国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt

基于IPD Protect的2.1 kW電磁感應加熱設計

  • 電磁感應加熱在小家電市場(如電飯煲，油炸鍋和牛奶泡沫器等)已經得到廣泛應用，減小系統(tǒng)尺寸，降低系統(tǒng)成本和提高可靠性是越來越多客戶的需求。本文設計了一款2.1 kW電磁感應加熱平臺。搭載了英飛凌自帶保護IPD Protect，XMC單片機和CoolSET PWM控制器輔助電源。電路拓撲采用單端并聯(lián)諧振電路，最大輸出功率2.1 kW，實現(xiàn)了IPD Protect的快速過流保護，過壓保護，過溫報警和保護，輸入電壓欠壓保護和低靜態(tài)電流等功能，其中IPD protect過壓和過流保護點可以根據系統(tǒng)要求來調節(jié)。同時，
  • 關鍵字： 感應加熱  IPD Protect  IGBT  小家電  TRENCHSTOP  202102  

電動車用大功率 IGBT 模塊測試解決方案

  • 功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等，是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心。功率半導體器件種類眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類，其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大，是最主要的品類。根據iHS預測，MOSFET和IGBT將是2020-2025年增長最強勁的半導體功率器件。增長的市場空間被行業(yè)專家拆解成兩個方面：折舊帶來的替換市場以及電氣化程度加深帶來的新增市場。既然新增市場源于電氣化程度的加深，那
  • 關鍵字： IT6862A  IT6015D-80-450  電動車用大功率 IGBT 模塊測試  

科索為中型機器人控制器和工廠自動化提供三路隔離輸出300W的電源解決方案

  • 科索有限責任公司近日宣布擴大其為中型機器人和工廠自動化設計的RB系列，增加一款300W的版本。RBC300F是一種開放式框架，可配置AC/DC電源，具有三路輸出，專門為機器人控制器和工廠自動化定制?；谝粋€獨特的概念，科索RBC300F系列提供三個可配置隔離輸出，其中一個具有增強隔離給智能柵雙極型晶體管（IGBT）或等效應用供電。RBC300F通過EN62477-1過電壓類別（OVC）Ⅲ認證，當連接到配電板時，通過減少額外的隔離變壓器，RBC300F電源簡化了系統(tǒng)架構師的設計過程，同時降低了成本。RBC3
  • 關鍵字： OVC  IGBT  COSEL  RBC300F  對流冷卻設計  

推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術

  • 隨著電動汽車（EV）數量的增加，對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎設施系統(tǒng)的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅動更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術
  • 關鍵字： EV  SiC  IGBT  MOSEFT  CMTI  

GaN 器件的直接驅動配置

  • 受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關損耗、更佳
  • 關鍵字： MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應用領域

  • 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術,為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關損耗
  • 關鍵字： MOSFET  TIM  IGBT  

一種電動汽車能量回饋下IGBT保護策略優(yōu)化及驗證

  • 　　舒 暉（奇瑞新能源汽車股份有限公司，安徽 蕪湖 241002）　　摘 要：針對電動汽車在能量回饋時，動力電池高壓繼電器異常斷開的特殊工況下，提出了一種IGBT保護策略優(yōu)化方案，快速檢測因動力電池瞬斷產生的尖峰電壓，觸發(fā)保護機制保護IGBT模塊。本文通過臺架實驗對比了方案優(yōu)化前后的尖峰電壓值，最終通過實車驗證了該方案的可行性。結果表明，優(yōu)化后的保護策略能更快地檢測到抬升的母線電壓，觸發(fā)保護機制，停止IGBT工作，降低IGBT模塊損壞的風險?！　￡P鍵詞：電動汽車；能量回饋；IGBT　　0 引言　　傳統(tǒng)汽車
  • 關鍵字： 202007  電動汽車  能量回饋  IGBT  

新基建驅動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

  • 我國正在大力進行新基建，工業(yè)物聯(lián)網、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預測，并介紹了ST的新產品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
  • 關鍵字： 電源  SiC  IGBT  GaN  

使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅動器的能源效率

  • 本文將強調出無論就能源效率、散熱片尺寸或節(jié)省成本方面來看,工業(yè)傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點。摘要由于電動馬達佔工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動的能源效率成為一大關鍵挑戰(zhàn)。因此,半導體製造商必須花費大量心神,來強化轉換器階段所使用功率元件之效能。意法半導體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)技術,為電力切換領域立下全新的效能標準。1.導言目前工業(yè)傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發(fā)的碳化
  • 關鍵字： MOSEFT  FWD  ST  IGBT  

東芝推出600V小型智能功率器件，助力降低電機功率損耗

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出型號為“TPD4162F”的高壓智能功率器件（IPD）。該器件采用小型表面貼裝封裝，設計用于空調、空氣凈化器和泵等產品中的電機驅動。并計劃于今日開始出貨。TPD4162F采用新工藝制造，與東芝當前的IPD產品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設備降低總體功率損耗。TPD4162F具有各種控制電路[2]、輸出級安裝了IGBT和FRD。其支持從霍爾傳感器或者霍爾IC直接驅動帶方波輸入信號的無刷直流電機，無需PWM控制
  • 關鍵字： IPD  IGBT  IC  

東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內置保護功能的光耦

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預驅動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏（PV）的功率調節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1]，其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現(xiàn)過流檢測。產品于今日起開始出貨。新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現(xiàn)有產品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現(xiàn)電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠
  • 關鍵字： IGBT  MOSEFT  

Power Integrations出爐簡單易用的SCALE-2即插即用型門極驅動器，適用于壓接式IGBT模塊

  • 中高壓逆變器應用領域門極驅動器技術的創(chuàng)新者Power Integrations近日推出1SP0351?SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門極驅動器，新產品專為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設計而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應用。1SP0351驅動器裝備了動態(tài)高級有源鉗位功能(DAAC)、短路保護
  • 關鍵字： 門極驅動器  IGBT  

工業(yè)電機用功率半導體的動向

  • Steven?Shackell? （安森美半導體?工業(yè)業(yè)務拓展經理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉向無刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時 需要強固和高質量。安森美以領先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉變帶來的商機。 關鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導體提供全面的電機產品系列，尤其是功 率半導體方面。安森美半導體因來自所有電機類型的 商機感到興奮，并非?？春脽o刷直流電機(BLDC)應用 （例如電動工具），
  • 關鍵字： 202003  電機  電動工具  MOSFET  工業(yè)  IGBT  IPM  

全力以赴抗疫情 開足馬力促生產——華虹二廠投入再創(chuàng)新高

  • 基于國內外大客戶對高端功率半導體器件的旺盛需求，特別是超級結產品(SJ)和絕緣柵雙極型器件(IGBT)的應用，華虹集團旗下華虹二廠在2020年1月的投入再創(chuàng)新高，光刻層數達到了48萬！生產線在年度動力檢修后已滿負荷運行，在1月也取得了出貨6.12萬片晶圓的佳績！
  • 關鍵字： 半導體  IGBT  SJ  華虹  

關于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

  • 　　王定良（電子科技大學 電子科學與工程學院，四川 成都 610054）　　摘? 要：作為電機驅動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會在IGBT關斷狀態(tài)下產生雪崩擊穿。本文結合半橋電路的寄生參數模型，完善傳統(tǒng)公式的推導。基于對公式與IGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結構，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性。　　關鍵詞：IGBT；
  • 關鍵字： 202002  IGBT  誤觸發(fā)  dV/dt  可靠性  
共681條 9/46 |‹ « 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 » ›|

igbt介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條 igbt!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對 igbt的理解，并與今后在此搜索 igbt的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473