igbt 文章 進入 igbt技術社區(qū)
基于IPD Protect的2.1 kW電磁感應加熱設計

- 電磁感應加熱在小家電市場(如電飯煲,油炸鍋和牛奶泡沫器等)已經得到廣泛應用,減小系統(tǒng)尺寸,降低系統(tǒng)成本和提高可靠性是越來越多客戶的需求。本文設計了一款2.1 kW電磁感應加熱平臺。搭載了英飛凌自帶保護IPD Protect,XMC單片機和CoolSET PWM控制器輔助電源。電路拓撲采用單端并聯(lián)諧振電路,最大輸出功率2.1 kW,實現(xiàn)了IPD Protect的快速過流保護,過壓保護,過溫報警和保護,輸入電壓欠壓保護和低靜態(tài)電流等功能,其中IPD protect過壓和過流保護點可以根據系統(tǒng)要求來調節(jié)。同時,
- 關鍵字: 感應加熱 IPD Protect IGBT 小家電 TRENCHSTOP 202102
電動車用大功率 IGBT 模塊測試解決方案

- 功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等,是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心。功率半導體器件種類眾多,按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類,其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大,是最主要的品類。根據iHS預測,MOSFET和IGBT將是2020-2025年增長最強勁的半導體功率器件。增長的市場空間被行業(yè)專家拆解成兩個方面:折舊帶來的替換市場以及電氣化程度加深帶來的新增市場。既然新增市場源于電氣化程度的加深,那
- 關鍵字: IT6862A IT6015D-80-450 電動車用大功率 IGBT 模塊測試
推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術

- 隨著電動汽車(EV)數量的增加,對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎設施系統(tǒng)的需求也在日益增長,如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比,新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量,因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80%,行駛大約250 km。根據聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標準, 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天,我們將研究驅動更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術
- 關鍵字: EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
GaN 器件的直接驅動配置

- 受益于集成器件保護,直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容(Ciss、Coss、Crss)和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數控制器(PFC)等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗,MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)實現(xiàn)此類拓撲。本文中,我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點,包括更低的開關損耗、更佳
- 關鍵字: MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
一種電動汽車能量回饋下IGBT保護策略優(yōu)化及驗證

- 舒 暉(奇瑞新能源汽車股份有限公司,安徽 蕪湖 241002) 摘 要:針對電動汽車在能量回饋時,動力電池高壓繼電器異常斷開的特殊工況下,提出了一種IGBT保護策略優(yōu)化方案,快速檢測因動力電池瞬斷產生的尖峰電壓,觸發(fā)保護機制保護IGBT模塊。本文通過臺架實驗對比了方案優(yōu)化前后的尖峰電壓值,最終通過實車驗證了該方案的可行性。結果表明,優(yōu)化后的保護策略能更快地檢測到抬升的母線電壓,觸發(fā)保護機制,停止IGBT工作,降低IGBT模塊損壞的風險?! £P鍵詞:電動汽車;能量回饋;IGBT 0 引言 傳統(tǒng)汽車
- 關鍵字: 202007 電動汽車 能量回饋 IGBT
新基建驅動電力電源變革,ST祭出一攬子解決方案

- 我國正在大力進行新基建,工業(yè)物聯(lián)網、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時,SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起,奠定了堅實的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網、手機需要哪些新電力與電源器件?近日,ST(意法半導體)亞太區(qū)功率分立器件和模擬產品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪,分享了對工業(yè)市場的預測,并介紹了ST的新產品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
- 關鍵字: 電源 SiC IGBT GaN
使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅動器的能源效率

- 本文將強調出無論就能源效率、散熱片尺寸或節(jié)省成本方面來看,工業(yè)傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點。摘要由于電動馬達佔工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動的能源效率成為一大關鍵挑戰(zhàn)。因此,半導體製造商必須花費大量心神,來強化轉換器階段所使用功率元件之效能。意法半導體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)技術,為電力切換領域立下全新的效能標準。1.導言目前工業(yè)傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發(fā)的碳化
- 關鍵字: MOSEFT FWD ST IGBT
東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內置保護功能的光耦

- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出“TLP5231”,這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦,適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1],其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現(xiàn)過流檢測。產品于今日起開始出貨。新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器,來控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現(xiàn)有產品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現(xiàn)電流放大,這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠
- 關鍵字: IGBT MOSEFT
工業(yè)電機用功率半導體的動向

- Steven?Shackell? (安森美半導體?工業(yè)業(yè)務拓展經理)摘? 要:電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉向無刷直流(BLDC)電機;工業(yè)電機需要更高能效的電機,同時 需要強固和高質量。安森美以領先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉變帶來的商機。 關鍵詞:電機;電動工具;MOSFET;工業(yè);IGBT;IPM安森美半導體提供全面的電機產品系列,尤其是功 率半導體方面。安森美半導體因來自所有電機類型的 商機感到興奮,并非??春脽o刷直流電機(BLDC)應用 (例如電動工具),
- 關鍵字: 202003 電機 電動工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM
關于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

- 王定良(電子科技大學 電子科學與工程學院,四川 成都 610054) 摘? 要:作為電機驅動電路的智能功率模塊(IPM)正變得越來越重要,但是越來越快的開關速度,可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外,過高的dV/dt也會在IGBT關斷狀態(tài)下產生雪崩擊穿。本文結合半橋電路的寄生參數模型,完善傳統(tǒng)公式的推導。基于對公式與IGBT擎住現(xiàn)象的分析,并結合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結構,改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性。 關鍵詞:IGBT;
- 關鍵字: 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性
igbt介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條 igbt!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對 igbt的理解,并與今后在此搜索 igbt的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對 igbt的理解,并與今后在此搜索 igbt的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
