為一種功率開關元件。心臟的作用大家都知道吧?在心臟泵的作用下,心臟把血液推動到身體的各個器官,為身體補充充足的血液和
  • 關鍵字: IGBT  

設備廠商訂單量大增;4個IGBT項目開工

  • 2022年,盡管全球半導體產業(yè)局勢復雜,但中國本土半導體似乎依然保持著朝陽勢頭,發(fā)展火熱。尤其是半導體設備廠商,在國產化浪潮進一步驅動下,去年大部分國產設備廠商在營收及訂單方面表現(xiàn)出了強勁的增長態(tài)勢。2023年以來,至純科技、中微公司、以及盛美上海均披露了其2022年年度報告。其中,2022年度,至純科技實現(xiàn)營業(yè)收入30.5億元,同比增長46.32%,新增訂單42.19億元,同比增長30.62%;;中微公司實現(xiàn)營收47.4億元,同比增長52.5%,新簽訂單金額約63.2億元,同比增加約53%;盛美上海實現(xiàn)
  • 關鍵字: 設備廠商  IGBT  

高電壓技術是構建更可持續(xù)未來的關鍵

  • 隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長,高電壓技術領域的創(chuàng)新讓設計工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案,使電氣化和可再生能源技術更易于使用。?“隨著人均用電量的持續(xù)增長,可持續(xù)能源變得越來越重要,”TI 副總裁及高電壓產品部總經理 Kannan Soundarapandian 表示。“以負責的方式管理能源使用非常重要。我們不能浪費任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術的創(chuàng)新是實現(xiàn)能源可持續(xù)的關鍵?!?隨著電力需求的增加(在 2 秒內將電動汽車 (EV) 從 0mph加速到 60mph?
  • 關鍵字: 高電壓技術  電動汽車  GaN  IGBT  

車用/工用等IGBT供不應求,缺貨問題至少在2024年中前難以解決?

  • 隨著車用、工業(yè)應用所需用量大增,IGBT市場陷入供不應求,此前有消息指出,部分廠商IGBT產線代工價上漲10%。而根據行業(yè)媒體的最新消息,IGBT缺貨問題至少在2024年中前難以解決。導致IGBT缺貨、漲價的原因主要有四點:其一,需求旺盛,車用、工業(yè)應用所需IGBT用量大增;其二,供給不足,產能擴增緩慢;其三,客戶認證需要時間;其四,特斯拉大砍75%碳化硅用量,IGBT為潛在替代方案。IGBT是第三代功率半導體技術革命的代表性產品,具有高頻、高電壓、大電流,易于開關等優(yōu)良性能,被業(yè)界譽為電力電子裝置的“C
  • 關鍵字: IGBT  缺貨問題  

SiC功率半導體市場分析;廠商談IGBT大缺貨

  • 根據TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析,隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化,將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元,年成長41.4%。與此同時,受惠于下游應用市場的強勁需求,TrendForce集邦咨詢預期,至2026年SiC功率元件市場規(guī)??赏_53.3億美元,其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規(guī)模預估2022年全球車用MCU市場規(guī)模達82
  • 關鍵字: SiC  功率半導體  IGBT  美光  

安森美開發(fā)IGBT FS7開關平臺,性能領先,應用工業(yè)市場

  • 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),具備業(yè)界領先的性能水平,最大程度降低導通損耗和開關損耗。這些新器件旨在提高快速開關應用能效,將主要用于能源基礎設施應用,如太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、儲能和電動汽車充電電源轉換。新的1200V溝槽型場截止(FS7)IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓,及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關損耗可實現(xiàn)更高的開關頻率,從而減少磁性元件的尺寸,提高功率密度
  • 關鍵字: 安森美  IGBT FS7  

廠商談IGBT大缺貨:根本買不到!

  • 當下半導體周期下行,半導體產業(yè)鏈多細分領域均明顯邁入到庫存調整周期。然而,在電動車與太陽能光伏兩大主流應用需求大增助推下,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)近期出現(xiàn)較大程度缺貨,不僅價格連漲,業(yè)界更以“不是價格多高的問題,而是根本買不到”來形容缺貨盛況。01IGBT供不應求,代工價格喊漲自2020年汽車缺芯以來,汽車芯片結構性缺芯愈發(fā)明顯,IGBT一直處于緊缺狀態(tài)。在2022年下半年,其甚至超越車用MCU,成為影響汽車擴產的最大掣肘。今年年初媒體消息顯示,漢磊集團于年初調漲IGBT產線代工價一成左右。據悉,漢
  • 關鍵字: IGBT  缺貨  

安森美開發(fā)IGBT FS7開關平臺,性能領先,應用工業(yè)市場

  • 2023 年 3 月 21日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),具備業(yè)界領先的性能水平,最大程度降低導通損耗和開關損耗。這些新器件旨在提高快速開關應用能效,將主要用于能源基礎設施應用,如太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、儲能和電動汽車充電電源轉換。新的1200V溝槽型場截止(FS7)IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓,及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關損耗
  • 關鍵字: 安森美  IGBT FS7開關  

吉利科技旗下晶能車規(guī)級IGBT產品成功流片

  • 近日,吉利科技旗下浙江晶能微電子有限公司宣布,其自主設計研發(fā)的首款車規(guī)級IGBT產品成功流片。新款芯片各項參數均達到設計要求。吉利科技集團消息顯示,該款IGBT芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術,通過優(yōu)化表面結構和FS結構,兼具短路耐受同時實現(xiàn)更低的導通/開關損耗,功率密度增大約35%,綜合性能指標達到行業(yè)領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定,采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。據悉,晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導體公司,聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創(chuàng)新,發(fā)揮“芯片設計+模塊制
  • 關鍵字: 吉利科技  晶能  車規(guī)級  IGBT  

吉利科技旗下晶能微電子自研首款車規(guī)級 IGBT 產品成功流片

  • IT之家 3 月 16 日消息,吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布,其自主設計研發(fā)的首款車規(guī)級 IGBT 產品成功流片。新款芯片各項參數均達到設計要求。晶能自主研發(fā) IGBT 流片晶圓該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術,通過優(yōu)化表面結構和 FS 結構,兼具短路耐受同時實現(xiàn)更低的導通 / 開關損耗,功率密度增大約 35%,綜合性能指標達到行業(yè)領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定,采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。晶能表示,一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導體占比接近 1/
  • 關鍵字: 吉利  IGBT  

[向寬禁帶演進]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?

  • _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面,這些物質比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質的采用旨在克服硅的局限性,而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料,所以會引發(fā)不良的導電性泄漏,且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率,相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中,GaN主要適合中低檔功率實現(xiàn)方案,大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個顯著增長領域是它在LED照明中的應用,而且在汽車
  • 關鍵字: MOSFET  IGBT  

基于Infineon TC233LP+AIKW40N65DF5的3.3KW OBC方案

  • 隨著全球對環(huán)保問題的重視,在汽車領域,新能源汽車肩負著構建良好生態(tài)環(huán)境的目的和使命走在了前沿,汽車產業(yè)從不同技術路線探索環(huán)保之道。電動汽車是新能源汽車的主要技術路線之一,其核心部件車載充電機(OBC)經過幾年的發(fā)展技術日益成熟。但高效可靠,易于控制,高性價比一直是各家方案商以及零部件供應商持續(xù)追求的目標。本方案是品佳集團聯(lián)合國內高校共同設計,基于Infineon AURIX系列MCU開發(fā)的一套OBC方案。首次采用單片MCU完成原本DSP+MCU的運算任務,功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
  • 關鍵字: Infineon  TC233LP  AIKW40N65DF5  OBC  Aurix  IGBT  

如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)

  • 尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當你縮小尺寸時--這是我們行業(yè)中不斷強調的目標之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎?如果將我們的思維從芯片轉移到模塊設計上,就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中,芯片面積減小導致了熱阻抗的增加,進而影響性能。但是,由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間,因此有可能利用這些新的可用空間來優(yōu)化模塊的布局。在這篇文章中,我們將探討如何調整模塊設計來改善熱性能。下篇將探討如何改善電氣性能。作為參考,我們將使用采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術的新型1200
  • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  

一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算

  • 與大多數功率半導體相比,IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度,有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應用筆記將簡單說明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據電路拓撲和工作條件,兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導通損耗和開關(開通和關斷)損耗,而二極管損耗
  • 關鍵字: 安森美  IGBT  

為什么逆導型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路

  • 對于功率因數校正(PFC),通常使用升壓轉換器Boost拓撲結構。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應用的最佳選擇,如空調、加熱、通風和空調(HVAC)以及熱泵。理論上,在連續(xù)導通模式(CCM)下,通過IGBT反向續(xù)流永遠不會發(fā)生。然而,在輕負載或瞬態(tài)條件下,由于升壓電感Lboost和IGBT的輸出電容Coss之間的共振,會有反向電流流過。這個諧振電流,iQN(t)是由以下公式給出的。諧振期間IGBT兩端的電壓(VCE)可以得出:當輸入電壓Vin低于輸出電壓的一半時(Vin&l
  • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  CCM模式  
共681條 5/46 |‹ « 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 » ›|

igbt介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條 igbt!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對 igbt的理解,并與今后在此搜索 igbt的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網安備11010802012473